外延GaN基薄膜表面应变演变RHEED分析

介绍了反射式高能电子衍射仪(RHEED)衍射原理以及半导体薄膜表面原子间距与其衍射图像间距成反比例关系。分析了采用ECR-PEMOCVD生长技术,在α-Al2O3衬底上低温外延GaN基薄膜(氮化层、缓冲层、外延层)工艺过程。通过对RHEED图像分析软件获取不同工艺过程中的外延薄膜衍射条纹间距的数据分析、计算、比较,得到薄膜表面衍射图像间距的大小,依据RHEED衍射图像与原子面间距之间的对应关系,分析薄膜表面的应变状态演变情况。分析计算结果表明生长20min氮化层、20min缓冲层的表面原子层处于压应变状态,而生长180min的AlN外延层,表面则处于完全弛豫状态。     

GaN生长工艺流程实时监控系统

分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素.在此基础上,设计了一套以80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统,用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略.     

GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用

GaN具有禁带宽度大，热导纺高，电子饱和漂移速度大，临界击穿电压高和介电常数小等特点，在高亮度发光二极管，短波长激光二极管，高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景，本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性，材料生长以及在光电器件领域的应用，并对存在的问题和今后的发展趋势提出了自己的看法。     

ECR-MOCVD方法GaN单晶薄膜生长热力学分析

基于热力学平衡和化学平衡理论，针对电子回旋共振金属有机化学气相沉积(ECR-MOCVD)系统生长GaN的特点，给出了化学平衡模型和理论分析结果。计算得出了六方GaN的生长驱动力△P与生长条件(Ⅲ族源输入分压PGa^0、V／Ⅲ比、生长温度)的关系。发现在600—900℃内GaN沉积生长速率由Ⅲ族源气体的质量输运所控制。计算得到了六方GaN生长的决定因素和相图。理论计算和实验结果通过比较发现是吻合的。     

基于全局运动补偿的多运动目标检测方法研究

提出了一种动态背景下的对多个运动目标检测的完整方法.利用基于宏块匹配的六参数全局运动估计方法进行全局运动补偿,有效地消除了摄像机在非稳定运动情况下对目标检测性能带来的不利影响.同时在宏块匹配前进行了预处理,通过预判提取纹理信息丰富的宏块,并在宏块匹配的过程中采用九点十字搜索算法取代传统的三步搜索算法,减少了匹配数据量....     

MAX813L工作原理及其在51单片机系统抗干扰中的应用

文章介绍了MAX813L的性能特点和工作原理，并给出了在51单片机系统抗干扰中的具体应用实例，详细介绍了硬件连接电路和相应的软件抗干扰编程技巧。     

镓基砷化物、氮化物量子点研究进展

综述了半导体低维结构以及镓基砷化物、氮化物材料量子点的发展,涉及了外延生长机理、量子点的形貌结构特征,并着重介绍了镓基氮化物材料量子点的制备方法、研究的现状、面临的困难、应用发展现状,并对其未来研究趋势提出了看法。     

玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究

采用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化.结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的C轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电.