CMOS测频测速仪的原理及应用

基于所研制的一种采用CMOS电路器件的测频测速装置,介绍了用于精确测量电网频率的工作原理;从基准环节、采样环节、门电路环节、测量环节和译码环节方面介绍了具体的设计和实现。实践证明,该装置性能稳定、功耗低、价格低廉,同时具有较高的可靠性和精度。     

掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究

提出了一种Ｔ形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层轻掺砷的多晶硅薄膜；     

法人领域公共服务数据门户的研究

文中借鉴国内外数据服务做法,提出数据门户的概念,来回应越来越多的公众对公共服务过程及结果的数据及增值服务诉求,分析了法人领域政府行政管理部门、政府综合管理部门和决策部门、社会团体和组织3个方面的数据服务需求,建立了具有典型公共服务特征的法人领域数据门户,主要研究数据门户的3个关键环节,即数据采集、数据管理、数据服务。数据门户侧重于数据服务、数据应用程序汇聚等,提高公众对政府机关及其运作的了解,推进部门的核心使命,创造经济发展的机会或满足公众特定要求。     

环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究

本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构．采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列．在高超净室的大气和10－4Pa真空下测量了这种二极管阵列的I－V特性．大气下发射的开启电压大约为150伏，真空下的发射开启电压大约为70伏．最后还讨论了制备工艺中光刻套准偏差对发射的影响．分析结果表明偏心对发射的影响并不很明显．