用高岭土制备混凝土膨胀剂的初步研究

通过对高岭土、石膏和氧化钙组成的净浆试体水化产物的SEM形貌观察,研究其膨胀组分的水化产物的形貌及其生成机理和影响因素.研究表明:早期水化产物以起膨胀作用的钙矾石为主,含少量C-S-H凝胶,两者生长速度快.水化1 d时即生成大量针状钙矾石和C-S-H凝胶;2 d时钙矾石呈棒状、条状或团簇结构,C-S-H凝胶出现少量网络状;3 d后条状、棒状钙矾石变粗、体积增大,C-S-H凝胶小网络之间互相交错形成大网络结构.     

长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制

介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。     

AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性

介绍了AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径:基于湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测试并分析.在温度小于40 K时,随着温度的改变暗电流没有明显的变化;当温度大于40 K时,暗电流随着温度的升高迅速变大,正、负偏压下QWIP暗电流具有不对称特性.     

GaAsHBT直接耦合微波单片集成电路

叙述了基于ＧａＡｓ ＨＢＴ的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括２．５Ｇｂ／ｓ跨阻放大器、３ＧＨｚ可级联放大器和１０Ｇｂ／ｓ跨阻放大器的设计、制造和测试结果。     

传感器测控系统实验仪

采用市场上容易获得的称重传感器、位移传感器、热电偶、霍尔传感器等传感器构成测控实验系统,对重量、位移、温度和转速等物理量进行测试、监控和显示。硬件部分包括各传感器信号调理电路模块以及由AD574A,89C52,8255A等构成的主板模块。由于采用模块化设计,使用灵活,且很容易增加测量传感器的种类。系统稳定,操作简便,能有效地培养学生的实践动手能力和工程应用能力。     

以创先争优推进企业党风廉政建设初探

新时期,加强党风廉政建设是加强党的执政能力建设、保持共产党员先进性的需要,是巩固党的执政地位的重要保证。创先争优活动作为巩固和拓展党的先进性建设成果的重要举措,是新形势下党的先进性建设的具体延伸。在企业党风廉政建设中,如何有机地结合创先争优活动,提高基层党组织和广大党员的生机活力,保持和发扬党的先进性,有效促进企业各项工作的顺利进行,是企业面临的新课题。一、提高认识明确创先争优与党风廉政建设的内在联系创先争优活动为党风廉政建设构筑牢固的组织基础。     

InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.     

InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发，利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构，比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果，为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.     

InGaAs（InAIAs）／InP和InP／InAIAs湿法选择腐蚀研究

介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs（InAlAs）／InP和InP／InAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果，重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择腐蚀，用HCl：H3PO4：CH3COOH系列腐蚀液，InP／InAlAs选择比大于300。InP／InAlAs湿法选择腐蚀的结果可以很好应用到OEIC芯片制作中，并取得了较好的器件及电路结果。     

井下粉尘统计参数对粉尘检测的影响

引入归一化粒度分布函数ｆ（ｒ）来描述井下粉尘的统计分布，运用光学理论和统计方法研究了由ｆ（ｒ）决定的统计参数对透射光损耗和散射光的影响，进而得出了ｆ（ｒ）对粉尘检测结果影响的一般数学模型。分析表明，靠散射光与透射损耗无法独立提取ｆ（ｒ）的信息，只有衍射光，其场分布与ｆ（ｒ）有一一对应的关系．此结果为建立新的粉尘检测方法、研制高精度的井下粉尘传感器提供了理论依据。