开拓前进的35年

今年七月,是西安电力电容器厂建厂35周年和正式投产30周年的日子,全厂职工满怀喜悦的心情和以为用户生产更多优质产品的实际行动来迎接她,纪念她。 35年,开拓前进的35年。艰苦创业,乐于奉献,这是我厂职工35年来形成的光荣传统。我厂是我国第一个五年计划期间苏联援建的156项重点工程之一。50年代初,一群群从祖国四面八方云集古城西安的青年男女,怀着对祖国社会主义经济建设事业的满腔热忱,用     

基于神经网络混沌加密算法的专用芯片设计

根据一种基于神经网络混沌加密算法所提出的对称密钥密码方案,设计了一种安全实用的加解密专用芯片。该芯片是采用VHDL语言设计的,并用FPGAs实现。文中主要介绍该加解密专用芯片的设计原理和方法。     

图像拼接方法及其关键技术研究

图像拼接是图像处理技术的一个重要内容,是一种将多张有衔接重叠的图像拼成一张高分辨率全景图像的技术。该技术广泛应用于显微图像分析、数字视频、运动分析、医学图像处理、虚拟现实技术和遥感图像处理等领域。文中阐述了图像拼接技术的一般问题及其难点,介绍了图像拼接技术发展过程中几种主要的图像拼接方法,重点分析了近几年提出的角点检测及尺度不变特征转换的方法,通过编程实现来讨论这些方法的优缺点,并给出实验的结果。     

基于Chebyshev混沌扩谱序列的MC-CDMA系统的峰均功率比研究

峰均功率比(PAPR)是多载波码分多址 (MC-CDMA)系统的一个重要指标, OFDM多载波调制技术虽然可以提高MC-CDMA系统的数据传输率和抗干扰能力, 但是在系统的峰均功率比方面则存在着亟待解决的问题。本文利用Chebyshev混沌扩谱序列的伪随机、非周期、数量大和良好的相关特性,作为MC-CDMA系统上行信道的扩谱序列,以改善输出信号的峰均功率比。分析和仿真结果表明在保持较低多址接入干扰的同时,还可以大大降低发射信号的峰均功率比。     

一种带高阶温度补偿的片内时钟振荡器设计

本文基于0.18μm CMOS工艺,设计了一款适用于片上系统SoC的无需晶振的片内12MHz时钟信号产生电路。利用高阶温度补偿方案,该时钟振荡器能在较宽的温度范围内实现振荡频率的高稳定性。此外,电路的稳压器设计使得振荡器频率在电源电压变化时也能保持相当好的稳定性。仿真结果表明,在-40℃~125℃温度范围内,此振荡器振荡频率的温度系数仅为40ppm/℃,电源电压变化±10%时,振荡频率的相对误差仅为±0.012%,完全能够满足常规数字系统的要求。     

高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果。     

一种适用于RFID读写器的加密算法及其实现

介绍一种适用于RFID读卡器的XXTEA算法,分析结果表明与原来的分组TEA相比,XXTEA算法具有更高的安全性能、更快的运行速度和较小的负载等特点。针对Mifare1智能卡所面临的安全威胁,设计了一种基于XXTEA算法的Mifare1智能卡安全通信方案,通过密码动态变换及存取数据加密的方法来降低RFID通信数据被盗取的可能性,并采用MFRC500芯片在RFID读写器中实现了这一安全方案。     

基于标准CMOS工艺的一款宽带限幅放大器芯片设计

采用SMIC 0．35μm CMOS混合信号工艺来设计开发一款适用于SDH STM-16的光接收机前端限幅放大器芯片。该限幅放大器的设计采用了电容中和技术来实现带宽的扩展,可满足2．5Gbps速率要求,芯片电路拥有信号丢失检测和自动静噪功能。芯片版图的参数提取仿真表明：芯片最小输入动态范围可达2mV,50Ω负载上的双端输出摆幅约为1400mVpp在3．3V供电下静态功耗仅为66mW,动态功耗为105mW,有实际推广价值。