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为同步辐射单色X光照射量测量研制出自由空气电离室。设计了现场照射量测量的计算机系统,重点讨论了轮X射线照射量的测量原理和计算方法。 相似文献
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同步辐射软X射线(白光)对InP表现进行了辐照。并对样品的表面电子结构作了UPS和XPS分析。结果显示,样品表面电子态变化明显,P3a峰化学位移大于In4d峰。与In非键合的P2p峰面积辐照后显增加。说明软X射线对InP表现F原子的电离损伤要大于In原子。 相似文献
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电子束在MOS结构中的能量沉积与辐照效应 总被引:2,自引:0,他引:2
根据电子输运“双群理论”计算出电子在Si-SiO2材料中的能量沉积。用与硅等2效的外推电离室测定了1.0MeV和1.5MeV的电子束在MOS电容芯片中的吸收剂量。用X光电子谱、俄歇谱、深能级瞬态谱和C-V方法测量分析了MOS电容Si-SiO2材料化学结构,界面态密度和C-V曲线在辐射前后的变化,根据理论和实验结果,从辐射剂量学的角度分析讨论了电子能量沉积,电离缺陷和辐射效应间的关系,并提出一个关于 相似文献
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I The extrapolation ehaJ口ber(EC)which was develoPed at the Xinjiang Institute ofPhysics(XIP)was used for the detert苗nation of relative absorbed dose distribution invarious material。认the wo比descri卜刃勿Jin Taol,1.FOllowing this,experimente have加en unde到进ken in a high energy elec物”n beam,the皿印ose ofwhiehwastoeheekthe suitability of the EC for the dete恤ination of absolute absorbed dose byeomparison with a ealibrated Farmer type ionization ehamber.These experiments were洲而rmed … 相似文献