构建符合MDA的EDOC模型体系

介绍了企业分布式对象计算（EDOC）规约的概念、机理。对EDOC规约的7个子规约组成关系以及应用特点进行了说明。总结了将EDOC规约应用于MDA建模过程的一般方法和具体步骤。指出了EDOC规约工程视点、技术视点是对侧重物理部署描述的开发分布处理参考模型（RM-ODP）工程视点、技术视点的逻辑视角的补充。     

蒽酮比色法测定紫花地丁中总糖及还原糖含量

目的：通过对紫花地丁中总糖提取最佳条件的选择，测定紫花地丁不同部位的总糖殁还原糖的含量。方法：采用L9（3^3）正交实验，以料液比、反应时间和盐酸浓度为影响因素，通过蒽酮比色法在624nm处测定其总糖和还原糖的含量。结果：紫花地丁叶片、叶柄、根中总糖的含量分别为11．53％、12．1％、35．80％，还原糖的含量为4．78％、4．44％、11．74％，本实验重现性良好，RSD为1．84％，回收率为97．61％。     

特吕茨勒清梳联主控柜上位机的改造

介绍了用西门子工控机替代特吕茨勒清梳联上位机的技术改造原理、方案及改造后的效果。     

Morison方程中动水阻力项对桥梁桩柱地震反应的影响

在深水桥梁地震反应分析中,当采用Morison方程来考虑桩等水中横向小尺寸结构上水的作用时,等效为增加了一个附加惯性力项和一个附加阻力项,其中,附加阻力项是非线性的。由于非线性附加阻力项的存在,给采用反应谱方法求解桥梁的地震反应带来不便。本文讨论了非线性阻力项对一般桥梁桩柱结构地震反应的贡献,得到的结论是阻力项的贡献很小,可以忽略。这样,水中桥梁地震反应的计算就得到了很大的简化。     

APS/HVOF热喷涂WC基金属陶瓷涂层的微观组织与性能

WC基涂层由于具有较高的硬度、优异的耐磨性、较好的抗腐蚀性,广泛应用于石油等工业中提高零件的磨损和腐蚀性能。随着现代化工业中工件服役环境日趋复杂,对制备性能优异的WC基涂层要求越来越高。在热喷涂技术中,热喷涂大气等离子热喷涂(APS) 喷涂温度范围广,可以提高至数万温度,在喷涂难容材料方面具有无与伦比的优势,而超音速火焰喷涂(HVOF)由于具有较高的焰流速度,粒子动能较高,同时由于喷涂过程中N2等冷却喷涂材料,近来在涂层制备中具有广泛的应用。本文利用APS与HVOF两种热喷涂方法在45钢表面制备WC-10Co-4Cr、WC-17Co两种涂层,对不同方式制备的涂层截面硬度、金相组织、与基体结合能力、涂层脱碳情况进行分析。结果表明：HVOF 涂层在喷涂中粒子未充分熔化,但粒子动能较高,表面相比于APS喷涂方式更加平整,与基体的结合性能好于APS制备的涂层。通过HVOF制备的两种涂层的孔隙率均低于APS制备的涂层,其中HVOF 制备的WC-17Co具有最小的孔隙率(0.65%)。此外,HVOF涂层的硬度均高于APS制备的涂层,由于具有较少的粘结相,通过HVOF制备的WC-10Co-4Cr涂层具有最高的截面硬度。相比于HVOF,APS具有较高的喷涂温度和较低的焰流速度导致涂层在喷涂过程中氧化脱碳现象较为严重,出现大量的W2C及少量的Co3W3C、Co6W6C等脆性η相。因此,HVOF更适合于喷涂WC-10Co-4Cr、WC-17Co两种涂层。     

混合储能提高光伏低电压穿越控制策略的研究

低电压穿越(Low-Voltage Ride Through,LVRT)是影响光伏并网发电系统稳定运行的重要因素.针对这一现状,文中提出了一种混合储能(Hybrid Energy Storage System,HESS)的控制策略来解决,HESS由蓄电池储能系统(Battery Energy Storage Syste...     

管土接触作用下直埋管道小折角优化分析

针对单焊缝小角度折角在供热管网中的广泛应用,提出双折角结构、双折角中间加厚和双折角双侧加厚结构形式,通过有限元方法对不同管件结构形式,开展不同折角角度和加厚壁厚下的局部应力和最大应力的模拟计算,获得最优管件结构及相关参数.研究结果表明,加厚折角焊缝两侧部分管段壁厚的方法可以有效降低折角焊缝处的应力集中,使DN800管径10°折角角度时焊缝处的最大应力值从520 MPa降低到240MPa,同时将应力集中区域从改变角度处转移到改变厚度处,在应力集中的数值大小和区域范围上均有效保护了折角管道,为处理直埋管道施工过程中出现的小角度折角找到了一种可行的折角安装管件.     

试析深基坑处理技术在房屋建筑工程中的应用

本文从对深基坑处理技术进行分析,并对深基坑处理技术在房屋建筑工程中的应用进行了分析。     

论大型电动机的现场组装

针对某石化厂大型电机现场组装的要点及难点进行分析,总结组装过程中的经验,以确保组装质量,进而提高电机长期运行的安全系数,同时为本行业今后同类设备的施工提供借鉴。     

AlGaN/GaN HEMT场板结构对与表面态相关的延迟特性的影响

为了研究AlGaN/GaN HEMT器件中场板结构对电流崩塌效应影响的物理机理,我们运用数值模拟的方法研究了场板结构和与表面态相关的栅延迟现象之间的关系。模拟显示场板结构可以显著地抑制电流崩塌效应的强度,但是对延迟时间没有影响。场板结构可以增大AlGaN表面附近的空穴积累,导致表面态的离化率增大从而抑制器件的电流崩塌。