排序方式: 共有131条查询结果,搜索用时 0 毫秒
71.
72.
采用凝胶注模法制备SiC预制件用于无压熔渗液态铝合金实现60~67 vol%SiCp/Al复合材料的近净成形制备,研究了碳化硅颗粒级配及热处理对复合材料力学和热学性能的影响.结果表明:不同粒度的SiC粉体在铝基体中分布均匀,无明显偏聚现象;采用较细的SiC颗粒级配和退火处理都能有效提高复合材料强度;粗颗粒级配能增大SiC在复合材料中的体积分数,有利于导热性能的提高和热膨胀系数的降低;SiCp/Al复合材料抗弯强度介于240~365 MPa,室温时热导率介于122~175 W·m-1·℃-1.之间,室温至250℃的平均线热膨胀系数小于7.5×10-6℃-1,满足电子封装的性能要求. 相似文献
73.
SiC粉体化学镀铜工艺研究 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了SiC粉体的敏化、活化及其碱性化学镀铜的工艺配方。分别对镀液稳定性的影响因素和各工艺条件对镀速的影响进行了研究。结果表明,SiC粉体颗粒越细、镀液pH增大、温度升高,都容易导致镀液分解;增加甲醛含量,可以提高镀速,但是镀液稳定性下降;适宜的络合剂,可以提高镀层质量,保持镀液稳定,但络合剂含量增加,镀速降低。得出了最佳的工艺条件:φ(甲醛)10~20mL/L,ρ(络合剂)50~70g/L,温度15~35℃,pH12.5~13。碱性化学镀铜后的SiC-Cu复合粉体及其于1050℃热处理后的X-射线衍射分析表明,镀层中含Cu、SiC和Cu2O,且Cu呈结晶态;铜镀层在高温下与SiC粉体能够较好共存,无脱落现象。扫描电镜照片显示,SiC-Cu复合粉体分散性良好,镀层表面平滑、均匀,并有细小的金属胞状颗粒随机堆积而成。 相似文献
74.
75.
76.
本文以硅溶胶为粘结剂,采用粉末冶金工艺制备SiC预制件,探讨煅烧温度以及引入钠离子对预制件强度、氧化增重和SiO2总含量的影响.结果表明:硅溶胶含量为1.55%~3.88%的SiC预制件在空气中高温煅烧时的氧化增重随温度的升高而增大,与硅溶胶的含量无关.当煅烧温度在1 050℃以上时才能获得足够的强度,此时预制件中SiO2的总含量不低于4.61%.当硅溶胶中引入钠离子(模数为2.5~20),可将SiC预制件的煅烧温度降至750~850℃,SiC的氧化增重随煅烧温度的升高和钠离子含量的增加而增大;预制件获得足够强度对应的SiO2的总含量降至1.35%. 相似文献
77.
78.
结构陶瓷氧化反应裂纹愈合动力学研究(Ⅲ)模型验证与修正: Al2O3-SiC W陶瓷裂纹愈合动力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
Al2O3-SiCw材料通过在高温下发生氧化反应,生成物所引起的体积膨胀对裂纹处的填充迁移,使裂纹产生愈合现象.动力学分析表明, Al2O3-SiCw材料裂纹愈合速度为 ,强度恢复由下式计算 ,与 Al2O3-TiCp材料相比,增加了一个填充项F,从物理意义上分析,F是除裂纹面外对裂纹愈合有利的填充面积当量,就Al2O3-SiCw材料而言,F与裂纹面上晶须桥联及晶须露头面积及裂纹周边反应物能够对裂纹处进行填充的面积有关. 1200℃保温时F值约为9.94×10-8m2. 相似文献
79.
80.
使用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)研究了Ti50C50元素混合粉在机械合金化过程中的结构演变以及热处理对粉体结构的影响,讨论了TiC机械合金化合成机制。研究结果表明,机械合金化合成TiC遵循逐渐扩散反应机制,反应首先形成纳米晶Ti(C)粉体,球磨10h析出TiC,随着球磨过程的进行,TiC的量逐渐增多,品格常数增加,晶粒尺寸降低。球磨80h后,粉体主要由纳米晶TiC构成,晶粒尺寸6nm,但仍有少量的Ti(C)剩余。热处理促进残余的Ti(C)转变成TiC,同时导致TiC粉体晶粒生长,晶粒尺寸增大,晶格畸变程度降低,有序度提高。 相似文献