标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究

在经过校温的ECR-PEMOCVD装置上，通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底进行清洗、氮化实验，结果表明：经常规清洗的蓝宝石衬底的表面晶质差异很大；按照经验清洗30min是不能清洗充分的，那么根据情况进行多步清洗就显得很重要了；结果表明清洗得很充分的衬底经20min的氮化出来，而未清洗充分的衬底20min或更长的时间是不能氮化出来的。     

从RHEED图像间距分析外延GaN基薄膜表面晶格演变

通过简单叙述作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段的反射高能电子衍射(RHEED)以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系,提出了基于RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶体结构演变情况,并从衬底α-Al2O3的氢氮等离子体清洗、氮化、生长缓冲层以及生长外延层进行具体的分析、比较和演算。     

低温等离子体在CF／树脂基复合材料中的应用

介绍低温等离子体对碳纤维(CF)的表面改性及作用机理,综述低温等离子体处理对CF及其树脂基复合材料的化学和力学性能的影响,探讨了低温等离子体技术在碳纤维复合材料应用中存在的问题和研究方向。     

基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD薄膜生长温度分析研究

通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEMOCVD温度的方法.试验表明,置放样品的托盘温度(薄膜的生长的真实温度)与生长环境温度(设定温度)是不一样的,两者的差异甚至很大.最后讨论了在经过校温的系统上进行蓝宝石衬底的氢氮等离子体清洗实验,并通过RHEED图像评价清洗结果质量.     

深冷处理

采取控温式深冷处理高速钢,可使高速钢基体组织细化,微细碳化物弥散析出,成倍提高耐磨性。用于处理铜合金材料,可使铜合金材料发生组织转变,抗电烧蚀性大幅度提高。     

蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的RHEED研究

通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了ECR(电子回旋共振)等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石衬底的清洗与氮化作用,结果表明:在ECR氢等离子体中掺入少量的氮气可以明显提高蓝宝石衬底的清洗效果,从而获得平整而洁净的衬底表面;而采用ECR氮等离子体对经过氢氮混合等离子体清洗2 0 min后的蓝宝石衬底进行氮化,能观测到最清晰的氮化铝成核层的RHEED条纹,且生长的Ga N缓冲层质量是最好的     

冷弯薄壁型钢结构事故特点与处理

冷弯薄壁型钢结构有其自身的受力特点,如果设计、施工时对此不重视极易发生事故。文中论述了冷弯薄壁型钢结构事故特点及其发生的原因,并且通过实例进行了详细分析。     

多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响

采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以SiH4和H2为气源,在350 ℃的低温条件下,在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜.主要考察了中间层对多晶硅薄膜沉积质量的影响.实验证明,当中间层的沉积温度为350 ℃,H2流量为20 sccm时,得到多晶硅薄膜晶粒的直径最大,为53 nm;且随着中间层沉积温度的提高,薄膜的结晶度提高.     

基于离心分层技术的便携式血液检测系统

介绍了一种基于干式化学法的便携式血液检测系统.该系统以高精度数字信号处理器TM320VC5509A为控制核心,以线光斑半导体激光器为光源,以电荷耦合器(CCD)为光电转换器件,实现血细胞参数的检测.系统稳定性测试结果表明,血细胞参数的相对标准偏差均小于1.7％.与Sysmex XT-1800i血液分析仪的对比性测试实验表明,以红细胞压积(HCT)、血红蛋白(HGB)、淋巴及单核细胞(LM)、粒细胞(GRAN)、血小板(PLT)和白细胞(WBC)作为比对项目,相关系数分别为:0.991、0.972、0.952、0.986、0.979和0.985.该系统检测时间≤60 s,并具备测量记录显示、查询和删除等功能.该系统将在血液现场快速检测和急诊检查中有广泛的应用前景.     

北京印钞有限公司综合废水的处理与回用

北京印钞有限公司每日排放1 600m3的生活污水和120 m3的工业废水.根据清污分流原则,建设综合废水的处理与回用工程,将部分生活污水处理后回用于冲厕和绿化,将剩余生活污水与工业废水混合后处理达标排放.该工程运行后,节约了大量新鲜水,减少了COD排放,带来可观的经济效益和环境效益.