真空开关电弧电子温度诊断的实验研究

金属蒸气等离子体是真空开关电弧的基本状态,为了实现对其等离子体电子温度诊断,提高真空开关的工作性能,本文提出了基于光学方法真空开关电弧电子温度诊断技术,阐述了二比色测温的基本原理,建立了真空开关电弧实验装置及相应的CCD光学图像采集系统。利用该实验系统得到了不同波长下的电弧图像,运用MATLAB经过图像处理得到真空电弧的灰度等值曲线,形象地表达了温度场的分布;通过计算得到了电子温度在不同电流下沿着径向的分布。试验结果表明:(1)在电弧电流为8.91kA时,电子温度最高可达3.42eV;(2)电子温度沿着径向不断的降低。     

真空电弧涂镀TiN膜中宏观颗粒的电镜分析

用扫描电镜分析了真空电弧沉积ＴｉＮ膜中宏观颗粒的形态，并对观察结果给出了理论解释。电镜分析表明，ＴｉＮ膜中ＭＰ的形态与其粒径有关，粒径大的呈椭球形，粒径小的呈圆球形；ＭＰ与膜层之间有微小孔隙。理论分析表明，形成ＭＰ的液滴在飞行中温度降低的幅度是决定其形态的主要因素。     

真空开关截流测试装置

本文介绍了真空开关截流值测试主回路和单片检测系统的设计原理，并阐述本装置的基本功能。     

Windows 2K平台下多机通信卡及其驱动程序的开发

在工业现场，监控系统经常采用RS－485／423／422通信标准。然而，在Windows2K平台下，复杂的多机通信和大数据量的传输会加重计算机的负担。作者采用自制的多机通信卡解决了这一问题。本文介绍了Windows2K平台下多机通信的基本原理，论述了多机通信卡的设计方法，进一步阐述了驱动程序设计的一般原则。     

罗氏线圈电子式电流互感器积分特性研究

为降低电子式电流互感器(ECT)的暂态误差、提高稳态电流的测量准确度,提出了一种应用于罗氏线圈ECT信号采集系统的压频变换器模数混合积分器(VFC-ADI)方法。对罗氏线圈输出信号进行压频数值转换,由脉冲计数器完成数值计数,微处理器对计数值处理后得出被测电流的积分波形。选取VFC芯片AD7742进行仿真分析,仿真结果显示VFC-ADI方法能准确地反映一次侧暂态电流波形。对罗氏线圈ECT暂态故障电流及稳态电流进行试验测试,结果表明VFC-ADI方法能准确反映暂态故障电流特征;对于稳态电流测试,比差的变化范围为-0.15%~0.15%,角差的变化范围为-1′~1.5′,其输出值完全满足0.2 s级基本准确度测试要求。VFC-ADI方法在模数转换过程中实现了积分功能,数据处理结果表明其更接近于理想积分器。     

真空直流强迫过零开断过充特性

为研究过充对真空直流强迫过零开断的影响,基于永磁–斥力混合式快速机构和转移强迫过零开断方法,在合成回路试验系统中进行了真空小电流直流开断试验。通过搭建隔离式弧后电流测量装置及介质恢复强度测量装置,研究了过充条件下的截流电流、弧后电流及弧后介质恢复强度,得到了过充电压与前述3者之间的影响关系。研究结果表明:截流电流、弧后电流以及弧后介质恢复强度均随过充电压增大,换流频率对截流值和弧后电流的影响大于过充电压的影响,起主导作用。过充电压达到一定值后,出现第一过零点开断失败现象,在该文试验条件下,过充电压应控制在可开断成功的临界换流电容电压的4倍以内。     

基于网损灵敏度二阶指标的电压稳定概率评估

大多数电力系统电压稳定评估主要采用的是确定性的分析方法.简要介绍了概率的分析方法在进行电力系统电压稳定分析中的应用,提出了一种以蒙特卡罗法和网损灵敏度二阶指标确定电压稳定负荷裕度相结合的方法,同时引入两个概率指标--电压崩溃概率指标和电压崩溃点负荷水平期望值.采用该方法对重载下的AEP30节点系统进行了电压崩溃的概率评估,并侧重于分析负荷的随机特性对负荷水平(电压崩溃点)的影响,以及输电线断线的概率评估和相应减小电压崩溃概率的措施比较.     

大功率超级电容器的实验研究

在储能电容器中,双电层电容器的储能密度特别高,但其内电阻大,且元件的输出电压低。笔者对双电层电容器的单元结构进行了改进,电气性能有了明显地提高,元件电压可达400 V(0.7 F)、储能密度达4 J/cm3,经试验测得其内电阻较小,可以满足大电流放电的要求。提出了一种电路拓扑解决电容器的极性问题,使之能够进行交流放电,从而拓宽了它的应用领域。     

双单片机控制电力专用UPS的研究

对常规UPS在电力系统使用的局限性进行了比较分析 ,提出了一种新的电力专用UPS。该UPS以C5 0 8和P89C5 1RD2单片机为控制核心 ,采用SPWM控制方式和IPM智能功率模块。着重介绍了该UPS的工作原理以及硬件与软件设计     

真空灭弧室冲击电压作用下的击穿统计特性研究

本文实验研究了高压代灭弧室在冲击电太作用下的击穿统计特性，实验结果表明，击穿电压的统计分布满足威尔统计分布律，击穿事件的发生只有在电场应力达到一定值后才有可以，引入击穿弱点的概念，从微观角度对该统计性质作了深入的说明，同时还测量５０％击穿电压Ｖ５０随电极开距ｄ的变化，通过最小二乘法得出Ｖ５０∝√ｄ，说明此时灭弧室中的周穿过程主要由同微粒作用引发的。