K掺杂正交相Ca2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算

采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺杂K后价带主要是Si的3p态,Ca的3d、4s态以及K的3p、4s态的贡献。并利用计算的能带结构和态密度分析了K掺杂正交相Ca2Si前后的复介电函数、能量损失函数、反射光谱及吸收光谱,结果显示掺K增强了材料对太阳光谱中红外波段的能量利用。研究结果说明掺杂是改变材料电子结构和光电性能的有效手段,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。     

机械合金化法制备Cr掺杂Fe-Si合金

采用高能行星式球磨机制备了Cr掺杂Fe-Si混合粉,用X射线衍射（XRD）测试研究Cr掺杂Fe-Si合金的机械合金化过程,实验结果表明,随着球磨强度的增加,Fe、Cr、Si粉末通过原子扩散实现机械合金化,最佳的球磨工艺参数为：球磨时间35h、球磨机转速360r/min、球料比40：1。     

厚膜电阻的研究现状及发展趋势

首先描述了厚膜电阻的基本结构,介绍了制作厚膜电阻的各种材料,然后详细地阐述了厚膜电阻的制备工艺,探讨了厚膜电阻的导电机理和近年来的发展趋势。     

硅基外延Mn_4Si_7薄膜电子结构与光学性质研究

基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对外延关系Mn4Si7(001)//Si(001),取向关系Mn4Si7[001]//Si[001]的Mn4Si7平衡体系下的电子结构和光学性质进行了理论计算,计算结果表明:当Mn4Si7晶格常数选取为a=b=0.5431nm、c=1.747nm时,Mn4Si7为带隙宽度为0.834eV的直接带隙半导体。Mn4Si7费米面附近的价带主要由Mn的3d5态电子构成,导带主要由Mn的3d5态电子及Si的3p态电子构成。静态介电常数ε1(0)=14.48,折射率n0=3.8056。     

退火对磁控溅射法制备半导体Mg2Si薄膜的影响

通过磁控溅射和氩气氛围退火,在Si(111)衬底上制备环境友好半导体Mg2Si薄膜,并采用XRD和SEM研究了退火对Mg2Si薄膜形成和微结构的影响。结果表明Mg2Si薄膜的质量取决于退火温度、退火时间和沉积的薄膜厚度。制备Mg2Si薄膜,400℃退火5h是最优退火条件。XRD和SEM结构表明Mg2Si是通过沉积的Mg和Si衬底原子的相互扩散形成的。退火减少薄膜缺陷,也影响薄膜的表明粗糙度。     

液态金属大系统急冷过程中微结构转变机制的模拟研究

首次对于由50000个Al原子组成的液态金属系统在由急冷形成非晶态结构的过程中所出现的微观结构组织的变化进行了分子动力学模拟研究。探讨各种有关键型、原子团结构组态的转变机制,得到一幅十分清晰的关于金属原子成团及其演变的图景,同时也对模拟计算结果的微观机理给了相应的讨论。这对于深入理解非晶态结构的形成机制及其微观过程,将有重要的启示作用。     

美国发动机润滑油的发展

前言 在美国,发动机油的质量分级和性能规格是由美国汽车工程师协会(SAE)、美国石油学会(API)和美国材料试验学会(ASTM)三方共同商定的。由于美国市场上的SG级汽油机油质量不稳定,因此,美国汽车制造商联合会(AAMA)和日本汽车制造商联合会(JAMA)共同组成国际润滑材料标准化审查委员会(ILSC),提出新的汽油机油规格GF-1(相当于     

溅射时间对于Mg_2Si/Si异质结的影响

采用射频磁控溅射沉积并结合热处理制备Mg2Si/Si异质结,研究了溅射时间对Mg2Si/Si异质结的结构以及电阻率的影响。首先在P型Si衬底沉积不同厚度的Mg膜,然后进行低真空热处理,制备不同厚度的Mg2Si/Si异质结。通过XRD、SEM对Mg2Si/Si异质结中Mg2Si的晶体结构、异质结表面和剖面形貌进行分析,结果表明:制备了单一相Mg2Si薄膜,Mg2Si(220)衍射峰最强,异质结界面平整。通过四探针仪测量电阻率进行分析,发现电阻率随Mg2Si膜厚的增加而减小。     

退火对Fe/Si结构原子间互扩散及显微结构的影响

在Si(100)衬底上,用直流磁控溅射沉积约100nm的纯金属Fe膜,然后在600～1000℃真空退火2h.用能量为3MeV的C离子进行了卢瑟福背散射(RBS)测量,并用SIMNRA 6.0程序分析了测量结果,给出了界面附近Fe原子与Si原子间互扩散的完整图像.扫描电镜(SEM)观察和X射线衍射(XRD)测量表征了不同温度退火2h后Fe/Si系统表面的显微结构和晶体结构.由RBS、XRD测量与SEM观察结果,分析了退火过程对磁控溅射制备的Fe/Si双层膜结构原子间的互扩散行为、硅化物形成及显微结构的影响.     

退火温度对蓝宝石衬底上Mg2Si薄膜质量和光学性质的影响

采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了结晶良好的Mg₂Si多晶薄膜,研究了退火温度(375～475 ^oC)对薄膜晶体结构、表面形貌、拉曼光谱和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,当退火温度为400 ^oC时Mg₂Si(220)衍射峰强度最强,样品结晶质量最好,未见明显可观测的MgO相。扫描电镜(SEM)结果表明,所有样品表面均呈现清晰可见的规则六边形,且退火温度对形貌影响较小。拉曼光谱结果显示所有样品均呈现出Mg₂Si薄膜的特征峰(256 cm^-1附近的F_2g振动模),同时出现345 cm^-1附近的F_1u(LO)声子模,表明生成样品均为结晶良好的Mg₂Si薄膜。对薄膜光学性质的研究结果表明,随着退火温度升高,样品光学带隙先增大后减小。