Neutronic Comparison of Tritium－Breeding Performance of Candidate Tritium－Breeding Materials

Tritium self-sustainment, which will meet the fuel requirement of fusion reactor, is one of the key issues of fusion power development. The tritium breeding performances of various tritium-breeding materials are compared based on a series of neutronics calculations using three-dimensional Monte Carlo neutron-photon transport code MCNP/4C with the IAEA FENDL-2 data library. The effects of the dimensions of the tritium-breeding zone and the enrichment of 6Li on Tritium Breeding Ratio (TBR) are analyzed. The effects of Be as a neutron multiplier on TBR are also calculated.     

高校图书馆思想政治教育职能的特点与发挥

浅析了高校图书馆思想政治教育职能的特点与对策，并就如何有效地履行这一职能以及履行这一职能的根本保证等方面阐明了作者的观点。     

电脑烧烤VCD全过程

今天突然接到一份邮包,打开之后发现是一张其貌不扬的光盘,反正我也正无聊,于是放到电脑中看了起来……啊!太意外了,这竟然是一张小学好友从英国邮寄回来的DVD光盘,更不可思议的是里面竟然是他的生活照片!于是我想到了一个问题,他是如何将自己的照片刻录到DVD中,并且还能够直接     

后冰箱时代:比谁更招人喜欢——2003年榕城家用冰箱产品消费行为调查

冰箱从诞生到现在已经79年了。在过去的这半个多世纪里,越来越多的人享受着冰箱带给自己生活的巨大便利,冰箱也已成为现代家庭生活中不可或缺的一员。据统计,2001年城镇每百户居民冰箱拥有量已达到了82.6台,省会城市每百户居民的拥有量已经超过90台。     

硝酸铀酰光化还原的研究

本文的目的是探讨光化还原制备硝酸钠(Ⅳ)。研制了一个与硝酸钠酰的吸收光谱匹配较好的金属卤化物灯——镓灯作为激发光源,在不另加滤光器的条件下,对几种还原剂的还原能力作了比较,并对乙醇作还原剂时,硝酸浓度、乙醇浓度、初始铀酰离子浓度以及温度等因素对光化还原铀(Ⅵ)到铀(Ⅳ)的还原率的影响进行了研究。     

稀土对Fe-36Ni因瓦合金凝固组织和铸态热塑性的影响

通过真空感应炉和Gleeble—3800热模拟试验机研究了稀土对Fe-36Ni因瓦合金凝固组织和铸态热塑性的影响。结果表明:添加0.12%Ce+0.06%La混合稀土后,合金凝固组织显著细化,柱状晶变细变短,生长形态由直线状生长变为网篮状交错生长,等轴晶比例达40%。但添加0.12%Ce+0.06%La混合稀土后,合金在850~1 200℃温度区间的铸态热塑性严重恶化,这主要是由于在晶界上生成了大量Fe-Ni-Ce-La稀土晶间脆性相,削弱了晶界结合力,阻止了晶界移动,以致合金热塑性的恶化。     

基于全数字摄影测量工作站城市大比例尺测图方法研究

在介绍GEOWAY全数字摄影测量工作站(DPS)系统及其立体影像数据特点的基础上,给出了影像立体模型的构建原理与方法、立体测图等测绘产品生产的一体化处理流程.以桂林市航空摄影测量数字测图为例,对测绘城市大比例尺地形图的生产流程、测图环境、施测方法、精度要求及图形表达做了整体分析.最后得出桂林市正射影像与线化图叠加成果,以及利用GEOWAY DPS测图的优点和操作时存在的问题.     

U-47700中毒的法医学研究进展

U-47700是一种选择性μ-阿片受体激动剂,由于它比海洛因、吗啡具有更强的兴奋、致幻、麻醉等效果,常作为替代品出现在世界各地的娱乐毒品市场上,被列为新型精神活性物质（NPS）。过量的U-47700会抑制中枢神经系统,严重者可致死亡。死亡方式多为意外中毒和自杀,他杀较少见。近年来U-47700滥用导致中毒死亡的法医学案件发生率逐年攀升,但国内鲜有报道。本文通过对U-47700的理化性质、代谢、中毒概况和机制以及法医学检验方面进行简要概述,以期丰富读者了解,为日后相关工作提供参考。     

光刻胶树脂结构与性能技术进展

光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节,被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶,每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现,从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF光刻技术再到EUV光刻技术等,与之相应的光刻胶也不尽相同。