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91.
宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容Cout与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用Cout控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用GaN HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.3%,功率为40.75 dBm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带GaN功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。 相似文献
92.
品红亚硫酸分光光度法测定织物中游离甲醛 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了品红亚硫酸测定甲醛的反应条件,建立了测定甲醛的方法,并探讨了某些表面活性剂对显色体系的增敏作用,以及在织物防皱整理中树脂单体及其他一些干扰物对甲醛测定的影响。此方法用于织物样品中甲醛的测定,取得较为理想的结果。 相似文献
93.
94.
95.
96.
采用LD 泵浦技术, 实现了Nd:GdVO4、Cr4+:YAG 被动调Q 1.06 μm 激光运转。通过改变泵浦光束在激光晶体内的分布以及Cr4+:YAG 晶体在腔内的位置, 实现了LD 泵浦Nd:GdVO4 晶体Cr4+:YAG 被动调Q 激光器的脉宽控制。根据由ABCD 矩阵传输理论计算得出的腔内模式半径沿腔轴的变化关系, 考虑激活介质热效应以及泵浦光强和腔内振荡光强的空间高斯分布, 给出了LD 泵浦Nd:GdVO4 晶体Cr4+:YAG 被动调Q 激光的耦合速率方程组, 数值求解该方程组, 获得了脉冲宽度随饱和吸收体在激光腔内位置和泵浦光在激活介质内分布的变化关系, 理论计算与实验结果相符。 相似文献
97.
内腔倍频被动调Q Nd:YVO4/KTP绿光的脉宽控制 总被引:1,自引:0,他引:1
分别改变饱和吸收体在激光腔内的位置及抽运光的束腰在激光晶体中的位置,实现了对激光二极管(LD)抽运Nd:Nd:YVO4/KTP腔内倍频Cr^4+:YAG被动调Q绿光的脉宽控制。在抽运功率1.52w的条件下,脉冲宽度可以控制在388~616ns之间,同时获得了激光脉冲的重复频率、单脉冲能量及峰值功率的变化范围分别为4.4~26.3kHz,0.52~4.19μJ和1.0~7.2w。考虑腔内光子数密度的高斯空间分布以及抽运光的空间分布,给出了描述调Q激光器工作原理的耦合速率方程组,其数值解与实验结果相符。 相似文献
98.
利用原子力显微镜分别对在I-型胶原和bFGF表面改性的p(HEMA-MMA)及未改性的p(HEMA-MMA)材料表面对于角膜基质细胞的膜表面结构进行了分析。将角膜基质细胞接种于改性前后的材料表面,用原子力显微镜对不同表面生长的角膜细胞的三维形态和超微结构等方面进行了研究。结果表明,改性后材料表面细胞宽度更大,高度更低,并且铺展较为完全,与正常条件下培养的细胞形态相似。膜超微结构参数分析显示在改性后材料表面生长的细胞膜微区的平均粗糙度(Ra)、均方粗糙度(Rq)、平均高度(MeanHt)、中值高度(MedianHt)明显较高于改性前材料表面的细胞。 相似文献
99.
100.
葫芦岛微波总站针对当前电子设备防雷工作存在的问题,结合目前广泛使用的浪涌保护器、压敏电阻器等防雷元器件的技术参数、选择方法进行探讨、实践,认为浪涌保护器多级保护中保护电压值应逐级递减、最后一级的保护电压值应不超过交流250伏;浪涌保护器接保护地线端应改接到零线;提出了浪涌保护器等防雷器件自身过度保护的问题;提出了利用压敏电阻器进一步限制电源过电压的原则和方法 ;在信号传输天馈系统使用压敏电阻器进行防雷保护。配合其它的综合防雷措施,取得了很好的效果,提高了电子设备的抗雷击性能。 相似文献