瞬变电磁过套管电阻率测井响应模拟及分析

瞬变电磁过套管电阻率测井采用线圈电流的导通和关断方式进行大功率激发,测量套管井内不同源距的瞬态响应波形。现场测井得的瞬态波形有2个响应:一个是脉冲,位于激发时刻;一个是单峰波形——上升沿变化快、下降沿变化慢、位于激发时刻之后。用实轴积分法模拟套管井的瞬变电磁响应,得到的2个响应与所测量的波形特征一致,它们分别对应于位移电流(电磁波)和传导电流(电磁感应)的响应。传导电流密度与地层电导率成正比,过套管电阻率测井主要利用第2个瞬态响应获得地层的电导率。由于瞬变激发的连续谱以低频为主,测井波形中直接耦合的无用信号幅度很大。用同一源距不同深度测量的波形相减可以去掉响应中的无用信号(直接耦合响应和井内液体、套管、水泥环的二次场响应),得到2个深度点所测量地层的二次场差,该二次场差与所测量的不同区域地层电导率成正比,从二次场差波形中任取一点的幅度均可得到1条曲线,对其反褶积并刻度可以得到地层电导率随深度的变化曲线,加上初值便得到地层的电导率,实现过套管地层电阻率的连续测量。     

硅衬底的化学机械抛光工艺研究

在分析硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械抛光去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛光效率.在对不同粒径分散度的氧化铈抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械抛光过程的重要因素,而不是单纯受粒径大小的影响.分析和讨论了CMP工艺中的几个影响因素,如粒径大小与分散度、pH值、温度、流量和浓度等.抛光后清洗,抛光雾得到了有效控制.     

低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究

在研制器件过程中，多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了低压化学气相淀积（LPCVD）关键材料多晶硅薄膜的基本原理，考察了工作压力、反应温度等对多晶硅薄膜淀积速率的影响，以及影响多晶硅薄膜质量的因素，提出了改进措施，优化了多晶硅制备工艺参数，制备了合格的多晶硅薄膜。     

重型燃气轮机吊具有限元模态分析

利用有限元结构分析ANSYS软件,采用混合建模方法,对重型燃气轮机整机吊具进行前几阶固有频率及其振型计算.通过有限元模态分析,对设计方案进行动力学评价,证明吊具设计方案的合理性.     

基于CAN总线的机车实时监控系统

介绍一种基于CAN总线的机车实时监控系统,论详细介绍了系统硬件结构和主要软件流程,通过GPRS的短消息(SMS)业务,系统将机车的运行状态实时发送到地面控制系统。因此地面控制中心能实时监控机车运行状态。     

电力营销客户现场管理系统集成技术应用

针对客户现场管理系统中营销业务信息整合的各种需求,采用Web服务技术实现实时信息集成,采用文件传输协议（FTP）传输格式化文件从而实现非实时信息集成。通过这2种集成方法实现了基础档案信息同步,抄表、催费等业务自动化,以及针对重点客户的全面监控。目前,这2种方法都在重庆市电力公司的客户现场管理系统与营销管理系统的业务整合中得到了应用。     

多弧离子镀TiN/TiCrN/CrN多元多层复合膜的制备及性能研究

采用XH-800多弧离子镀设备在硬质合金刀具表面制备TiN/TiCrN/CrN多元多层复合膜.利用XRD、SEM、显微硬度计、多功能材料表面性能测试仪等对其组织结构与性能进行了研究.结果表明:膜层表面均匀,未出现龟裂现象,色泽光亮度好;膜的相结构组成为TiN和Cr2N,随着Cr靶电流的增大,TiN的择优取向由(200)向(111)转变,膜层出现单质Cr;膜层厚度为5.02μm,具有明显多层特征;显微硬度2536 HV;结合力65 N.     

跨学科设计团队的综合设计课程

怀俄明大学(University of Wyoming)建筑工程系所设计的本科课程侧重于建筑技术、能源效率和跨学科设计等方面。早在五年前,怀俄明大学(UW)就决定了应该利用BIM完成设计课程。去年,已经开始在整个建筑模拟和性能分析中利用BIM;而今年,我们已经更进一步,将建筑设计课程与高级的暖通空调课程相结合,以获得跨学科综合设计经验。本文旨在记录怀俄明大学(UW)为一项建筑工程计划所做出的努力。该项计划实施综合设计,探索和教授设计建筑的技术过程,以便达到建筑性能的优化。     

硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制

应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要控制参数。同时分析了在离子注入工艺中存在的影响因素和相应处理方法,对生产具有良好的指导作用。采用所设计的工艺参数制备获得的硅pin辐射探测器各项技术指标均满足要求,验证了离子注入工艺设计与参数控制的有效性。