电力变压器和高压断路器状态监测技术的发展与现状综述

状态监测在电力系统电气设备的故障诊断和智能决策领域受到了越来越多的关注,本文以电力变压器、断路器为例阐述了状态监测技术的发展和现状,介绍了状态监测系统的组成,讨论了电气设备实行状态监测过程中存在的问题并对发展前景提出看法。     

合成回路试验电流引入可靠性的研究

阐述了影响合成试验成功的关键技术问题,采用光隔、单片机等技术实现了合成回路各开关时序以及电流引入时间的准确控制,提高了合成试验可靠性和成功率,并开发了单片机数据采集和合成回路试验控制系统.     

新型双钳口接地电阻在线测量仪

对常用的几种接地电阻测量仪器例如传统的“摇表”以及单钳口接地电阻测量仪等进行了比较分析，指出了它们在使用中的缺点。设计了一种新的双钳口接地电阻在线测量仪,该仪器以C8051F006单片机为控制核心，采用交流变频测量法，实现了接地电阻的准确在线测量，而且不需要辅助地极和断开设备接地线。着重介绍了该仪器的工作原理以及硬软件设计。现场使用表明，该仪器具有成本低、测量精度高、抗干扰能力强、功耗低及自动化程度高等优点，能够完全替代同类进口产品。     

触发真空开关初始离子体的产生和扩展

简单介绍了触发真空开关（ＴＶＳ）的基本结构和工作原理，对初始等离子体的产生和扩展所涉及的物理过程进行了详细地分析，说明了等离子体的扩展过程实际上是近阴极区等离子体鞘层的增长过程，给出了起动时延和导通过延与触发结构和触发特性参数间的关系。     

高性能大功率触发真空开关的研究

本文首先说明了触发真空开关的基本工作原理，分析了ＴＶＳ中的基础等离子体过程，特别是初始等离子体的产生和扩展过程。对几种新型ＴＶＳ的结构和性能做了详细介绍。     

The jointing stress analysis of one-shot seal-off high-voltage vacuum interrupters

The free shrinkage of ceramic or metal is restricted due to solidification of the solder. Hence the shrinkage stress arises and the jointing strength is reduced during the brazing of high-voltage vacuum interrupters （HVVIs）. The solder bound contour was gained by solved energy bound equation. The finite element model of weld beads was established with Surface Evolver software. Then the stress in two different cooling techniques （ natural cooling and force cooling） was calculated with ANSYS. Comparing the stress, a better cooling technique was selected for HVVIs. Its cooling time is shortened by 3 hours while the jointing stress doesn＇ t increase and the tensile strength of ceramic to metal seal is not decreased. The stress-rupture tests have validated the calculated results. More important, a method is found, by which the brazing technique could be improved in advance instead of blind experiments.     

大功率纵磁场真空断路器的大电流加速电寿命试验的研究

通过对国产10kV/630A/20kA真空断路器实际电寿命试验以及大电流开断试验,研究了大功率纵磁场真空断路器采用大电流加速电寿命试验方法的可行性,试验及理论分析表明,对于纵磁场真空断路器采用大电流加速电寿命试验不仅方法可行,而且还能由短路电流分断次数推算出等效额定电流下的操作次数来。     

三相快速恒流充电系统的实现

为了实现在1s内对50kV,32μF高压脉冲电容器组进行快速充电,充电系统采用了三相L-C谐振恒流充电方式。实验结果表明:这种方式能够实现高电压、大容量电容器组的快速充电。同时,给出了设计及调试过程中应该注意的问题。     

薄膜厚度测量技术

随着各种表面沉积技术(PVD、CVD)日益广泛地应用于微电子、光学及超导薄膜沉积等微细加工领域,膜厚在10—10~2nm范围内的薄膜厚度测量技术也不断得到发展。本文系统地描述了各种测量技术的原理、属性及测量方法,并对其测量精度及适用范围进行了比较。