利用石英尾泥配料生产水泥熟料的实践

利用汉中地区石英尾泥参与配料生产熟料,这不仅有利于环境保护,更有助于尾泥在水泥行业中的资源综合利用。生产实践表明,石英尾泥与粉煤灰全部替代黏土配料后,生料易烧性得到了改善,熟料质量有所提升,各主要性能基本没有变化,完全可以稳定生产优质低碱熟料,同时生料磨、窑电耗、煤耗略有下降,综合经济效益显著。     

X射线荧光分析仪生料曲线的改进及修正实践应用

粉末压片法在X-荧光分析仪生料样品制备中以其高效率、低成本为水泥企业普遍采用,但由于物料细度、矿物结构的影响,检测结果会存在一定偏差。加之原料性质发生较大变化时,仪器检验结果经常不准确,影响生料质量控制。通过改进生料工作曲线的建立方法、结合影响仪器检验的主要因素,不断修正工作曲线,能够取得较好效果。     

2维复式正方晶格结构的完全带隙研究

为了获得较大的完全带隙,采用平面波展开法对2维光子晶体的带隙结构进行计算,通过栅格结构连接方形硅介质柱对正方晶格的带隙结构进行优化。在适当调整介质柱宽度和栅格宽度后,所构成的复式结构获得了较大的完全带隙。结果表明,在正方晶格结构的情况下,只有方形硅介质柱且其宽度为0.5a(a为晶格常数)时,仅存在TE模的带隙;只有同周期硅介质栅格结构且栅格宽度为0.22a时,仅存在TM模的带隙;复式结构的情况下,适当调整介质柱宽度w和栅格宽度d,在w=0.5a和d=0.05a时,可以获得较大的完全带隙,其宽度为0.0417ωe(ωe为中心频率);在w不变时,随着d的变化,在0.04a～0.11a出现完全带隙;在d不变时,随着w的变化,在0.42a～0.76a出现完全带隙;在4～36的范围内调整介电常数,在8.41～36之间能够出现不同宽度的完全带隙。这些结果对2维光子晶体的制作和应用是很有帮助的。     

DMX1060型X射线荧光分析仪日常使用的注意事项

我公司有一台英国牛津公司生产的MDX1060型8通道X射线荧光分析仪,从2002年投入使用以来,因操作、维护使用经验不足出现多次故障。现将处理异常故障的方法和经验介绍如下。1 P10气体更换换气前先关闭总压力阀,再关闭二次减压阀,最后将P10管道接头从旧气瓶出气管处取下来安装到     

可控震源低频信号激发技术的最新进展

常规可控震源扫描信号的低频极限频率普遍在6Hz左右,低频可控震源是指能够用于激发信号的最低频率低于5Hz的可控震源。低频信号由于其所具有的波长属性,具备了对一些高速地质体良好的穿透性、其频带宽度对地质目标分辨率与信噪比的改善具有重要的意义,目前只有可控震源可以很好地满足未来地震勘探的激发需要,因此,低频可控震源成为制约低频地震勘探的重要因素。目前研究人员初步解决了制约低频信号激发的一系列问题,使KZ-28LF成功地实现了井下3Hz信号的激发。     

PowerFlex700s变频器在炭素生产线升级改造中的应用

针对炭素生产线中交流变频器运用较为广泛,而变频器技术的发展与运用日新月异,炭素生产线中变频器需要进行更新换代和技术升级改造。本文以AB公司PowerFlex700s变频器替代AB公司1336E变频器的运用实例进行分析,具体对AB公司PowerFlex700s变频器的运用、调试和参数设置进行探讨,以便提高变频器技术在设备升级改造中的运用。     

单片集成长波长光接收机

介绍了利用InGaAs 长波长金属-半导体-金属(MSM)光探测器与InAlAs/InGaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等,解决了工艺兼容性问题,实现了2.5Gb/s传输速率下功能正确的单片集成长波长光接收机样品.     

偏离经济工况运行汽轮机性能改善方法

本文分析了偏离经济工况运行的汽轮机效率降低的原因,提出了改善汽轮机运行效率的方法,通过计算和实际运行的数据表明这种改造有显著的节能效果。     

WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中,实现了最大跨导约为56mS/mm,阈值电压为3.5V。与p型HFET的－3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。     

中波-长波双色量子阱红外探测器

采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/cm2;-3V偏压、80K温度下MWIR和LWIR QWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2V偏压、65K温度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探测率分别为1.4×1011、6×1010cm.Hz1/2/W。