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101.
电子束在MOS结构中的能量沉积与辐照效应 总被引:2,自引:0,他引:2
根据电子输运“双群理论”计算出电子在Si-SiO2材料中的能量沉积。用与硅等2效的外推电离室测定了1.0MeV和1.5MeV的电子束在MOS电容芯片中的吸收剂量。用X光电子谱、俄歇谱、深能级瞬态谱和C-V方法测量分析了MOS电容Si-SiO2材料化学结构,界面态密度和C-V曲线在辐射前后的变化,根据理论和实验结果,从辐射剂量学的角度分析讨论了电子能量沉积,电离缺陷和辐射效应间的关系,并提出一个关于 相似文献
102.
I The extrapolation ehaJ口ber(EC)which was develoPed at the Xinjiang Institute ofPhysics(XIP)was used for the detert苗nation of relative absorbed dose distribution invarious material。认the wo比descri卜刃勿Jin Taol,1.FOllowing this,experimente have加en unde到进ken in a high energy elec物”n beam,the皿印ose ofwhiehwastoeheekthe suitability of the EC for the dete恤ination of absolute absorbed dose byeomparison with a ealibrated Farmer type ionization ehamber.These experiments were洲而rmed … 相似文献
103.
在使用自制外推电离室(以下简称外推室),绝对测量国产JJ-2型电子静电加速器电子在硅材料深部剂量率实验中,加速器电子束流强度的不稳定将引起外推室所测电离电流的不稳定。有时束流强度不稳造成的电离电流变化量会大于因空腔体积改变所引起的电离电流变化量,致使外推室测量的数据无法进行体积外推,从而失去了外推室测剂量的意义。本实验采取单位束流强度剂最测量方法,在外推室进行测量的每一个极间距离上,由计算机快速同步地采集数十组电离电流和与之相应的束流强度值,剔除粗差后求单位束流强度下电子的平均电离电流值,进而使体积外推得以顺利进行。最后通过有关公式计算出单位束流强度下的电子平均吸收剂量率。 相似文献
104.
为同步辐射单色X光照射量测量研制出自由空气电离室。设计了现场照射量测量的计算机系统,重点讨论了轮X射线照射量的测量原理和计算方法。 相似文献
105.
106.
In recent years the extrapolation chamber has been developed a clinical dosimeter for electron beams and X-rays from medical linac. It consists of a new type extrapolation chamber, a water phantom and an intelligent portable instrument. The chamber is fitted a thin entrance window and has a collecting electrode made of polystyrene 20 mm in diameter. The electrode spacing can be varied by stepping motor drive achieving high precision of electrode setting. The variable gap is as small as 0.20 mm to 6 mm. The dosimeter can automatically finish the measuring process, and has error self-test and dose self-recording function. The total uncertainty is 2.7 %. 相似文献