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随着器件尺寸缩小到纳米级,在SRAM生产过程中,工艺偏差变大会导致SRAM单元写能力变差.针对这一问题,提出了一种新型负位线电路,可以提高SRAM单元的写能力,并通过控制时序和下拉管的栅极电压达到自我调节负位线电压,使负电压被控制在一定范围内.本设计采用TSMC 40nm工艺模型对设计的电路进行仿真验证,结果证明,设计的电路可以改善写能力,使SRAM在电压降到0.66V的时候仍能正常工作,并且和传统设计相比,本电路产生的负电压被控制在一个范围内,有利于提高晶体管的使用寿命,改善良率,节省功耗. 相似文献
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本文以笔者工作中遇到的项目为例,从设计、施工、管理等方面对高速公路三改工程建设过程中存在的一些问题进行了针对性地分析,并提出自己的看法与建议。 相似文献
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主要介绍了半包式骨架油封硫化模具的分型面结构和工作原理,设计了硫化模具,研究了其外径包胶型腔结构.结果表明,硫化模具采用两开模结构,减少了定位次数,提高了定位精度;该结构具有良好封胶效果,解决了大批量制品手工修边难题,提高了生产效率. 相似文献
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该文针对县域农村电网改造升级中变电站无功负荷补偿等方面的工作实际,结合本地改造升级工程经验,提出部分补偿方案及方法以供交流与探讨。 相似文献
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