软开关CO2焊机的研制

采用ＰＷＭ相移控制法，使功率变换器实现零电压电流开关。     

PHB／PET／HQ—TPA液晶共聚芳酯流变性能研究

以所合成的含５％（ｍｏｌ）第三单体（ＨＱ－ＴＰＡ）的三元液晶共聚芳酯ＰＨＢ／ＰＥＴ／ＨＱ－ＴＰＡ为原料，使用ＸＬＹ－Ⅱ型毛细管流变仪，测定了在不同温度条件下共聚芳酯样品的流变曲线，求出了不同切变速率下共聚芳酯溶体的粘流活化能△Ｅη及非牛顿指数ｎ，结果表明，ｎ＝０．２５～０．５９，△Ｅη＝６３．８２～１１６．０４ｋＪ／ｍｏｌ，实验温度范围内，共聚芳酯熔体均表现切力变稀型非牛顿流体的特性，其剪切粘度值     

两亲性嵌段聚合物模板制备半导体纳米粒子研究现状

两亲性嵌段聚合物在选择性溶剂中的自组装行为导致其在纳米材料制备过程中具有非常好的应用前景。文中以两亲性嵌段聚合物的基本结构特点及自组装行为为出发点,概述了用于制备半导体纳米材料的两亲性嵌段聚合物的种类及特点,重点介绍了以两亲性嵌段聚合物为模板制备半导体纳米粒子的基本方法及在各种条件下半导体纳米粒子的不同生长机制,并对两亲性嵌段聚合物在制备功能化纳米材料方面的应用进行了展望。     

水相中银纳米粒子的制备及动力学行为研究

以油酸钠为表面活性剂、AgNO3为前驱剂、N,N-甲基甲酰胺(DMF)为还原剂,在水相体系制备银纳米粒子.采用紫外-可见分光光度计测定了不同反应时间银纳米粒子的吸收曲线,系统地考察了反应温度以及DMF加入量等因素对银纳米粒子生成过程动力学行为的影响.结果表明,未加DMF时,该反应体系不能生成银纳米粒子,随着DMF加入量的增加和反应温度的升高,体系中银纳米粒子的吸收强度逐渐增大,在100℃、DMF加入量为3mL时,银纳米粒子的吸收强度大幅度提高.透射电子显微镜的结果表明,所得的银纳米粒子具有球形形貌,且具有较窄的尺寸分布.     

SDS表面修饰纳米ZnO制备及抗菌性能研究

以SDS(十二烷基硫酸钠)为表面活性剂,乙酸锌为前驱体,水-乙醇混合溶剂为反应介质,通过溶液化学方法制得Zn O纳米粒子。实验过程中考察了反应温度、表面活性剂与前驱体物质的量比等因素对Zn O纳米粒子制备过程的影响。通过紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)等对Zn O纳米粒子的结构和性质进行了表征。结果表明,控制合适的反应条件,可以得到量子尺寸效应较为明显的Zn O纳米粒子,Zn O纳米粒子具有球状形貌,尺寸在5～10 nm之间,且具有典型的纤锌矿晶体结构。抗菌实验结果表明,所合成的Zn O纳米粒子具有较好的抗菌性能。     

一种新型的移相软开关变换电路

在移相控制的串联谐振合格在国欠开关变换电路基础上,通过将滞后管改善成单向开关的方法,提出了一种零电压、零电流变换电路,并给出了实验结果。     

PHB／PET液晶共聚酯热分解反应动力学研究

使用ＰＲＴ－１型热天平，测定了ＰＨＢ／ＰＥＴ二元体系液晶共聚酯的动态热失重曲线，对该体系液晶共聚酯的热分解反应动力学进行了研究。并用微滴法求出了实验下热分解反应的级数ｎ及活化能ｅ。     

一种零电压零电流倍流整流弧焊逆变器

采用移相控制和倍流整流技术,实现零电压零电流开关全桥变换和整流二极管软开关弧焊逆变器.其中超前桥臂实现零电压开通,滞后桥臂实现零电流关断,副边整流二极管,实现零电流自然关断,整个弧焊逆变器所有的功率器件都工作在软开关状态.降低了功率器件的应力与开关损耗,降低了干扰,提高了弧焊逆变器的电磁兼容性能力,特别适合大功率场合;并且可以进一步提高开关频率,加快系统动态响应能力.文中还简单讨论了软开关范围和参数的关系.在此基础上,制作2 kW弧焊逆变器,结果表明,该弧焊逆变器的良好性能.     

基于RTDS的电弧接地故障自定义建模及仿真分析

电弧接地故障建模仿真对于电气设备的研制和电力系统安全运行的分析具有重要意义。基于实时数字仿真仪(RTDS)平台对电弧接地故障进行建模仿真。对Cassie电弧的连续系统数学模型进行数值逼近,将其转换成离散系统数值递推模型;在RTDS的CBuilder开发环境中创建了可控的Cassie电弧元件模型。通过与Matlab标准模型的测试对比实验,以及电力系统的中性点不接地系统的单相电弧接地故障应用实验,验证了自建元件模型的正确性和有效性。所建电弧模型填补了RTDS仿真模型的空白,采用的建模方法具有普适性,为类似的研究提供参考借鉴。研究成果可以应用于电力系统实时电弧故障仿真以及继电保护设备的实时闭环混合仿真检测。     

混沌扩频抑制交错并联Boost PFC的共模传导EMI

随着电力电子器件的高频化,电磁干扰(EMI)问题日益严峻。为了降低开关电源的传导EMI,这里提出一种基于混沌扩频的交错并联Boost功率因数校正(PFC)变换器调制技术。首先,分析变换器传导EMI路径,建立干扰等效电路;通过推导传统脉宽调制(PWM)和混沌PWM扩频模式下驱动电压的功率谱密度函数,揭示混沌扩频技术降低频谱峰值的基本规律。其次,结合数理统计方法,提出使用概率直方图和概率密度函数来选择更具优越性的蔡氏混沌扩频电路,并利用驱动信号频谱加以验证。仿真与实验结果均表明,与传统PWM相比,在蔡氏混沌PWM作用下,对1 MHz频段内的共模噪声有8～18 dBμV的削弱,对1 MHz以后频段的共模噪声有5～15 dBμV的削弱。该方法能够实现从源头上有效地抑制共模传导EMI,抑制效果明显,并且能够实现频谱连续化。