烯基琥珀酸酐(ASA)双键异构体结构的解析研究

针对目前通过ene反应制备烯基琥珀酸酐(ASA)所遇到的双键迁移后位置不确定的问题,利用油酸作原料合成并分离了烯基琥珀酸酐(ASA)-甲酯中含量最多的两个异构体化合物,之后采用臭氧化的方法对其中一个异构体的双键进行切断,并使用了核磁共振、质谱对产物结构进行了表征,从而逆推出了烯基琥珀酸酐(ASA)-甲酯中一个主要异构体的结构,为ASA的深度研究提供了结构上的有力支持。     

Ti6Al4V表面增强CrN和TiN薄膜

目的 研究表面增强氮化铬(CrN)和氮化钛(TiN)薄膜与Ti6Al4V(TC4)基体的适应性。方法 采用热丝增强等离子体磁控溅射技术,通过改变热丝放电电流,在TC4合金表面制备CrN、TiN薄膜。采用扫描电子显微镜、X–射线衍射仪、纳米压痕仪、洛氏硬度计和摩擦磨损测试仪分别表征薄膜的组织形貌、成分、相结构、内应力、纳米硬度、弹性模量及耐磨性。结果 随着热丝放电电流从0 A增加至32 A,等离子体密度增大,薄膜表面形貌由较疏松的四棱锥形转变成致密球形,截面柱状晶排列更加致密;薄膜择优取向从低应变能的(111)取向转变为低表面能的(200)取向;无热丝放电时TiN薄膜内应力高于CrN薄膜,随着热丝放电电流的增大,TiN薄膜内应力逐渐低于CrN薄膜;并且随着热丝放电电流的增大,薄膜的弹性模量与硬度均增大,但相同试验条件下CrN薄膜的弹性模量与硬度均低于TiN薄膜;压痕检测结果表明,薄膜与基体结合完好;低载荷摩擦磨损检测结果表明,硬度及弹性模量较高的TiN薄膜磨损量最低。结论 在相同等离子体密度能量轰击下,硬度和弹性模量较高的TiN薄膜内应力增幅较小;低载荷磨损时,弹性模量及硬度较高、内应力较低的TiN薄膜更适用于Ti6Al4V基体的增强改性。     

做人的底线不能太低

有一个服装裁剪师给一个御史大夫量衣服,问道:“大人当御史多少年了?”御史说:“这与做朝服有关系吗?”裁剪师答道:“据我观察,做官刚上任时,一般趾高气扬,以为自己真的了不起,于是挺胸腆肚,装腔作势,因此朝服要做得前长后短;两三年后,意气渐平,觉得自己当了官,在别人眼里并不是什么了不起的事,于是便老实     

三峡二期帷幕灌浆施工工艺初探

三峡工程坝基中陡倾角网络状细微裂隙发育，可灌性较差。针对施工过程中出现的异常现象对高压小口径灌浆工艺与成果分析进行初步探讨。     

航母编队防空舰阵位配置优化研究

针对航母编队防空舰阵位配置问题的复杂性和重要性,提出一种航母编队防空舰阵位配置优化方法。根据防空舰部署距离、拦截扇区大小、拦截扇区内空袭目标概率函数,构建描述防空舰防空作战能力的防护条件下航母可生存概率函数,通过将防空舰配置问题转化为二维平面内防空扇区配置问题,建立一个航母编队防空舰配置优化模型,并通过仿真实验,对不同作战目标情况下模型的可行性进行验证。仿真结果表明:该模型具备有效性和可行性,可为提升航母编队防空舰作战能力提供参考。     

国外反辐射导弹发展现状分析

详细介绍了美国、俄罗斯、德国等军事强国现役或在研的反辐射导弹的发展历程和发展现状。在此基础上,对反辐射导弹未来的发展趋势、技术特点进行了分析,最后总结了其它国家发展反辐射导弹的初步思路。     

密封胶对差厚不锈钢板电阻点焊接头的影响

以板厚差异明显（板厚比接近7∶1）的301L不锈钢板组合为研究对象,系统研究了密封胶对电阻点焊可焊性、熔核形貌、力学性能和生产因素的影响规律。研究结果表明,密封胶受热分解过程可以改变电流密度分布,进而影响熔核直径和熔透深度,使得可接受电流范围发生变化。此外,密封胶的引入对焊点间距设计基本无影响,对板材间隙尺寸也表现出较好的容忍度。     

混合工质摩尔配比对LNG绕管式换热器壳侧换热特性的影响

为了明确混合工质摩尔配比对LNG绕管式换热器壳侧换热特性的影响,开展了乙烷/丙烷二元混合工质两相流体在壳侧的换热特性试验研究。其中,乙烷与丙烷摩尔配比分别为10:90、30:70与60:40,干度工况范围为0.2~1.0,质流密度为40~80 kg/(m~2·s),热流密度为6 kW/m~2。试验结果表明:对于乙烷/丙烷二元混合工质,当干度小于0.7时,换热系数随乙烷摩尔分数的增加而减小;在干度大于0.7时,换热系数随乙烷摩尔分数的增加而增大。     

井下蓝牙通信系统的构建

矿井移动通信是矿井现代化的重要组成部分．可将各种井下流动作业人员进行有效组织;对事故可及时报警和组织抢救等。因此,矿山井下移动通信系统对于提高矿井自动化程度,加强安全防护等有着重要的意义。     

SiC MOSFET驱动与保护电路设计

介绍了SiC MOSFET驱动电路的设计要求,基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路。该电路具有驱动能力强、响应迅速和多种保护等优势。另外,针对SiC MOSFET开关过程中存在的瞬态电压尖峰和振荡问题,分析了SiC MOSFET开关过程中产生过电压和振荡的机理,并在此基础上提出一种RC吸收电路参数的计算方法。实验结果表明利用该方法设计的RC吸收电路能够有效解决SiC MOSFET在开关过程中的过电压和振荡问题﹐从硬件电路上有效降低开关噪声,从而保护功率器件。