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31.
多片面阵CCD图像传感器焦平面光学拼接技术   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文主要论述多片面阵CCD图像传感器焦平面光学拼接原理、结构设计及拼接精度,并给出了一个四片成2×2方阵的面阵CCD拼接样机结果。总像元数达1.42×10~6个,搭接精度1.5μm,共面精度5μm。拼接可大幅度地提高光电接收器的总像元数,并在实际工程中应用。  相似文献   
32.
亚微米i线和g线投影光刻物镜研制   总被引:4,自引:3,他引:4  
本文介绍了分步重复投影光刻机的i线和g线投影光刻物镜主要技术指标、设计要点、研制中解决的关键单元技术和设计试制结果。结果表明数值孔径NA=0.42i线和NA=0.45g线、视场15×15mm以及畸变<±0.1μm的五倍缩小投影光刻物镜研制成功。  相似文献   
33.
光瞳滤波投影光刻实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一套自行研制的用于光瞳滤波实验的投影光刻实验系统,其物镜光瞳处预留出放滤波器的位置,可方便取放滤波器。在理论分析的基础上,开展了光刻对比实验研究,实验研究,实验研究结果表明光瞳滤波能大幅度提高投影光刻成像系统分辨力,并增大焦深,是一种比较有效地提高投影光刻成像质量的方法。  相似文献   
34.
工作波长193纳米投影光刻物镜研究设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍工作波长为193nm的投影光刻物镜研究设计,对波长,数值孔径和分辨力的选择,光学结构型式的确定,以及材料和试制加工工艺的考虑,然后给出一个数值孔径NA=0.62,光学结构为双远心的投影光刻物镜设计结果。  相似文献   
35.
随着现代微电子技术向高集成度超微细化方向发展,为提高制作微细图形的光刻设备所能达到的光刻分辨力水平,在设备不更新的情况下,通常采用相移掩模或离轴照明方法,来提高光刻分辨力和增大焦深.  相似文献   
36.
光子晶体器件的研究进展及前景   总被引:1,自引:0,他引:1  
光子晶体器件是近年来迅速发展起来的一类微纳器件,可以操控光子的运动行为,并具有损耗极低、体积小、易集成的优点。本文综合论述了光子晶体器件的几种主要设计方法的优缺点、指出了加工制作中的技术难点所在,还介绍了两种常用的耦合技术,最后对光子晶体的未来作了展望。  相似文献   
37.
提出一种可制作纳米量级任意微细结构图形的新方法。该方法利用特别设计制作的原子束计算全息片来操纵原子运动,在基底堆积形成纳米图形;弥补了原子光刻技术中利用激光驻波场控制原子堆积只能制作单一量子点、线等周期性图形的不足。扼要介绍了原子束全息的基本原理,给出该项技术的实现方案,并进行了模拟研究。结果显示:当原子波长为12nm时,得到了占空比1∶1的50nm线条、60nm方孔以及1郾2μm×1郾2μm大小的汉字图像,表明该技术不仅可以制作点、线等规则图形以及像拐角线这样的周期性图形,还可以制作不规则的非周期性的任意图形,特征线宽均能达几十纳米。  相似文献   
38.
在阐述投影成像光刻光瞳滤波技术原理与滤波器设计的基础上,详细分析研究了滤波成像光刻图形质量影响因素。指出影响图形质量的因素除了滤波器设计本身存在误差,主要还存在滤波器的制作误差、滤波器在成像光路中放置的位置误差和光刻工艺条件等因素。实验表明只有注意控制好这些影响因素,才能很好挖掘该技术提高光刻分辨力、增大焦深的潜能。  相似文献   
39.
0.8μm投影光刻物镜研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了0.8-1μm分步重复投影光刻机投影光刻物镜双远心成象原理及设计研制。所研制的g线1/5精密投影光刻物镜,其数值孔径NA=0.45,视场15mm*15mm,畸变不超过±0.1μm。  相似文献   
40.
光子晶体--一种新型人工带隙材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
光子晶体是近十年来才发展起来的存在光子禁带的一种新型人工材料,具有操控光子行为的独特能力,在众多领域有着广泛的用途.介绍了光子晶体的结构特征,分析了光子带隙产生的物理机理,着重介绍了光子晶体材料中存在的新现象及其应用.  相似文献   
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