Synthesis of TiB_2 TiC by mechanical alloying

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＴｉＢ2 ａｎｄＴｉＣａｒｅｂｏｔｈｓｔａｂｌｅｃｏｍｐｏｕｎｄｓｗｉｔｈｃｅｒｔａｉｎｏｆｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｓｏｆｍｅｔａｌｓ (ｌｕｓｔｅｒ,ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉ ｔｙ ,ｅｔｃ) .Ｔｈｅｙｈａｖｅｅｘｔｒａｏｒｄｉｎａｒｙｈａｒｄｎｅｓｓ ,ｅｘｃｅｌ ｌｅｎｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｔｏａｂｒａｓｉｏｎａｎｄｅｒｏｓｉｏｎ ,ｓｏｔｈｅｙａｒｅｖｅｒｙｕｓｅｆｕｌｎｏｎ ｏｘｉｄｅｃｅｒａｍｉｃ .Ｔｈｅｙａｒｅｏｆｔｅｎｕｔｉｌｉｚｅｄｔｏｆａｂｒｉｃａｔｅｃｅｒａｍｉｃ …     

热电材料综述

摘要：论述了Co系氧化物热电材料的结构特征和热电特性。阐述了提高热电材料热电特性的途径以及热电材料在温差发电和制冷方面的应用,提出了氧化物热电材料必将成为材料研究亮点的观点。     

热处理工艺对超级马氏体钢逆变奥氏体的影响

 试验采用光学显微镜、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）及能谱分析（EDS）等手段,研究不同铬含量的超级马氏体不锈钢在相同热处理工艺下逆变奥氏体含量、组织形貌及生长规律的异同。结果表明,13Cr和15Cr两试验钢经淬火＋回火后的显微组织为回火马氏体和逆变奥氏体,两试验钢中逆变奥氏体含量及尺寸均随着回火温度升高先增加再减小,且在650～700 ℃时达到最大。两试验钢内的逆变奥氏体在回溶过程中会对基体组织产生细化作用。通过对比发现,15Cr钢中的逆变奥氏体含量更多,尺寸更大,回溶时对基体的细化作用更明显。     

自蔓延高温合成制备TiB2

采用Ｔｉ和Ｂ粉压坯，用电焊机作燃烧合成时的点火装置，利用燃烧合成方法制备ＴｉＢ２。用ＸＲＤ、ＳＥＭ技术对合成产物进行结构、组织分析。结果表明，用燃烧合成法在４５７．０℃～８５６．１℃之间可制备得到ＴｉＢ２。用自蔓延高温合成（ＳＨＳ）制备ＴｉＢ２粉末，其粒度可达１～５μｍ。     

无机sol-gel法制备二氧化钒薄膜的研究

采用无机sol-gel法,以分析纯V2O5为原料,在Si衬底、玻璃衬底上空气中加热制备了V2O5薄膜,在不同温度下真空退火,得到了具有择优取向的VO2薄膜。研究了其制备工艺和显微结构。结果表明:在玻璃衬底和硅衬底上薄膜的最佳真空退火工艺均为480℃/2h。所制备的VO2薄膜具有沿<110>晶向生长的择优取向。薄膜表面形貌良好,颗粒尺寸分布均匀。     

TiO_2纳米孔到纳米管结构转变的因素及其机理研究

通过中频脉冲磁控溅射的方法,在玻璃基底上沉积得到了表面均匀性好、致密度高的钛薄膜。在NH4F/乙二醇+H2O电解液体系中对该钛膜进行电化学阳极氧化。结果表明:30V恒电压下,当NH4F浓度从0.5%(质量分数,下同)增加到1%时,阳极氧化后形成的TiO2膜层逐渐从纳米孔结构转变成纳米管结构;当NH4F浓度低于0.75%时,随阳极氧化电压的增加,形成的TiO2膜层不会出现从纳米孔到纳米管结构的转变。     

机械合金化制备Cu/TiC材料的研究

在高能球磨机中用两种方法合成Cu／TiC材料，方法一：将配好的Ti和C原子比为1：l的粉末放入氩气保护下的球磨机中球磨不同时间后，再将铜粉末加入一起球磨不同的时间；方法二：将不同比例的铜、钛、碳粉末一起加入氩气保护下的球磨机中球磨不同时间。将球磨得到的粉末进行烧结。应用X射线衍射、电子显微镜等分析了它们的微观结构，发现方法一可得到较细小的第二相强化颗粒TiC。     

形核长大机制与恒温相变动力学时间指数

深入分析考虑了相变形率及晶核长大速率与时间的关系,提出了长大维数的概念,由此导出了恒温相变动力学时间指数与形核长大机制的对应关系,并由此提出了由实测相变时间数量级推测相变形核长大机制的方法。     

常压下制备氮化硅陶瓷材料的研究

研究了以硅粉为原料，以碳粉、氧化铝和氧化钇作添加剂，在常压下，采用反应烧结工艺制备氮化硅陶瓷。结果表明：在1380℃下，加入2%Al2O3 8%Y2O3，在氮气气氛中可得到以B—Si3N4为主的氮化硅陶瓷。