射频溅射法镀LD腔面光学薄膜的工艺研究

介绍了用普通多靶射频溅射台镀半导体激光器腔面光学膜的工艺方法,给出了实验的工艺条件、采用的光学膜的材料以及具体的工艺参数,讨论了此方法镀光学膜的结果以及优点。     

新型室温工作微机械红外探测器

提出一种基于特殊红外吸收机理和先进微机械加工技术实现的新型室温工作红外探测器.利用在特定波段对红外辐射有强烈吸收的气体作为吸收红外辐射的媒质,采用微机械加工方法制作带有弹性敏感薄膜的微气室和微电容检测结构将吸收的红外辐射能量转换为弹性薄膜的机械形变引起电容变化并通过电学方法检测,从而实现灵敏而快速的室温红外探测器件,尤其在8～14μm有良好的应用前景.     

SiGe/Si HBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响

研究了SiGe/Si HBT基区B杂质的偏析和外扩散对器件的影响.发现用MBE生长的SiGe基区中,在材料生长时B杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变器件的低温性能.采用数值计算分析了B杂质的上述行为与在发射结产生的寄生势垒的关系,解释了器件温度特性的实验结果.并根据计算模拟和实验,讨论了SiGe隔离层的作用和优化的厚度.     

不同形状台面的AIGaAs湿氮氧化规律研究

详细研究了凸形、凹形与条形台面的A1GaAs湿氮氧化规律。对三种形状的台面分别进行氧化长度的观察测试，发现凸形、条形及凹形台面的氧化速率顺次下降，且随氧化时间的加长，差距明显增大。运用氧化动力学方法分析，是由于不同形状台面内的氧化剂浓度及氧化剂扩散速率不同引起；并推导得出台面形状、尺寸与氧化速率的对应关系。所推导的氧化规律模拟曲线与实验数据基本吻合。进一步指出当台尺寸较小时，由于氧化剂在气相传送中也受到了限制，凹形台面氧化速率的实验值与理论值会出现较大偏差。     

SiGe／Si HBT及逆向制造方法

叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法。     

射频磁控溅射腔面镀膜半导体激光器的可靠性

利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀 Si O2 膜 ,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验 ,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善。器件平均输出功率提高了 49.8% ,平均阈值电流下降了 7% ,平均斜率效率提高了 5 0 % ,而且射频磁控溅射方法所镀的膜具有粘附性好、膜层致密、厚度易控制、稳定性好、成本低等优点 ,器件的可靠性也有明显提高。     

650纳米谐振腔发光二极管外延生长及性能研究

采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长了波长为650nm的谐振腔发光二极管（RCLED）。为提高界面生长质量,降低压降,采用AlGaInP材料系制作上DBRs。利用光致发光谱（PL）与电致发光谱（EL）研究了其发光特性。得到的器件在20mA注入电流下光功率平均为0.5mW,压降2.2V,光谱半峰宽（FWHM）约10nm。     

微透镜光纤在半导体激光器中的应用研究

对几种典型的半导体激光器与光纤的耦合特性进行分析,提出提高耦合效率所采用的微透镜光纤的结构.介绍熔拉型、化学蚀刻型、研磨抛光型、切削型、自聚焦光纤型和铸模型等微透镜光纤的制作原理和工艺以及目前达到的指标,并对各种形式的透镜光纤进行了评价.提出了提高耦合效率和失调容差、降低插损的新思路.     

Thin film AlGaInP light emitting diodes with different reflectors

The reflectivity versus incident angle of a GaP/Au reflector,a GaP/SiO_2/Au triple ODR(omni-directional reflector) and a GaP/ITO/Au triple ODR was calculated.Compared to AlGaInP LEDs with a GaAs absorbing substrate, thin film LEDs with a Au reflector,a SiO_2 ODR and an ITO ODR were fabricated.At a current of 20 mA,the optical output power of four samples was respectively 1.04,1.14,2.53 and 2.15 mW.The Au diffusion in the annealing process reduces the reflectivity of the Au/GaP reflector to 9%.The differe...     

一种新型全方位反射AlGaInP薄膜发光二极管

提出了一种新型全方位反射A1GalnP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去除GaAs衬底,制作薄AuGeNi电极,粗化,生长ITO,制作厚AuGeNi电极,合金则形成ODR薄膜LED结构.300μm×300μm管芯裸装在TO-18金属管座上,在20mA的电流驱动下,测得电压为2.2V,光强达到195mcd,光功率达到3.78mW,比常规吸收衬底LED提高3.6倍.