镀铜CF/ABS树脂复合材料的导电性能

通过在中间相沥青基炭纤维表面化学镀铜以提高纤维导电性能,并以热压法制备了短切镀铜炭纤维(Cu-CF)增强ABS树脂导电复合材料。采用SEM、EDS、XRD等表征方法研究了Cu-CF的镀层厚度、Cu-CF界面结构,以及镀铜厚度和Cu-CF的含量对复合材料导电性能的影响。研究表明,化学镀铜是铜晶粒不断长大与晶体结构更加致密的过程。Cu-CF的界面粘结受镀层厚度的影响,随着镀层厚度的增加,镀层与纤维之间出现间隙。Cu-CF的电阻率随镀层厚度的增加急剧降低,当镀层厚度增大至695nm后电阻率趋于稳定。采用镀层厚度为632nm的Cu-CF为增强相,当其体积含量为20%时,Cu-CF/ABS复合材料的电阻率为5.87×10-4Ω·cm,在导电功能材料领域具有很好的应用前景。     

液体质量双调谐阻尼器（TLMD）的设计方法研究

基于结构动力学和流体力学原理,对液体质量双调谐阻尼器(TLMD)的减振机理和计算公式作了推导,归纳了TLMD的设计方法。在此基础上,结合调谐质量阻尼器(TMD)的有限元模型,以及单自由度体系在给定初位移的自由振动试验,检验了TLMD设计方法的可行性与准确性。试验结果表明TLMD减振效果的试验值与模拟值吻合较好,且近似为调谐液体阻尼器(TLD)和TMD的叠加,整个设计过程较为简便。最后以30层钢框架结构的地震响应控制为例,演示了应用TLMD减震的设计过程。     

静电场促控植物生长条件的研究

静电场促进植物生长的有效性受多种因素的影响。研究表明,生长环境中的静电场是变化的,栽培基质的导电率是电场有效驱动植物吸收钙离子的控制因子;营养液栽培槽盛液的深度及根系在气液两相中的分配控制着电场驱动部分离子进入植株体内的效率和植株的生长速率;控制静电场的变化即可控制植物吸收和放出ＣＯ２的速率;高ＣＯ２浓度与一定变化规律的静电场相结合可大幅度提高植物的生物产量。     

基于快速SLIC的图像超像素算法

针对SLIC(Simple Linear Iterative Clustering)算法在超像素聚类过程中耗时较长的缺陷,提出一种基于快速SLIC的图像超像素算法。该算法首先剔除在颜色空间上与聚类中心相似度较低的像素,从而仅用部分近邻像素更新聚类中心,以确保聚类中心快速达到稳定并阻止误差传播,提高边缘命中率;其次,在初始化网格后,将每个超像素的边缘像素视为不稳定像素,将超像素的非边缘像素视为稳定像素并保持稳定像素的类别不变;最后,通过对不稳定像素进行迭代标记来实现快速超像素图像分割。在MATLAB环境下分别对所提算法与6种对比算法进行测试,在超像素个数相同的情况下,所提算法在BSD500数据集上与经典的SLIC算法相比分割误差率降低5%,分割精度提高0.5%,运行时间减少0.18 s。实验结果表明,与主流的超像素算法相比,所提算法在提升超像素分割质量的同时能够有效降低算法的计算复杂度。     

复合土工膜防渗技术在阿拉善左旗病险水库除险加固工程中的应用

根据近年来阿拉善左旗在病险水库除险加固工程中运用的复合土工膜进行防渗的实践,简要介绍了复合土工膜在当地病险水库除险加固工程中的施工经验、作用及体会。采用复合土工膜在当地病险水库除险加固工程中的防渗作用显著、效果良好,为同类地区的类似工程提供参考。     

基于局部强度折减ＮＭＭ的岩质边坡稳定性分析

为进一步完善岩质边坡安全系数及相应滑落面的确定手段,借鉴ＮＭＭ模拟大变形、大位移的优势,考虑边坡实际的局部损伤性,提出局部强度折减ＮＭＭ（ＬｏｃａｌＳｔｒｅｎｇｔｈＲｅｄｕｃｔｉｏｎＮｕｍｅｒｉｃａｌＭａｎｉｆｏｌｄＭｅｔｈｏｄ,ＬＳＲ－ＮＭＭ）,并将其应用到重庆兴隆隧道进洞口边坡稳定性评价中,与传统强度折减法、现场监测数据对比分析,且与自主研发的ＧｅｏＳＭＡ－３Ｄ系统进行耦合。研究结果表明:相较于传统强度折减法,局部强度折减ＮＭＭ与现场监测点位移数据拟合度更好,阐明了该方法具有一定精度及其可行性。该边坡最危险滑落面安全系数为１．１７６,且获得的滑落面位置与现场监测数据吻合度较高,与ＧｅｏＳＭＡ－３Ｄ系统耦合效果良好,并给出了相应治理方案,为现场灾害治理提供了参考性意见。     

一种高功率密度声光器件

针对高功率密度声光器件的应用需求,采用高熔点金属材料来制备器件键合层。通过ANSYS有限元分析软件建立器件热仿真模型,完成了对器件的热设计优化,并制作器件进行了验证。结果表明,器件在2 000 nm工作波长下衍射效率为81.6%,功率密度达到125.0 W/cm~2。     

基于部分高位平面预测的图像加密域可逆信息隐藏

提出一种基于部分高位平面预测的图像加密域可逆 信息隐 藏算法。本算法利用自然图像高位平面相关性高的特点,根据像素高位n(2相似文献   

高阻硅基GaN晶片上MIS栅结构GaN HEMT射频器件研制

5G 通信中3. 4~3. 6 GHz 是主要使用频段。GaN 射频器件由于高频、低功耗、高线性度等优势,满足5G 通信应用需求。文中在高阻硅基GaN 外延片上研制了AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT),并分析了金属鄄绝缘层鄄半导体(Metal-Insulator-Semiconductor,MIS)栅对器件直流和射频特性的影响。研究发现:相比于肖特基栅结构,MIS 栅结构器件栅极泄漏电流减少2~5 个数量级,漏极驱动电流能力和跨导提高10%以上;频率为3. 5 GHz 时,增益从1. 5 dB 提升到4. 0 dB,最大资用增益从5. 2 dB 提升到11. 0 dB,电流增益截止频率为8. 3 GHz,最高振荡频率为10. 0 GHz。