一种优化设计的高频高压电力半导体器件

介绍一种优化设计的静电屏蔽晶体管（ＧＡＴ）的结构、工作原理。通过采用网格版图设计，加场限环，使器件具有更好的高耐压、高频率、快速开关和宽的安全工作区等良好性能。     

氢敏钯栅MOSFET的设计理论与性能分析

<正> 一、前言 半导体器件对周围环境具有高度灵敏性,过去大多数工作致力于降低这种敏感性以提高半导体器件的可靠性。近些年来,也开始研究利用这种敏感性。其中一个重要成果是用钯作栅金属的N沟金属——氧化物——半导体场效应晶体管(以下简称Pd—MOSFET)。这种晶体管的开启电压随器件周围气氛中氢气的浓度而变化,可以用来检测气体中的氢气含量。这种检测方法具有灵敏度高、快速、定量、选择     

红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析

设计和制备了λ＝680nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器. 制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°. 未镀膜4m深腐蚀器件的功率可达10mW, 斜率效率为0.4W/A,峰值波长为681nm,峰值半宽为0.5nm. 不同腔长器件的特性显示器件的内损耗为4.27/cm,内量子效率达45%. 对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120～190K.     

基区复合对nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi晶体管共射极电流增益的影响

采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对nSi/pSi1-xGex/nSi应变基区异质结双极晶体管(HBT)共射极电流放大系数β的影响,给出了Si1-xGexHBT的Gummel图、平衡能带图.得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起β下降的主要因素,并给出了减小基区复合电流的Ge分布形式.     

GaN基蓝光大功率发光二极管的研制

采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm)。其光学参数：总辐射功率143．19mW,光通量8．861m,发光效率7．291m/W,峰值波长462nm,半峰全宽24nm;其电学参数：正向电压3．47V、正向电流350mA。对相关工艺进行了简要讨论。     

AlGaAs湿法氧化的热稳定性研究

文中针对AlGaAs湿法氧化后器件热稳定性变差,导致性能下降的问题进行了研究。对不同氧化条件下样品的热稳定性进行了比较,证明采用降低炉温、延长氧化时间以及经过预加热处理等方法可以有效提高器件的热稳定性。利用拉曼谱分析了AlGaAs湿法氧化技术中影响热稳定性的因素,认为器件的热稳定性在一定程度上取决于湿法氧化生成物中挥发性产物含量的多少。     

GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

用 GSMBE法生长了 Si/ Si Ge/ Si异质结构材料 .采用双台面结构制造了 Si Ge/ Si NPN异质结晶体管 .在发射结条宽为 4μm,面积为 4μm× 1 8μm的条件下 ,其共发射极直流放大倍数为 75,截止频率为 2 0 GHz.给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺     

Novel Type of Wide-Bandwidth GaAs/AIGaAs Infrared Photodetectors

A novel asymmetrical GaAs/AlGaAs photoconductance infrared detector based on the new idea proposed in this paper has been developed,which uses the intersubband transition within the same conduction (valence) band due to infrared radiation. The detectors with two wells or six wells grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) system are fabricated by etching a mesa size of 200tμm ×200μm. Evident infrared absorption on the wavelength from 5 to 10μm has been observed for two samples,so has the peak of negative differential conductance. It is demonstrated that the photocurrent together with the signal-to-noise ratio increases with the number of the wells, but have nothing to do with the increase of the noise current under the same electric field,i, e.,the voltage drops per period,as is different from the conventional GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors (QWIPs). The noise current is one order's magnitude lower than that of the conventional GaAs/AlGaAs QWIPs. It is anticipated that the photocurrent and detector performances can be improved further by increasing the number of wells and optimizing the structural parameters.     

SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射

通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系     

新型红外探测器可动薄膜微腔的腐蚀工艺研究

基于气体直接吸收机理、微机械技术实现的气动红外探测器是对中远波段实现室温探测的新型红外探测器。该探测器的关键结构———微气腔和可动薄膜的腐蚀工艺研究对整个器件的制作有重要意义。根据探测器结构提出了对腐蚀工艺的要求,采用EPW湿法腐蚀的工艺,通过实验研究器件结构制作的最佳腐蚀条件和腐蚀速度,保证了工艺的可控性和器件结构的质量。