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41.
Ca3Co4O9基热电材料的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
Ca3Co4O9是一种很有潜力的氧化物热电材料。本文从Ca3Co4O9的结构出发,讨论了利用不同工艺制备Ca3Co4O9的粉体材料、块体材料和薄膜材料的方法。并针对块体材料和薄膜材料的热电性能进行了一定的分析,提出了提高热电材料性能的途径。  相似文献   
42.
电气石净化处理含Cr6+废水的研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
为了探讨电气石对含Cr6 废水净化处理的合适条件.利用不同的电气石粒度、用量、pH值、温度、搅动情况等条件对水中Cr6 进行吸附试验;同时对回收后的电气石的再吸附性进行试验.试验结果表明:360目的电气石用量10 g,搅拌40 min,30℃,强碱性条件下,电气石的吸附效果最好,达到国家排放标准0.5 mg/L;回收后仍可以达到原电气石的处理效果.因此,电气石具有的永久性的自发电极,其微粒自身的静电场,对Cr6 的吸附作用使Cr6 与表面羟基的离解产物OH-在电气石表面产生吸附沉淀,从而起到净化作用,且可重复利用,在环境领域具有良好的发展前景.  相似文献   
43.
钛微合金钢中碳氮化钛固溶量及化学组成的计算与分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据相关热力学理论,提出了钛微合金钢中钛、碳、氮元素在奥氏体中的平衡固溶量及平衡沉淀析出的碳氮化钛的化学式系数的理论计算方法,对典型化学成分的钛微合金钢进行了理论计算并对计算结果进行了分析.结果表明,通常情况下在较高温度析出或未溶的碳氮化钛相当接近于TiN.  相似文献   
44.
采用常压固相烧结法制备Bi2SrCaCo2Oδ和Bi2Ca2Co2Oδ氧化物热电材料,研究Sr、Ca位替代或掺杂对陶瓷材料制备条件、晶体结构和电学性能的影响.通过XRD、SEM、EDS等表征技术及标准四探针法研究了烧结温度和晶体结构参数对陶瓷物相、显微组织形貌和电学性能的影响.结果表明同族元素Ca、Sr的互相替代,Bi...  相似文献   
45.
VO2薄膜制备及掺杂研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
二氧化钒(VO2)是一种性能优异的功能材料,在68℃左右发生金属态-半导体态的转变,其光学和电学性能发生突变,在热电开关、光存储介质和激光防护方面有广泛的应用前景。但是由于钒氧体系十分复杂,给制备高质量的VO2带来了困难。人们做了许多工作来研究VO2的结构性能,使用不同的工艺方法制备VO2以及通过掺杂降低其相变温度。本文通过一些有代表性的VO2的研究成果,从制备工艺和元素掺杂方面做了介绍。  相似文献   
46.
采用溶胶一凝胶法和固相反应法制备Bi2Sr2CO2Oy热电陶瓷。用XRD,SEM等表征技术研究了样品的物相及显微组织形貌;采用标准四探针法测试样品的电学性能。结果表明:样品为单相,组织均匀,为层片状结构,且具有明显的c轴择优取向。样品的电阻率-温度关系图显示,采用溶胶-凝胶法制备的样品在测试的温度范围内均表现了金属导电的特性,而采用固相反应法制备的样品的电子输运性质存在着半导体特性向金属特性的转变。  相似文献   
47.
采用全自动热膨胀相变仪、光学显微镜、透射电镜、高分辨电镜及能谱分析和力学万能试验机等手段,研究含W的Cr15型超级马氏体不锈钢经淬火+回火后的微观组织和力学性能.结果表明,淬火+回火后的微观组织为回火马氏体及分布在马氏体基体中的逆变奥氏体两相组织,形成的逆变奥氏体与马氏体板条符合K-S关系.在基体上弥散析出的纳米级金属化合物Laves相以及富铜相ε-Cu起到强化作用.该钢具有优良的力学性能,洛氏硬度为26~36,抗拉强度为895~1 009 MPa,延伸率为17%~21%.  相似文献   
48.
以硅粉为原料,Fe和尿素作为添加剂,用直接氮化法制备氮化硅。经XRD和SEM分析,结果表明:在1350℃/10h的氮化条件下,所制备的Si3N4以α相为主,颗粒尺寸大约在1.8~4.5μm范围,平均尺寸为3.3μm。添加剂Fe和尿素对硅粉的氮化有一定的促进作用。  相似文献   
49.
采用磁控溅射法在玻璃基底上制备出一层特殊结构的Ti膜,该钛膜经过电化学阳极氧化和退火工艺处理,可直接在玻璃基底表面形成一层具有高光催化活性的透明TiO_2纳米多孔涂层(简称TNP涂层)。利用XRD和SEM对TNP涂层的结构和形貌特征进行了表征。利用紫外可见分光光度计、接触角测试仪以及划痕测试仪对该涂层的透光率、浸润性、结合力进行了测试。最后,通过降解亚甲基蓝溶液对该涂层的光催化活性进行了评价。结果表明:制备的TNP涂层具有疏松多孔结构,退火后可形成锐钛矿相,透光率在可见光范围内达到80%以上,表面具有超亲水性(接触角6°),与玻璃基底间的结合力为2.9N;2h内对浓度为1×10-5 mol/L的亚甲基蓝溶液降解率可达到94%,光催化反应速率常数为1.47h-1。  相似文献   
50.
在不同球磨机上合成TiC粉末的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用三种球磨机,对Ti和C粉末进行室温下合成TiC的研究进行了分析。结果表明:用MA法可以在比较短的时间内合成TiC粉末,它的合成机理为机械碰撞诱发自蔓延反应。比较三种球磨机,高能式球磨机效率最高,应用高能式反应球磨可以得到颗粒平均大小为5.641nm,并且具有10nm左右的纳米晶粒的TiC,通过球磨工艺可以使该反应过程在室温进行。  相似文献   
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