平行磁场对电沉积镍铁合金显微组织的影响

针对0T～12T平行强磁场下电沉积镍铁膜的微观形貌、晶体取向和成分进行了比较和分析.研究发现无磁场时样品以树枝晶形式由基片向外生长,而强磁场下样品的二次枝晶生长受到抑制,主轴逐渐细化,主轴间距逐渐减小,12 T磁场下,样品的二次枝晶退化为小的胞状晶,且主轴呈现出断裂趋势;强磁场下的电沉积样品晶体发生了择优取向;匀强磁场中磁致对流对镍铁合金膜的成分没有影响,梯度磁场中梯度磁化力使镀层铁含量提高.     

10T平行强磁场下Ni-纳米Al2O3复合共沉积的研究

将Ni-纳米Al2O3复合电镀过程移置于10T平行强磁场（B∥J）中，探讨了有无平行强磁场条件下电流密度对镀层形貌及镀层中纳米颗粒含量的影响规律。结果表明，在10T平行强磁场下，氧化铝颗粒在复合镀层中呈网格状分布，并且网格的尺寸随着电流密度的增加而增加；电流密度显著影响镀层中纳米氧化铝的含量，不论是否施加磁场，当电流密度为2A·dm^-2时镀层中颗粒含量最高。施加强磁场时，可使镀层在低电流密度下获得较高的纳米颗粒含量。     

水冷坩埚悬浮熔炼中悬浮力的研究

采用专门设计的悬浮力测定装置,研究了材料的电阻率,电源频率、金属半球位置和感应线圈位置等因素对悬浮力的影响,得出了各因素对浮力的影响规律。     

镍离子注入对Al2O3陶瓷机械性能的改善

离子注入工艺是一种新兴的束流表面强化技术,离子注入陶瓷材料可改变陶瓷材料的表面硬度、表面断裂韧度、抗弯强度等机械性能.本文在不同工艺条件下,观察Al-2O-3陶瓷表面注入镍离子后机械性能的变化,发现最佳注入离子剂量5×1016ioncm-2时机械性能有很大改善.结合应力分析,发现陶瓷表面压应力对机械性能的改善有很大贡献.     

Theoretical and experimental analysis of continuous casting with soft-conta cted mould

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＴｈｅｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｃａｓｔｉｎｇｗｉｔｈｓｏｆｔｃｏｎｔａｃｔｅｄｍｏｕｌｄｉｓａｒｅｃｅｎｔｌｙｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒｎｅａｒｎｅｔｓｈａｐｅｂｉｌｌｅｔｏｆｓｔｅｅｌａｎｄ(ｏｒ)ｏｔｈｅｒｈｅａｖｙｍｅｔａｌｓ[1,2].Ｉｔｉｓｗｅｌｌｋｎｏｗｎｔｈａｔｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｃａｓｔｉｎｇｗｉｔｈｏｕｔｍｏｕｌｄ(ＥＭＣ)ｆｏｒａｌｕｍｉｎｕｍａｎｄｏｔｈｅｒｌｉｇｈｔｍｅｔａｌｓｈａｓｂｅｅｎａｐｐｌｉｅｄｅ…     

强磁场下电磁振荡对Al-Si过共晶合金凝固中初生硅分布和形貌的影响

研究了强磁场与交变电流复合作用产生的振荡对Al-18%Si合金中初生硅分布和形貌的影响规律.结果表明,磁场强度较小时,初生硅发生偏聚现象;随着磁场强度的增大(10 T),初生硅的偏聚现象逐渐减小至消失,并且随着振荡力的增大,初生硅由星瓣状向板条状和近颗粒状转变.同时,分析了初生硅的迁移行为,发现磁场下颗粒迁移的终端速度随颗粒尺寸的减小以及磁场强度的增大而降低.理论分析与实验结果相符.     

单斜仲钨酸铵慢速热分解过程的研究

通过差热分析仪和激光粒度分析仪对单斜仲钨酸铵(APT)以3℃/min进行热分解的试验结果分析可以得出,如要制备细颗粒氧化钨,在0℃到131.4℃时升温速度要慢,在238.0℃到297.1℃时升温速度要快。如要制备粗粒氧化钨,则反之亦然。     

强磁场对Bi-Mn合金MnBi相形态的影响

研究了强磁场对Bi-Mn合金MnBi相形态的影响,发现在10T的磁场下,在一定温度范围内顺磁相MnBi转变为铁磁相并由一个晶体分裂为许多沿磁场方向取向和聚合的小晶体.并从磁场诱发应变的角度上分析了磁场对相变温度和MnBi相形态的影响.     

电磁连铸对黄铜凝固组织和性能的影响

实验研究电磁连铸在黄铜半连铸生产中的应用,及其对铜坯凝固组织、力学性能、物理性能的影响.H96和H65黄铜圆坯电磁连铸生产实验的结果表明,电磁连铸使铜液的流动增强,有利于熔池中温度的均匀化,实现了晶核数目的增值,表现在铸坯组织的细化和等轴晶范围与比率上升,铸坯密度增大,力学性能和导电率提高.     

拉速对12英寸单晶硅点缺陷分布影响的动态模拟仿真研究

半导体单晶生长过程中伴随大量的空穴性和间隙性本征点缺陷,这些本征缺陷在单晶生长过程中随着晶体温度的降低不断复合或湮灭形成纳米级空洞型或位错、层错等缺陷,会对硅片质量及后续的器件性能产生严重影响。利用计算机模拟仿真技术对12英寸半导体直拉单晶硅生长过程的传热及点缺陷进行了动态模拟仿真计算。动态仿真计算过程中分别采用了恒定及连续变化的拉速,以研究单晶直拉速度对点缺陷分布的影响。研究结果表明,生长速度较快时,晶体内部主要以空穴性点缺陷为主;当生长速度逐步降低,晶体内部空穴性缺陷区域逐渐缩小;通过合适的拉速控制及V/G理论,使用点缺陷动态模拟仿真计算可为生长特定点缺陷分布甚至无点缺陷硅单晶工艺提供有效依据。