六极潜油电机定转子绕组的研究

因潜油电机工作空间狭小,使得设计六极潜油电机十分困难,特别是确定定转子槽数及绕组的形式。通过运用电机绕组设计理论,确定定子槽数,并绘出定子穿线图,进而确定合理的定转子槽数配合,并在文中对分数槽绕组在六极潜油电机上的应用做一探讨。     

Na_2ZrF_6掺杂硅烷膜的成膜过程及其耐腐蚀性能研究

为了提高钢材表面硅烷膜的耐腐蚀性,在硅烷液中加入Na_2ZrF_6,在40Cr钢表面制备了掺杂Na_2ZrF_6的硅烷膜。采用电化学法和失重法分析了Na_2ZrF_6掺杂硅烷膜的耐蚀性,采用光学显微镜和扫描电镜观察掺杂硅烷膜的形貌,采用傅立叶红外光谱仪分析了Na_2ZrF_6掺杂硅烷液的特征峰,采用X射线光电子能谱仪分析了掺杂硅烷膜的元素价态及结合能;研究了Na_2ZrF_6掺杂对硅烷成膜性及耐蚀性能的影响。结果表明:硅烷液中Na_2ZrF_6的添加量为0.001 mol/L时,40Cr钢表面的掺杂硅烷膜性能最好;Na_2ZrF_6掺杂硅烷膜表面致密,其表面存在一些微小球状颗粒,且存在掺杂的Zr元素;掺杂硅烷膜能够有效提高40Cr钢的耐腐蚀性;掺杂硅烷膜以表面的Zr元素形成的化合物来阻碍阳极活性区溶解,提高了40Cr钢的耐蚀性。     

CeO2/SiO2复合磨粒合成与表征

以SiO2溶胶作内核,分别以(NH4)2Ce(NO3)6、CO(NH2)2混合溶液与Ce(NO3)3·6H2O、HMT混合溶液作壳层前驱体,均相沉淀工艺制备了两种不同的CeO2/SiO2复合磨粒.利用XRD、TEM和FF-IR对比了两种磨粒的物相组成、纳米形貌和化学结构,并对包覆机理进行了解释;结果表明:以(NH4)2Ce(NO3)6、CO(NH2)2为原料制备的CeO2/SiO2复合磨粒包覆程度低;以Ce(NO3)3·6H2O、HMT为原料制备的CeO2/SiO2复合磨粒为壳-核包覆结构完整的纳米微球,粒径约110 nm,核层为无定形SiO2,壳层为立方萤石型CeO2颗粒,CeO2壳层与SiO2内核之间存在Si-O-Ce化学键,形成了稳定的壳核结构.     

氧化石墨烯改性碳纤维增强磷酸盐涂层的摩擦学性能研究

着眼于改善磷酸盐粘结涂层的摩擦学性能,探究了改性碳纤维应用于涂层的可行性。通过电泳沉积法将氧化石墨烯(GO)接枝到碳纤维(CF)表面,并采用刮涂-热固法制备了磷酸盐陶瓷涂层;采用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪分别表征了CF-GO样品的表面形貌和分子结构,通过摩擦磨损试验机考察了CF-GO含量对涂层摩擦学性能的影响。结果表明：含CF-GO的涂层摩擦学性能显著优于含未处理CF的涂层;随着CF-GO含量的增加,磷酸盐粘结涂层的摩擦系数和磨损率均呈现出先降低后增加的变化;与未添加CF的涂层相比,含10%(质量分数)CF-GO的涂层表现出优异的摩擦学性能,对应的平均摩擦系数和磨损率分别降低了50%和38%。这表明适量的CF-GO能够改善其涂层的摩擦学性能,可为新型磷酸盐涂层研发和工程应用提供较好的参考。     

7003铝合金CMP后表面SiO2纳米颗粒清洗研究

通过在弱酸环境的水溶液条件下加入非离子表面活性剂辛基苯基聚氧乙烯醚,缓蚀剂焦磷酸二氢二钠和苯并三氮唑(BTA),并结合超声波的湿化学清洗方法,对化学机械抛光(CMP)后的7003铝合金表面的清洗进行了研究.利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对清洗前后铝合金表面形貌进行对比分析.研究结果表明,辛基苯基聚氧乙烯醚能够保持颗粒和表面之间处于容易清洗的物理吸附状态,结合超声波协同作用可以对铝合金表面残留的SiO2颗粒进行有效的清洗.在一定范围内随着活性剂质量分数的递增,表面清洗效果逐渐改善,当质量分数为2%时,表面残留的SiO2颗粒基本被清洗干净,得到最优表面且未发生腐蚀现象.清洗后表面形成活性剂保护层,防止了颗粒的再次吸附.     

A4钢表面碳纳米管增强胶黏陶瓷涂层的制备与耐磨性能

为提高溶胶凝胶陶瓷涂层的耐磨性,提高涂层对金属材料的磨损保护,采用溶胶凝胶技术在A4钢表面制备了碳纳米管增强陶瓷涂层,用扫描电镜(SEM)表征了陶瓷涂层的表面和截面形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了普通陶瓷涂层和含碳纳米管的陶瓷涂层的组分,并测试了不同碳纳米管含量的陶瓷涂层的耐磨性能。结果表明:制得的陶瓷涂层表面形貌致密,陶瓷涂层与金属基体之间相互咬合;添加碳纳米管的涂层组分中未生成其他含碳物质,即碳纳米管未参与固化反应;碳纳米管的添加提升了涂层的耐磨性能,且当碳纳米管的含量为0.3%时,涂层具有最佳的耐磨性。     

CMP过程芯片表面氧化膜生成速度影响因素的分析

根据理论和试验分析,将机械化学抛光(CMP)过程分成两个阶段:化学作用主导阶段和机械作用主导阶段,并从机械作用角度导出CMP过程两个阶段芯片表面材料去除率的数学模型,模型全面地考虑了抛光盘特性参数(弹性模量、硬度、表面粗糙度峰的尺寸分布)、CMP工作参数(压力和抛光速度)、抛光液中磨粒的机械作用和氧化剂种类、氧化剂浓度等化学作用的影响。然后根据这两个阶段的平衡点导出定量描述芯片表面氧化膜生成速度的数学模型。详细分析机械作用因素(磨粒的浓度、磨粒的粒度分布特性)、化学作用因素(抛光液中氧化剂种类、浓度)以及磨粒/芯片/抛光盘的材料特性参数对芯片表面氧化膜生成速度的影响规律。该CMP过程芯片表面氧化膜生成速度定量模型的导出,对进一步深入研究CMP材料去除机理和更加准确地控制CMP过程,具有一定的指导作用。     

等离子弧表面淬火钢件的摩擦特性及耐蚀性

采用等离子弧表面淬火方法对45#钢和38CrMoA lA合金结构钢进行表面硬化处理,硬化深度分别为0.311和0.388 mm。在球-盘式摩擦磨损实验机上研究不同速度和载荷条件下,上述两种钢件的摩擦磨损特性。采用SEM观测磨损后涂层的表面形貌,探讨涂层的摩擦磨损机制。研究发现:38CrMoA lA硬化层表面硬度比45#钢高,且淬硬带无明显的硬度梯度;38CrMoA lA的磨损率低于45#钢,且随载荷和速度的增加而增加;不同载荷条件下,磨粒磨损、塑性流动和黏着磨损控制摩擦过程;38CrMoA lA的耐蚀性优于45#钢。