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31.
邢益荣 《半导体学报》1994,15(2):136-138
我们的ＬＥＥＤ实验结果发现：偏离（１１２）约４°的Ｓｔ（３３７）表面，在超高真空中经Ｘｅ离子轰击并加～８００℃退火后，呈现较清晰的（１×１）结构．在同样条件下，Ｓｉ（１１２）表面没有产生好的ＬＥＥＤ图样，从而预料：Ｓｉ（３３７）可能是异质外延ＧａＡｓ和ＧａＰ等极性化台物半导体的好衬底．  相似文献   
32.
邢益荣 《半导体学报》1986,7(1):106-108
LEED分析、氧气吸附和表面偶极子的研究结果表明,Si(113)可能是适合于生长半导体异质结外延的晶面.  相似文献   
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