氨茶喊对人体心电图和定量脑电图的影响及其与唾液氨茶碱含量的关系

目的 评价氣茶城对人体心电-图和定量脸电图的影响及其与嗟液氣茶城含量的关系。方法 米 用双盲安慰剂对照, 研究了良茶碱对10例徤康人心电图和定量脑电图的影响。结果 顿服氦茶碱 0. 4g, 2h 后心电图R波振幅从9. 9±2. 8m增高到12. 0±3. 6m(P<0. 05);定量脑电图f_pt导 联a₂波功率值从1. 05±0. 83上升到2. 08±2. 22(P<0. 05), f₃和f₄导联β₁波功率值从 1. 75± 1. 35升高到3. 11±3. 51(P< 0. 05);唾液氩茶碱含量为7. 6±0. 9 μg/ml。心电图R波及 脑电图a₂ 波的变化与哇液氩茶城含量呈正相关（r值分别为0. 8264和0. 7933)。10例口服安慰 剂健康受试者, 其心电困和脑电图改变均无统计学显著性。结论 治疗浓度氩茶碱能引起人体 心电和脑电的改变, 效应强度与游离药物浓度有关。     

筒形件拉深模CAD系统研究及实现

论述了筒形件拉深工序设计中的关键问题和详尽的处理流程,并对筒形件拉深模CAD系统开发进行了尝试。系统可输入的筒形件后自动完成优化拉深工序设计,最后生成全部工作零件的实体图以及各工序拉深模具的实体装配图。     

厚松散层地表移动变形预计的双曲函数法

在厚冲积层条件下, 根据上覆岩层不同的介质特点, 通过理论分析, 采用地表移动变形计算的双曲函数法进行预计, 并对预计结果与实测数据进行了对比, 在预计参数选取比较准确的情况下, 预计结果是令人满意的, 解决了概率积分法在预计厚松散层开采条件下盆地边缘偏差较大的问题。     

基于双权重因子的改进鲶鱼效应灰狼优化算法

针对GWO算法易早熟收敛、寻优速度和精度不高等问题,提出一种基于双权重因子的改进鲶鱼效应灰狼优化算法(IGWO).首先,采用Logistic混沌映射初始化灰狼种群,提高种群初始化位置的质量;然后针对头狼扰动和个体搜寻步长引入两种不同的权重因子,用来平衡算法局部开发和全局搜索能力;最后引入改进的鲶鱼效应策略,保证种群活力...     

基于超疏水滤膜的绝缘油多级过滤除水新工艺

低含水量的绝缘油具有较高绝缘水平,是电网安全、稳定运行的重要保证,这就需要将绝缘油含水量维持在较低区间内,文中致力于解决超疏水滤膜用于绝缘油除水的问题。采用喷涂法能将超疏水SiO2纳米粒子均匀粘接在PP滤芯、滤布、滤纸表面,获得与水接触角大于120°的疏水滤膜。在此基础上,疏水PP滤芯由于精度低,故适用于大通量的绝缘油1级过滤,疏水滤布配合串联过滤装置用于2级过滤可在承受较高油压的同时进一步除去绝缘油中的水,超疏水滤纸除水能力最强,故适用于高精度的绝缘油3级过滤。这种多级过滤可将绝缘油含水量降至10 mg·L-1以下,除水效率高且能满足不同种类绝缘油的除水要求。     

圆筒件极限拉深系数mk研究

考虑材料加工硬化的影响,本文通过对圆筒件及带凸缘的圆筒件首次拉深过程中变形区材料的应力和应变的理论分析 ,推导出圆筒件及带凸缘圆筒件首次拉深时极限拉深系数的近似计算公式.由推导公式计算的结果与实验值相比误差较小.在实际拉深此类零件时,可由推导的公式直接计算出圆筒件及带凸缘圆筒件首次拉深时极限拉深系数.     

基于EPC的物联网研究综述

90年代电子标签和物联网概念出现以来,越来越引起人们的注意。介绍电子标签和物联网的基本原理和EPC与物联网开发的关键技术,主要介绍Savant中间件技术、域名服务技术和物理标记语言技术,并提出EPC应用系统开发的方法。     

用2.5 MeV中子进行水泥生料元素含量研究

利用D—D中子发生器产生的2.5 MeV中子,对出磨水泥生料中的主要元素进行检测。检测时间短,可同时检测出水泥生料中主要元素Si、Al、Fe、Ca等含量。根据检测出的主要元素含量,计算出各种氧化物的百分含量,进而及时指导原料投入口各氧化物的投放比例,提高产品质量。检测方法操作方便,检测结果和化学化验方法比较偏差小,是世界上比较先进的方法之一。     

Etching Mechanisms of CF3 Etching Fluorinated Si:Molecular Dynamics Simulation

Molecular dynamics simulations are performed to investigate CF3 continuously bom-barding the amorphous silicon surface with energies of 10eV,50eV,100eV and 150eV at normal incidence and room temperature.The improved Tersoff-Brenner potentials were used.The simu-lation results show that the steady-state etching rates are about 0.019,0.085 and 0.1701 for 50eV,100eV and 150eV,respectively.With increasing incident energy,a transition from C-rich surface to F-rich surface is observed.In the region modified by CF3,SiF and CF species are dominant.