应用于路由协议测试的增强参考实现

参考实现是协议测试系统中接收测试执行的命令和数据，通过服务提供者与被测模块进行通信的功能模块．本文讨论了协议集成测试系统(PITS)中参考实现的扩充和增强技术．通过引入测试数据产生、动态计算等子模块增强其处理能力，通过引入多个通道以增强控制、观察能力，为适应高速网络的测试，将参考实现划分为接收子层和提交子层，与帧扩展等技术相配合，增强了参考实现的功能，解决了系统在路由协议测试中遇到的问题，提高了PITS的灵活性和效率，并保证了PITS的兼容性．增强的参考实现在路由协议的测试中发挥了良好的作用．     

针对重金属的钠基蒙脱石的制备及其吸附条件研究

本文把提纯后的钙基蒙脱石在一定条件的基础上制备成钠基蒙脱石,对蒙脱石进行钠化改性、钠改性的试验结果显示提纯蒙脱石与5％浓度I~gNaOH溶液固液配比为1：10,PH=5．6,60℃下搅拌1h,离心后在80℃烘箱干燥后研磨得到钠改性后的蒙脱石,其中对cu2＋的吸附率为99．2％。     

多途条件下近场声源三维被动定位

为了解决近场被动目标的三维定位问题,在多途条件下提出了一种水平阵定位方法。任意选择扫描深度获得二维声图测量结果,进而在二维扫描平面搜索谱峰,得到目标信源与海面镜像虚源的聚焦点位置;利用它们的几何关系对测量结果进行修正,得到目标的三维坐标。仿真结果表明：不同的扫描深度对定位精度的影响较小;随着目标远离阵列,定位误差逐渐增大;在靠近阵列的区域里,多途聚焦点与直达声聚焦点混叠,方法失效。因此,该方法可以在多途条件下对一定范围内的近场被动目标实现三维定位。     

复合防蜡工艺在潍北油田高含蜡油井的应用

在油气开采过程中,蜡从原油中不断的析出、沉积,导致产油层及采油管线等堵塞,使油井产量下降,甚至造成停产。因此,防蜡和清蜡是含蜡原油开采中需要解决的重要问题。对低能量抽油井中,使用常规清防蜡工艺存在费用高、影响产量、污染油层、效果差且适应性不好等问题,严重影响正常生产和开发效益。本文系统分析了油井结蜡的影响因素,探讨了生产过程中高含蜡油井结蜡的复杂多样性,介绍了复合防蜡工艺的原理及工艺技术。现场应用结果证明,复合防蜡工艺能有效解决低能量抽油井的清防蜡问题,具有一定的应用前景。     

基于多重扰动的跨区域电网薄弱区域的选取研究

基于多重扰动的概念对跨区域电网进行薄弱区域的选取研究.随着电网规模的日益扩大,电网中会不可避免地存在一些稳定性较差的薄弱环节,通过运用多重扰动这一更符合电网运行实际的观点,对华中各省市电网进行薄弱性分析研究.从多重扰动的角度对近期发生的湖南金竹山功率振荡事件的整个过程进行分析,得出扰动的相继发生是导致电网运行情况逐渐恶化的原因所在.在华中电网内部通过设置多重扰动序列,筛选出华中各省市负荷集中地区是电网中的薄弱环节,在湖南电网设置多重扰动序列验证了上述结论,并结合暂态能量函数的方法对结果加以分析校验.     

涤纶工业丝油剂的研制和性能评测

以聚乙二醇200双油酸酯和新戊基多元醇油酸酯为组合平滑剂,以脂肪醇嵌段聚醚为乳化剂,以脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯钾盐(MOA-3PK)和石油磺酸钠为复合抗静电剂及以液体石蜡为溶剂,在一定条件下复配调和制备原油型涤纶工业丝油剂NS-5098.将NS-5098油剂与日本竹本油脂公司的F-8011油剂及浙江皇马有限公司的HDG-2146油剂在平滑性、耐热性、抗静电性及纺丝性能等方面进行测试比较,并进行工业试用.结果表明:自制的NS-5098涤纶工业丝油剂的各项性能指标与进口油剂相当,明显优于其他国产油剂;NS-5098油剂能满足涤纶工业丝的生产工艺要求,具有优良的纺丝应用性能.     

加工方钻杆专用机床的铣头设计与分析

以加工方钻杆专用机床的铣头为研究对象,设计并分析其机械结构是否满足加工工件的需要。具体介绍铣头设计过程及结构布置形式,同时对其铣头结构进行有限元分析,建立铣头结构三维模型。对其模态分析后,得出了其铣头箱体的前六阶固有频率和振型,与铣头切削时的振动频率进行比较。分析结果为评定方钻杆机床的动态特性提供了依据,并且为具有与其相似结构的铣头提供了理论基础。     

大口径火炮发射装药点传火模拟试验装置的研究

设计了一种大口径火炮发射装药点传火系统的模拟试验装置,用于测定大口径火炮装药点传火实体的燃烧特性。通过在该模拟试验装置上进行不同点传火结构方案的试验研究,筛选优化出点传火结构方案,进行了装药内弹道验证试验,测得膛压曲线光滑,压差曲线呈衰减状。实验说明该模拟装置,可以对不同点传火结构方案进行对比、筛选,为大口径火炮装药点传火结构设计以及火炮射击试验初期的安全评估,具有指导作用。     

定向凝固法生长多晶硅中位错密度降低的研究进展

位错可以通过缩短少数载流子寿命而严重限制多晶硅太阳电池的转换效率,随着对高转换效率的追求,研究多晶硅位错的重要性也随之增加.在介绍现有半导体晶体CRSS和HAS位错模型的基础上,归纳了定向凝固法生长多晶硅中应力、晶界、杂质、过冷度对位错形成的影响机制与缺陷腐蚀和原位检测等多种位错表征方法.重点阐述了控制固液界面形貌、籽晶、掺杂、硅锭制备工艺、硅片退火等技术对减少与抑制多晶硅位错的影响.最后,针对位错模型、位错表征以及多晶硅生长过程中位错的抑制和生长后位错密度降低技术进行了展望.