一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构

针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)沟道温度过高导致器件性能下降的问题,提出一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构,通过优化沟道电场来降低沟道温度.该结构采用混合势垒层设计,将栅极下方的势垒层分为两层,上层采用AlN,下层采用重掺杂的AlGaN;此外,该结构还使用场板;为了更好的散热,该结构采用热导率更高的AlN代替传统的Si₃N₄作为器件的钝化层.场板和混合势垒层有利于改善沟道电场,降低器件沟道温度.仿真结果表明,相比于传统结构,新结构的沟道温度分布更加均匀,温度峰值下降47 K.此外,新结构的击穿电压提高50%,输出特性也得到了改善.     

中小型水电工程导流隧洞堵头封堵措施探讨

通过介绍牛都水电站导流洞堵头施工的研究,探讨堵头施工的有效策略,对同类型的工程有借鉴意义。     

基于能带调制模型的高压增强型AlGaN/GaN HFET器件

提出了一种能带调制模型,通过在异质结界面处引入负离子电荷(如氟离子)调制异质结处的局部能带分布,实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变.基于能带调制模型,提出了一种复合调制沟道AlGaN/GaNHFET器件.通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子,不仅实现了增强型器件,而且可以降低尖峰电场,优化异质结电场分布,提高器件击穿电压.通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了模拟分析,并通过实验结果表明,其器件品质因子FOM由传统器件的4.8 MW·cm-2提高到26.7 MW·cm-2.     

如何巧妙定制滚动条的颜色

在应用程序的用户界面设计过程中，应使设计出来的界面更美观，更吸引人。而MFC提供的框架窗口和各种控件的颜色只有灰色，颜色比较单一，当然，可以在程序中添加代码来改变这些窗口的原有颜色，使设计出来的用户界面更美观。下面将以滚动条为例，介绍如何为没有滚动条的框架窗口添加滚动条，并设置滚动条的颜色。     

基于Ethernet的PLC通信控制网络

基于Ethernet的PLC通信控制网络,分为面向工业现场设备的以PLC为核心的控制层和面向控制底层的以主控计算机为核心的监管层.系统以工业以太网为主要通信平台.当下位机收到上位机命令后,PLC自动分析指令代码、检查数据格式,再根据指令代码执行相应操作,并返回相应的应答信息.通知计算机当前动作执行状况和反馈通信中的错误.上位机采用异步WinSock,PLC与间的通信格式使用OMRON标准.     

具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析

提出一种多等位环(multiple equipotential rings,MER)的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环长度、等位环间距以及氧化层厚度对MER-LDMOS击穿电压的影响.结果表明MER-LDMOS突破常规LDMOS高压屏蔽的能力,击穿电压较常规LDMOS提高一倍以上;同时,该结构具有工艺简单、工艺容差大、反向泄漏电流小等优点,为高压集成电路中高压屏蔽的问题提供了一种新的解决方案.     

MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究

针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管(MCT)和组合式绝缘栅晶体管(CIGBT),采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降,只有CIGBT的50%左右,而CIGBT得益于其电流饱和特性,具有更大的短路安全工作区。开关仿真结果表明CIGBT具有比MCT更短的关断时间和更小的关断能量,更适合应用于高频领域。同时研究了MCT和CIGBT在脉冲放电应用中的特性,结果表明MCT具有更大的脉冲峰值电流和更快的电流上升率,并首次论证了脉冲放电过程中器件物理机制的区别。     

应用于3.3kV IGBT的线性渐变掺杂结终端扩展的设计与优化

本文将线性渐变掺杂结终端扩展（LG-JTE）技术用于3.3kV IGBT并进行了试验验证。和采用多次光刻和离子注入传统结终端扩展技术不同,LG-JTE只用一张注入窗口宽度随与主结的距离线性变化的掩膜版。结合仿真设计了采用LG-JTE的IGBT,并在国内工艺平台上成功流片,其测试耐压达到3.7kV,接近理想的平行平面情形的耐压。     

表面电场对3DK9开关晶体管可靠性影响的研究

针对3DK9开关晶体管在应用中出现表面漏电失效的具体案例进行分析研究.该器件的设计在基极场板边缘处同时出现金属化台阶和表面尖峰电场,这是影响器件可靠性的重要因素.针对原器件结构的缺陷,提出了一种新的器件结构,即采用结终端扩展技术代替基极场板.新结构不仅大大降低了表面尖峰电场,而且避免了金属化台阶与高电场出现在同一区域的情况,从而提高了器件可靠性.