扫描电镜电子背散射衍射系统的研制

背散射电子衍射装置在扫描电镜中用于研究大块样品中各种大小晶粒的晶体结构和晶粒间的取向关系。这一技术扩展了扫描电镜的应用范围,是八十年代末兴起的一种新技术,用该技术可以做以下几方面的工作:1)测量研究晶体材料的晶体结构,测量晶粒的取向和晶粒间的取向关系;2)研究晶体材料(如半导体材料)中微缺陷和微夹杂的结构;3)研究第二相和基体取向的关系。九十年代英国、美国和丹麦生产出电子背散射衍射装置可以直接配备在扫描电镜上[1-4],但由于价格昂贵,不可能大量的采用和普遍使用。为此北京有色金属研究总院对现有扫描电镜进行了改造,自行…     

Study on Epitaxial YBa_2Cu_3O_（7－x） Thin Film Deposited on （1120） Sapphire with YSZ Buffer Layer

ＳｔｕｄｙｏｎＥｐｉｔａｘｉａｌＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－ｘ）ＴｈｉｎＦｉｌｍＤｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎ（１１2０）ＳａｐｐｈｉｒｅｗｉｔｈＹＳＺＢｕｆｆｅｒＬａｙｅｒＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ（刘安生），ＳｈａｏＢｅｉｌｉｎｇ（邵贝羚），ＣｈｅｎＬａｎｆｅｎｇ...     

P－MOSFET的TEM研究

Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最大缺点就是电流驱动能力弱。为此，人...     

洛伦兹显微术及Sm－Co基合金磁畴研究

介绍了用于磁畴观察的散焦和移动光栏法的洛伦兹技术，并且用这种技术观察了永磁材料Ｓｍ（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿７中的畴壁。研究表明，峰时效的Ｓｍ（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿７合金磁畸宽度在几百纳米到几微米之间，其畴壁的走向沿Ｓｍ＿２（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿１７（２：１７）相边界，即沿着１：５相，而经８５０℃、１０ｈ的过时效处理后，在２：１７相的基体上１：５相生长成较大的条块状。此时，畴壁的走向不再沿１：５相，畴结构与其组织没有明显的对应关系。     

Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析

为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(U HVCVD) Si/Si Ge- OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发现此多层结构中存在6 0°位错和堆垛层错.结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对6 0°位错组态的形成和存在原因进行了分析.在具有帽层结构的Si1 - x Gex 应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错,验证了Gosling等人的理论预测结果     

透射电镜用掺杂钨丝薄膜试样制备的新方法

掺杂钨丝组织和结构的直接观察,关键是在于如何制备出可供透射电镜观察用的合格的试样。本文总结了作者的经验,介绍了几种制备直径为6.5～0.15毫米钨丝试样的方法。这些方法的原理,对于其他金属丝材,也很有参考价值。