特种铸造及有色合金技术现状与发展趋势

本文在全面综述特种铸造和有色合金的技术现状和应用的基础上,重点阐述了我国在特种铸造和有色合金技术领域内所面临的主要问题及应采取的对策,指出我国在该科技领域发展的必由之路是:提倡技术创新,调整产业结构,发挥产学研联合作用和走绿色可持续发展的道路。     

钛铝合金精铸过程温度场与表面晶粒的关系研究

借助于试验及温度场模拟对TiAl合金精铸叶片表层晶体形态及其分布进行了研究,结果表明合金叶片表面晶体形态分布与凝固温度场分布有很大关系,随表面区域温度场的不同,表面晶体形态明显发生变化.同时发现表面晶粒度对浇注温度有较强的依赖性.     

复合氧化物喷涂金属型铸造纯钛的界面反应研究

应用等离子喷涂的方法，在板状碳素钢基底上喷涂了分别添加ＳｉＯ２和ＴｉＯ２的ＺｒＯ２、不同含量Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２复合耐火氧化物涂层，组成金属型后，进行了铸造工业纯钛的试验研究，借以考察复合耐火氧化物涂层对纯钛试样的表面污染情况。分析结果表明，复合涂层中，ＳｉＯ２的添加，加剧了界面反应；ＴｉＯ２的添加，使界面反应性有所减弱。     

483Q发动机用TiAl基合金排气阀门的研制

利用真空感应凝壳熔炼设备熔铸了 Ti Al合金 483Q发动机的排气阀门坯件 ,经热等静压及机械加工后所制得的 Ti Al合金排气阀门重量比原材质的减少了 49.3%。 483Q台架试验测试结果表明 ,Ti Al合金适宜于制造 483Q发动机排气阀门。     

定向凝固Sn-36%Ni包晶合金凝固组织特征长度的表征

通过对Sn?36%Ni包晶合金在恒定温度梯度(G=20 K/mm)下进行的一定速度范围内(v=2~200μm/s)的定向凝固实验，研究凝固组织特征尺度随生长速度v的变化；测量包括一次与高次枝晶间距及枝晶尖端半径在内的凝固组织特征尺度。通过实验结果与理论模型的对比，发现凝固组织特征尺度随生长速度的变化关系为：对于一次枝晶间距有λ1=335.882v?0.21,且与 Kurz?Fisher 模型吻合；对于二次枝晶间距有λ2=44.957v?0.277,且与 Bouchard?Kirkaldy模型吻合；对于三次枝晶间距有λ3=40.512v?0.274；对于枝晶尖端半径有R=22.7v?0.36。实验结果表明，λ1/λ2随着生长速度的增加而增加，λ1/λ3的变化明显较λ1/λ2的小，表明三次枝晶具有与一次枝晶类似的生长特征；而λ1/R的比值随着生长速度的增加而由2增加到2.3，变化很小。     

吸铸TiAl基合金排气阀内部气孔缺陷产生原因分析

通过比较不同工艺参数下吸铸成形的TiAl基合金排气阀内部孔洞缺陷形貌与分布状态,确定了缺陷的种类为气孔。结合数值模拟计算吸铸过程中合金熔体流动形态的结果,得到排气阀内部气孔缺陷形成的原因。通过优化真空吸铸过程的工艺参数,可以成功消除排气阀铸件内的气孔缺陷。     

超高温Nb-Si基复合材料研究现状

主要论述了Nb-Si系原位复合材料的研究近况,主要总结通过合金化和制备工艺的改善,以期使室温断裂韧性、高温强度及抗氧化性能获得良好匹配,对进一步提出优化的制备和研究方案奠定了基础。     

Hf:Fe:LN晶体生长与光折变性能的研究

原料采用在Fe(0.03%,质量分数):LN中掺进摩尔分数为(1%、2%、4%、5%)的HfO2,再次采用提拉法生长Hf:Fe:LN晶体.抗光损伤阈值测试表明,Hf(5%,摩尔分数):Fe:LN晶体抗光损伤能力比Hf(1%,摩尔分数):Fe:LN晶体提高2个数量级以上.以二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间,并计算出光折变灵敏度和动态范围.结果表明,Hf:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体.     

Numerical simulation of the Liquid-liquid phase separation and microstructure evolution of Al-In immiscible alloys during cooling

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Change law of real vapor pressure of Al element in Ti-xAl （x = 25～50） melt during ISM process

A new model was established to calculate the real vapor pressure of the AI dement in the molten Ti-xAl (x=25～50, mole fraction, % ) alloy. The effects of the holding time, chamber pressure, mole fraction of AI and melting temperature on the real vapor pressure of AI element in the vacuum chamber were analyzed. Because of the impeding effect of the real vapor pressure on the evaporation loss rate, within a short time (less than 10s), the real vapor pressure tends to a constant value. When the chamber pressure is less than the saturated vapor pressure of the AI component, the real vapor pressure of Al is equal to the chamber pressure. While when the chamber pressure is larger than the saturated vapor pressure, the real vapor pressure is equal to the saturated vapor pressure of the Al element of the same condition.