采用GaAs HBT的Ka波段I/Q失量调制器

对于雷达通信高性能,低成本的毫米波发射机显得尤为重要。Ka波段(26.5GHz~40GHz)基于GaAs HBT工艺,以HBT为开关器件的平衡式I/Q调制器的成功研制。采用平衡式拓扑可以有效的消除由于HBT电容所带来的寄生,从而达到较高性能的星座图。此芯片面积是1.89x2.26mm2,测试的幅度和相位的误差在26~40GHz间除了35.6GHz的单点外,分别小于1.5dB和3度。测试的结果可用于毫米波通信。     

0.1 - 110 GHz在片去嵌技术

研究了0.1 - 110 GHz S参数在片去嵌技术,给出了输入、输出端口非对称下的直通-反射-传输线（TRL）和传输线-反射-匹配（LRM）的去嵌算法求解结果。在 InP衬底上设计了TRL和LRM去嵌标准件,采用两种无源元件验证了去嵌结果的正确性,并且对TRL和LRM在0.1-110 GHz范围内的去嵌准确性进行对比。通过在0.1 - 40 GHz运用 LRM方法,和在75 - 110 GHz运用TRL方法,获得了有源器件HBT两频带内的本征S参数,并对去嵌前和去嵌后提取的小信号电流增益及单向功率增益进行对比。通过插值,可得出待测件0.1 - 110 GHz完整的S参数。     

电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT

本文设计并制作了f_T > 400 GHz的In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As 铟磷高电子迁移率晶体管（InP HEMT）。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2 × 50 μm。最大漏极电流I_DS.max为957 mA/mm,最大跨导g_m.max为1265 mS/mm。即使在相对较小的V_DS = 0.7 V下,电流增益截止频率f_T达到了441 GHz,最大振荡频率f_max达到了299 GHz。该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中。     

W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器（英文）

成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率. DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐.芯片测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为81～97. 3 GHz,相对带宽为18. 3%.在调谐频率范围内最大输出功率为10. 2 dBm,输出功率起伏在3. 5 dB以内.在该压控振荡器的最大调谐频率97. 3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz@1MHz.     

基于零偏置肖特基二极管的270 GHz高性能波导检波器

根据InP二极管的物理结构, 采用三维高频电磁仿真软件对其精确建模仿真, 获得二极管的物理模型和匹配电路的精确参数, 而后将此模型利用谐波平衡进行仿真设计.最后, 在此基础上采用InP肖特基二极管, 设计制作并测试了国内首款270GHz的零偏置检波器.检波器的最大电压响应度为1600V/W, 在260~280GHz范围内, 电压响应的典型值为1400V/W, 其对应的等效噪声功率典型值为18pW/Hz.实验结果与仿真结果比较吻合, 其结果表明, 设计方法较为精确, 具有设计简单、优化方便等优点.     

一种基于InP DHBT的CB Stack功率放大器设计北大核心

设计了一种中心频率为75 GHz的单级MMIC功率放大器，基于0.8μm InP DHBT器件制造，该器件ft/fmax为171/250 GHz。电路采用两层共基堆叠(CB Stack)结构，其中下层共基偏置采用基极直接接地，输入端发射极采用-0.96 V负压供电的方式，偏置电压Vc2为4 V。为了提高输出功率，上下两层器件进行了四指并联设计。此外，采用同样器件设计了另外一款下层共射的传统Stack结构电路。通过大信号仿真对CB Stack与国际上部分先进工艺下InP基的传统Stack结构电路性能进行对比，CB Stack结构在增益和峰值PAE上都比传统Stack有更好的表现。     

“大学计算机基础”课程思政资源的挖掘和应用

针对当下“三全育人”“立德树人”的综合素质人才培养目标,需从“大学计算机基础”课程的单元或主题教学出发,深入挖掘与思想政治教育相关的理论知识、人物事迹、情境故事资源,并结合网络线上慕课(MOOC)、微课、多媒体教学手段,建构起线上线下融合的立体化课程思政教育体系,包括课程思政教学资源、教学情境、教学方式、实践交互模式等的合理设置,引导学生树立端正的思想价值理念、道德观念,实现“显性+隐性”的协同思政教育育人目标。