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31.
为维护消费者的合法权益,解决消费者最关心、最现实的质量问题,树立质监系统便民、利民、为民的良好形象,3月11日上午,甘肃省质监局在兰州东方红广场举办了主题为“提升质量安全整体水平,促进经济转型跨越发展”的“2012年3.15大型宣传服务活动”。 相似文献
32.
传统的曲线拟合方法大部分是基于Manab或者C语言来实现,本文提出了一种基于Vedlog的曲线拟合的验证方法,将软件算法甩硬件语言来实现,并与实测压力传感器数据相结合。验证了该方法的可行性。 相似文献
33.
针对传统卷积神经网络(CNN)模型存在大量冗余参数的问题,提出了两个基于SqueezeNet核心结构Fire模块的轻量级网络模型Fnet1和Fnet2。之后结合移动端分布式数据采集和处理的特点,在Fnet2模型基础上,依据Dempster-Shafer(D-S)证据理论将Fnet2与深度神经网络(DNN)融合,提出新的网络模型FnetDNN。首先,建立一个具有四层卷积层的神经网络Cent作为基准,以梅尔倒谱系数(MFCC)作为特征输入来对比分析Fnet1、Fnet2和Cent的网络结构特点、计算量、卷积核参数数量及识别准确率,结论是Fnet1仅使用Cnet参数数量的10.3%就可达到86.7%的分类准确率;然后,将MFCC与全局特征向量输入到FnetDNN模型中,使得该模型的识别准确率提高到了94.4%。实验结果表明,Fnet网络模型不仅可以压缩冗余参数,还可以与其他网络相融合,具备模型扩展能力。 相似文献
34.
压力传感器温度漂移补偿的RBF网络模型 总被引:6,自引:2,他引:6
压力传感器在实际应用中普遍存在着温度漂移现象,这降低了传感器的测量精度,因此需要采取适当的补偿措施对传感器的温度附加误差进行修正,从而提高测量的准确性.本文针对在压力传感器电路中采用温度硬件补偿措施成本较高且精度不高的情况,建立了RBF网络软件补偿模型.RBF网络具有良好的非线性映射能力和泛化能力,采用带遗忘因子的梯度下降算法进行RBF网络的参数调整,实验表明RBF算法学习速度快,精度高.对实验中采集的数据进行非线性补偿,取得了良好的效果,大大提高了压力传感器的性能和测量精度. 相似文献
35.
高性能的数据压缩可以有效的减少数据对存储空间和通信带宽的要求,降低通信成本。为解决图像数据的高压缩性能问题,本文提出了基于JPEG2000标准的数据压缩系统的FPGA实现方案。相对于软件算法实现和其他硬件方法,采用FPGA硬件实现可降低系统复杂度提高性能。最终设计的IP核具有资源占用少,性能良好和便于扩展等优点,能够满足通信传输和照相设备等应用需求。 相似文献
36.
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si(111)衬底上制备了Bi_(0.975)La_(0.025)Fe_(0.975)Ni_(0.025)O_3(BLFNO)铁电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及其压电模式(PFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电畴结构进行了研究。研究发现,BLFNO为结晶良好的钙钛矿结构多晶薄膜,且薄膜表面颗粒生长均匀。PFM测试图显示铁电薄膜在自发极化下的铁电畴结构清晰,铁电电容器具有良好的铁电性能。应用铁电测试仪对Pt/BLFNO/Pt电容器进行测量,得到了饱和性良好的电滞回线。在828kV/cm的外加电场下,Pt/BLFNO/Pt电容器的剩余极化强度为74.3μC/cm~2,表明La、Ni的共掺杂没有明显抑制铁电电容器的剩余极化强度,铁电电容器具有良好的铁电性能。漏电流研究结果表明,La、Ni元素的共掺杂有效降低了薄膜的漏电流密度,在277.8kV/cm外加电场下漏电流密度在10-4 A/cm2量级,明显小于纯BFO薄膜的漏电流密度。正半支漏电流曲线满足SCLC导电机制,对于负半支曲线,当电场强度大于22.2kV/cm时,同样遵循SCLC导电机制;但是,当电场强度小于22.2kV/cm时,曲线斜率约为4.8,表明参与导电贡献的电子数较多,归因于极浅陷阱俘获的电子在外加电场作用下参与了导电行为。室温下磁滞回线测试结果表明BLFNO薄膜具有反铁磁性质。 相似文献
37.
遥感图像在环境监测、军事侦察等多方面有着广泛应用,然而遥感图像包含信息量大,对其进行压缩来提高存储效率具有重要意义.传统分形编码由于压缩比大的特点被广泛应用到遥感图像压缩中,但是传统分形编码存在压缩时间太长的问题.提出提升小波变换与改进分形结合的压缩方法,把提升小波变换后的低频分量进行基于最小方差搜索法的分形压缩.实验结果表明,提升小波变换与改进的分形结合的压缩方法与小波变换与分形结合的压缩方法相比,在峰值信噪比保持在35 dB不变的情况下,压缩时间大约可以缩短8倍,图像压缩比也有提高. 相似文献
38.
针对目前国内RFIC发展比较滞后的现状,设计了3款应用于GNSS接收机的基于0.5μm SiGe HBT工艺的混频器(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ),并采用针对混频器的优良指数FOM(figure—of-merit)对这3个混频器进行结构和综合性能比较。3款混频器的供电电压为3-3V,本振LO输入功率为-10dBm,其消耗总电流、转换增益、噪声系数、1dB增益压缩点依次为:Ⅰ)8.7mA,15dB,4.1dB,-17dBm;Ⅱ)8.4mA,10dB,4.6dB,-10dBm;Ⅲ)5.4mA,11dB,4.9dB,-10dBm。而3款混频器的FOM分别为-57.8、-56.6、-54.3,表明混频器Ⅲ的综合性能最佳,混频器Ⅱ次之,最后为混频器Ⅰ。 相似文献
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40.