薄膜晶体Si太阳电池的潜力

如果效率和成本这两个“目标”能够达到，薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段]     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]     

汇报《六届会》筹备工作 聆听理事长当面教诲——学会谌立新秘书长专程飞抵泉城拜会蒋民华院士

(记者卢利平龙斌聂尊誉)2007年10月底,《第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛》的筹备工作进入了关键性的“决战“阶段,因会议将于下月15～19日在湖北武汉隆重召开。为确保会议取得圆满成功,中国仪表功能材料学会秘书长、《六届会》秘书处秘书长谌立新高工与学会顾问、《六届会》秘书处顾问杨亲民教授一行两人于10月29日深夜11:50专程飞抵济南机场,并于次日上午赴山东大学拜会了世界知名的晶体材料科学家、工程专家、     

封面人物

陈立泉男，1940年3月出生，四川南充人。1964年毕业于中国科学技术大学，同年被分配到中国科学院物理研究所工作至今。1976～1978年赴西德马普学会固体研究所进修，合作研究固体锂电池电解质。[第一段]     

博士生导师 李宁教授

李宁 男，1957年10月出生，四川成都人，中共党员。1977年考入华中工学院铸造专业，1982年以优异成绩毕业，获学士学位；随后留校进行硕士研究生学习，以及特种合金方面的研究和开发工作。[第一段]     

聚苯醚磺酸锂／共聚醚复合物的离子导电性研究

合成了３种不同磺化度的聚苯醚磺酸锂（ＳＰＰＯＬｉ）与Ｐ（ＭＥＯ１６－ＡＭ）／ＳＰＰＯＬｉ复合物。研究了复合物的离子导电性与磺化度，组成比及增塑剂含量的关系。含４０％（ｍａｓｓ）增塑剂的复合物具有单离子导电特征，锂离子迁移数高达０．９７，室温电导率达２×１０－５Ｓ／ｃｍ。     

接通率与经济效益的关系

利用基本呼叫模型，从分析重复试呼入手，定量分析了接通率与经济效益的关系。