Er~(3+),Yb~(3+)掺杂氟氧化物微晶玻璃上转换发光的研究

测量了 Er3+掺杂氟氧化物微晶玻璃、Er3+ ,Yb3+掺杂氟氧化物微晶玻璃退火前后 3种样品的吸收光谱、激发光谱、上转换发光光谱及其强度随泵浦光强的变化 ,对比讨论了其上转换发光特性     

980 nm半导体激光器激发下Er~(3+),Yb~(3+)共掺杂氟氧化物微晶玻璃的上转换发光

测量了Ｅｒ３＋,Ｙｂ３＋掺杂氟氧化物微晶玻璃的吸收光谱、激发光谱、上转换发光光谱及其强度随泵浦光强的变化,讨论了其上转换发光特性．     

基于叠层结构的本体异质结有机太阳电池

研究了叠层结构的本体异质结有机太阳电池,下层电池由共轭聚合物（MEH-PPV）作为光敏层,上层电池由共轭聚合物（1VIEDPPV）和ZnO纳米颗粒（50nm）组成光敏层。器件结构为ITO／PEDOT：PSS／MEHPPV／Ag／MEH-PPV：ZnO／Al。与单层有机太阳电池（ITO／PEDOT：PSS／MEH-PPV／Al）相比,叠层结构的开路电压Voc是单层电池的3．7倍,短路电流Jsc是单层电池的1．6倍。     

Dependence of Temperature on Upconversion Emission of YLiF4∶Er3+

Intense upconversion emissions of YLiF4∶Er3+ synthesized by hydrothermal method were obtained. The upconversion intensity decreases with the increase of environment temperature. In different temperature, the upconversion mechanism is different. At room temperature, the green upconversion mechanism is the combination of two-photon process and three-photon process, and the red upconversion mechanism is two-photon process.     

稀土离子上转换发光的研究

综述了上转换发光材料、发光机制中的一些物理问题及影响发光效率的因素，并介质了当前的研究现状。     

Dependence of Temperature on Upconversion Emission of YLiF4 ：Er3 ＋

Intense upconversion emissions of YLiF4 : Er3 synthesized by hydrothermal method were obtained. The upconversion intensity decreases with the increase of environment temperature. In different temperature, the upconversion mechanism is different. At room temperature, the green upconversion meehanism is the combination of two-photon process and three-photon process, and the red upconversion mechanism is two-nhoton process.     

二氢吲哚染料敏化TiO2太阳电池的特性研究

将一种新型纯有机二氢吲哚染料D102(C37H30N2O3S2)用于敏化纳米晶TiO2太阳电池,未经任何优化时电池参数为:JSC=8.65mA/cm2,VOC=0.63V,总光电转换效率可达3.47%;经过紫外照射10min处理,同样测试条件下电池的短路电流达到11.31mA/cm2,效率为3.99%.同时,通过紫外照射前后染料的最高占据轨道能级和最低空轨道、电池的光电导等的研究,讨论了电流大幅度提高的原因.     

双栅酞菁铜有机薄膜晶体管

有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件。为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善。文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5V,场效应迁移率0.025cm2/V.s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高。     

多晶硅太阳电池预处理及退火工艺研究

在沉积氮化硅薄膜之前采用氨气电离出氢等离子体,先对硅片进行氢等离子体预处理,通过数值分析和实验方法分别研究预处理时间、功率、温度、压力等各参数对钝化效果以及电学性能的影响。在预处理温度450℃,时间200s,射频功率4000W,气体压强200Pa,氨气流量4000sccm/min时,短路电流提高约4%。采用等离子体增强型的化学气相沉积(PECVD)法,在电池表面镀上一层氮化硅膜,实验证实氢等离子体会透过氮化硅进入到硅基体内,从而使少子寿命提高约5μs。低温退火实验表明,430~440℃为最优温度,随时间的增加,短路电流有明显提升。     

利用多掺杂体系制备白色OLED的研究

利用PVK、Eu(aspirin)3phen稀土配合物和Alq3共掺杂体系,制备了PVK:Eu(aspirin)3phen:Alq3为发光层、结构为ITO/PVK:Eu(aspirin)3phen:Alq3/BCP/Alq3/Al的有机发光二极管显示器件(OLED).保持PVK和Eu(aspirin)3phen的质量比为5∶1不变,改变PVK和Alq3的质量比,当PVK和Alq3的质量比为10∶1,得到了效果较好的白光,在电压为16 V时,器件色坐标达到(0.32,0.31),亮度为150 cd/m2.分析了掺杂体系中的能量传递过程以及器件的电致发光(EL)机理.