企业编制预算中常见问题及对策

国际金融危机的冲击，国内外多变、复杂的政治、经济环境给企业的发展带来诸多不利影响，市场竞争、企业之间的竞争日趋激烈，对企业编制预算的水平提出更高要求。结合企业编制预算实务操作过程中经常出现的问题，分决策层和职能部门两个层面进行总结，提出见解和对策。     

焦耳天平磁场系统关键技术研究

结合最近受到普遍重视的用于定义量子质量基准的焦耳天平方案,提出了一种全新的空间尺寸配比的轴对称激励线圈组结构。利用解析方法和数值计算证明通过合理配置共轴轴对称激励线圈组几何参数,当内部激励线圈和外部激励线圈的间距R与激励线圈与悬挂线圈的距离H满足R2=4/3H2,内部激励线圈、外部激励线圈、悬挂线圈匝数比满足10 000∶2 700∶430时,在焦耳天平磁场对称平面附近会形成轴向长度为2 cm的环形磁场均匀区,在该均匀区焦耳天平线圈系统互感参数具有四阶均匀性,满足互感结构参数M的准确测量要求。     

砂土地基大直径混凝土灌注长桩受力性状试验研究

通过对砂土地基中灌注桩竖向静载试验资料分析,确定了单桩承载力、研究了持力层为卵石层的长桩轴力的传递规律、沉降量与桩身压缩量的关系及桩侧阻力发挥机理。     

便捷式煤矿井环境测试仪的设计

经过对现有煤矿井下环境测试方法和手段的研究,揭示煤矿井下环境测试的现状及缺点,提出更合理、更简捷的测试方法。利用模拟传感器和数字传感器自身的特点,尽量高效测量出相应的数据,从而保证工作环境的安全性。     

微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性

外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要.     

砖混结构旧房屋加层地基承载力的计算及分析

对砖混结构旧房屋要求设计加层的地基承载力问题进行分析，针对此种加层工程地基径长期压密，承载力提高的特点，提出了该地基承载力提高值的计算公式，并指出应注意的问题，该方法安全可靠，经济效益显。     

TDE-85/芳香胺树脂基体及碳纤维复合材料性能

选用了一种改性芳香胺来固化TDE－85环氧树脂,得到了一种耐热性、工艺性及机械性能都很好的环氧树脂基体,并结合FT－IR,DSC及凝胶化时间的测试分析对该基体的固化反应进行了研究。优化了固化工艺制度,并对该基体的T－700碳纤维复合材料的性能进行了研究。实验证明,该基体与碳纤维粘结良好,纤维强度转化率最高可达86．5％,可用作碳纤维复合材料湿法缠绕成型用高性能树脂基体。     

精密控温箱内腔温度稳定性的理论研究

针对精密控温箱内腔温度难以达到稳定的问题,提出利用Laplace方程对精密控温箱绝热层与均温层的厚度比进行理论研究,结合非稳态热传导方程,求解得到:当绝热层与均温层的厚度比近似为1:1时,精密控温箱内腔温度的稳定性最好。     

利用微弧氧化法制备四方相BaTiO3薄膜的结构特征及铁电性能

利用微弧氧化技术在钛衬底上直接制备了四方相钛酸钡铁电薄膜.利用X射线(XRD)、HP4192A阻抗分析仪和铁电测试系统(FTS)等手段对薄膜样品的相结构、介电和铁电性能进行了研究.结果表明,工艺参数为Ba(OH)2浓度为0.5mol/L,电流密度为150mA/cm2,温度为57℃,反应时间5～20min的薄膜主要要由四方相BaTiO3构成.在微弧氧化过程中,弧点的连续移动是形成四方相BaTiO3的主要原因.此工艺参数下薄膜的剩余极化值为0.271和-4.62μC/cm2(Pr),与其对应的矫顽场强度分别为20和-2.8kV/cm(Ec).该薄膜具有良好的铁电性能.