储层“主因素定量”评价方法的应用——以东营凹陷下第三系碎屑岩为例

采用“主因素定量”评价方法,对东营凹陷下第三系碎屑岩储层质量进行了评价。选用孔、渗资料齐全和缺乏孔、渗资料两种相反情况下的样品,应用灰色关联分析法来确定各指标的权重系数,然后按照评价方法的步骤,分别得到各样品的储层质量综合评价因子“Q”和“Q1”。根据“Q” 和“Q1”值的差别,将储层标准分别划分为5类。结果发现,按“Q”或“Q1”的大小进行的储层分类评价的结果与中国石油天然气集团公司的碎屑岩储层分类标准基本一致。把根据“Q”或“Q1”得到的评价结果与对应的试油结果进行了比较,发现其符合率较高,说明“主因素定量”储层评价方法用于碎屑岩储层精细评价具有可行性。     

某外能源自动机迟发火故障损伤分析

为分析迟发火故障对于外能源自动机造成的危害,建立该自动机闭锁击发时的3 维模型。针对不同开闩 时机,基于接触有限元理论建立某自动机炮闩机构的非线性结构动力学模型,采用显式时间积分方法仿真模拟击发 过程,分析自动机迟发火状态下主要部件的应力和失效情况,获得膛压作用下危险截面的应力变化和弹壳破坏情况。 研究结果表明：闭锁齿齿根处与接触面发生破坏,弹壳底部发生断裂,不同延迟时间下自动机损伤程度不同,迟发 火故障损伤分析与试验结果一致,可为迟发火保险机构设计提供依据。     

Levenberg-Marquardt算法在测风激光雷达中的应用

分析了直接探测测风激光雷达中的Fabry-Perot标准具透过率的非线性理论模型。根据实验测量数据,利用Levenberg-Marquardt算法对理论模型进行参数优化估值,获得测量数据的最佳拟合曲线。数值计算表明,pseudo-Voigt函数能快速且很好地近似计算Voigt线形。对于Fabry-Perot标准具的宽带光透过率频谱响应曲线,可以采用Voigt函数拟合,也可以采用pseudo-Voigt函数拟合;当透过率频谱响应曲线用于风速反演时,若采用pseudo-Voigt函数拟合会造成低于1 m/s的测速偏差,因此必须采用Voigt函数拟合。     

海洋二维双船拖缆与宽频带地震采集实验

双船拖缆地震采集可以布设灵活的观测系统,如形成大炮检距、增加覆盖次数、中间激发提供两个方向照明等,进而改善复杂构造的地震成像效果。同时,宽频地震技术日益受到重视,通过大容量宽频震源激发,变深度拖缆接收,并进行数据去鬼波处理,达到拓宽频带的效果。综合双船拖缆与宽频采集的优势所开展的实验表明,成像剖面的浅层分辨率得到提高,中深目标层揭示效果有了改善,该技术在构造成像难点区值得尝试。     

水下阀门国产化关键技术研究

水下阀门是水下采油树及水下管汇的关键部件,在水下采油设备中发挥着重要作用。但水下阀门完全依靠进口的局面对油气田开发成本、进度控制以及阀门后期维护保养均极为不利,可能成为制约我国深水油气资源开发的瓶颈。基于我国南海某气田群开发项目对水下阀门的要求,根据相关标准规范的规定,介绍了水下闸阀和水下球阀的主要技术要求,从设计、制造和测试3个方面探讨了水下阀门研制中的关键技术,并提出了水下阀门国产化的建议。     

东营凹陷陆相页岩油CO2增能压裂裂缝形态研究

CO₂增能压裂改造效果与生产效果评价受压裂裂缝分布的影响。为明确东营凹陷陆相页岩油CO₂压裂造缝机理,通过试验确定了CO₂浸泡下岩体破裂压力、天然裂缝剪切/张开应力和地应力随时间的变化;在此基础上,考虑CO₂浸泡下的岩石应力参数,采用Pen-Robinson方程刻画CO₂物性参数变化,结合试验和数模方法,形成了基于节点连接方法的CO₂增能压裂裂缝扩展模拟方法,并对东营凹陷某油井进行了实例分析。研究结果表明,CO₂比例对分支缝密度的影响较大,当CO₂比例由0.1增加至0.3时,分支缝密度增加117%;应力差主要影响缝长及分支缝密度,水平应力差由5 MPa增至30 MPa时,缝长度增加了52%,分支缝密度下降了13.85%。裂缝形态模拟结果与实际监测结果具有较好的一致性,研究结果可以为陆相页岩油压裂方案的制定提供理论参考。     

面向WLAN的MPC852T嵌入式系统设计

MPC852T是Motorola新近推出的MPC866/MPC859T家族中面向低端的一款通信处理器.嵌入式Linux由于其费用低廉及开放源码而具有广阔的发展前景.文中在分析了MPC852T通信处理器和嵌入式Linux操作系统的基础上,将二者结合给出了一种嵌入式硬件系统的设计与实现,以及该硬件系统在无线局域网WLAN中的一种应用.实践证明,该硬件系统具有性能稳定、廉价、可扩展性强、适用面广等优点.     

搞好CATV系统的节目频道规划

本文介绍了在不使用机上变换器的条件下，如何提高ＣＡＴＶ系统节目容量，做好节目频道规划的系统设计施工方法。     

磁控溅射AIN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%.     

通用网址在元器件企业营销中的应用展望

介绍了通用网址作为网络营销工具的功能优势,建议电子元器件企业采用全网保护的品牌防守策略,并配以"商标+域名+网址资源"的策略来应对层出不穷的网络营销手段,以保护和提升企业及产品品牌。