X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.     

产品危机过程中的企业间信任关系——记对SK-Ⅱ事件的危机过程分析

随着关系营销理论和实践的发展,企业间信任成为企业间关系发展的重要目的和特征。但大家关注的主要是常态环境下的信任关系,随着产品危机的频繁爆发,很多企业被迫进入危态环境中,本研究以常态下的信任特征为基础,分析了危态下的企业间信任特征,并提出针对性的策略和建议。     

掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中二维电子气，发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置，得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外，通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。     

不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究

用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测。结果表明：切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序；锑化镓单晶切割片表面极不平整，有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹；其表面损伤层深度≤30μm；双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹，但比切割片的要细，而且桔皮皱纹的深浅随磨砂（Al2O3)粒径的减小而变细变浅；晶片的表面损伤层深度（≤5μm）也随着磨砂粒径的减小而减小。一般情况下，其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2。机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹；其损伤层深度约55nm。     

举胖子

在学员当中挑选一位个头最大、体重最重的学员，请他坐在讲台旁的一张坐椅上。另外再找四位学员，他们分别是甲、乙、丙、丁。其中，甲瘦、乙胖、丙矮、丁高。请他们依次上台，分别用双手去把坐在椅子上的学     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.     

闪亮的流线

在狭长的空间设计中，通过阶梯式递进的序列关系处理．可有效地塑造空间的立体性。     

渐开线齿轮交错轴无侧隙方程

本文给出了无侧隙方程的两种形式,加上原来的,共三种表达形式;并定义了无侧隙方程中齿厚元素M的三种参数形式,以适用于不同的参数条件。本文还指出:无侧隙啮合的两齿轮“节圆法向齿厚之和等于节圆法向齿距”应该是有条件的。 (一)近年来,渐开线齿轮(及其刀具)交错轴啮合应用研究涉及到了非规则状态,导致对非规则啮合无侧隙方程认识逐步深化。早在1959年文献以媒介齿条为工具建立了渐开线齿轮交错轴无侧隙方程(符号按原文):