支撑光网络发展的Si基光子集成器件的研究进展

本文报道了可用于光网络系统终端OADM和OXC的Si基长波长量子阱窄带响应光电接收器、MOEMS和F-P TO宽频域光学滤波器、M-Z型 TO光开关和MMI多路分束器以及可变光强衰减器.用应变层SiGe/Si MQW研制的RCE光电接收器响应谱半宽FWHM<6nm,外量子效率η>4.2%;采用表面微机械加工的桥式光学滤波器,当外加电压0→50V,连续可调谐范围达90nm;彩全平面工艺研制的F-P腔TO滤波器,当外加电流0→57mA时,连续可调谐范围达23nm,FWHM<0.5nm.在SOI Si基片上研制的M-Z TO波导光开关,开关时间<30μs,功耗～100mW.开关消光比为-13dB和-10dB,1×4MMI多路分束器输出光声的不均衡性<0.36dB,总插入损耗为6.9dB.用背向对接的MMI构成的M-Z干涉仪实现了光强的可变调最大衰减量26dB,响应时间为100μs,插入损耗为4.8～7dB.     

MEMS工艺制备pH-ISFET/REFET功能膜研究

微电子技术的快速发展,促使硅基传感器向着集成化、微型化、可批量加工方向发展.对于pH-ISFET集成芯片而言,如何以MEMS工艺制备性能优良的pH功能膜,是其发展的关键.目的：以适合批量加工的MEMS工艺研制pH功能膜;方法：在小尺寸集成芯片的基础上,以MEMS工艺分别制备Ta2O5材料的pH敏感膜,PTFE材料的pH钝化膜;结果：在pH1～12范围内,Ta2O5膜pH-ISFET对H＋的灵敏度达56mV/pH,PTFE膜REFET对H＋的响应仅为0.13mV/pH;结论：采用MEMS工艺,可对以标准CMOS技术加工的ISFET集成芯片系统,进行后续加工,从而实现传感器芯片系统的全过程批量加工.     

应用Smartio C104H多串口卡实现多路信号采集及处理

本文论述了利用Smartio C104H多串口卡的串口通信技术,实现了多路岩石热解信号的采集分析处理。文中还对Smartio C104H多串口卡在YKR-Ⅰ岩石快速热解仪的应用进行了研究,并介绍了基于visualc++实现的上位机通信设计原理。     

柴油机曲轴和轴瓦的磨损失效分析

柴油机曲轴和轴瓦的磨损是导致柴油机使用过程中发生故障或失效事故的最常见的原因之一，其中，固然诸如润滑不良、过载、杂质污染等，使用方面的问题也是导致局部磨损的重要因素，但是曲轴和轴瓦的设计制造质量，则是决定轴件磨损寿命和系统运行稳定性的关键因素。     

碳纳米管的场发射特性

研究了碳纳米管的场致发射特性，实验证明碳纳米管作为场发射阴极材料具有优越性。通过对碳纳米管进行温度处理，得到了与基片附着力强的碳纳米管；测试了场发射特性，发现碳纳米管其开启电压较低(30V)。     

电视台融媒体技术的发展与创新应用

现阶段,融媒体技术成为了人们生活中必不可少的一部分,其自身具有较大的功能特点,在媒体行业领域内占据着重要地位.对于广播电视台来说,在发展过程中应当要重视融媒体技术的应用,并通过融媒体自身所具有的创新应用特点,积极转变传统电视台媒体技术中存在的弊端,实现数字化的融媒体技术转型升级,最终让电视台媒体技术的质量得以有效提升....     

广播音频制播网络系统的技术安全维护措施

安全播出是广播电台的生命线。音频制播网络系统作为广播电台的关键枢纽,在安全播出保障中发挥着重要作用。现如今的音频制播网络系统应用了先进的计算机网络技术,因此,必须针对网络链路、服务器、数据库及工作站等方面做好技术安全维护工作,才能保障广播音频制播网络系统的安全稳定运行。基于此,笔者结合工作经验,对广播音频制播网络系统的技术安全维护措施提出几点建议。     

InP微透镜的设计与制作北大核心

高速光电探测器采用芯片背面带微透镜的背入射结构,利用微透镜对光的汇聚提高芯片与光纤的耦合效率。软件模拟发现,光敏面直径为30μm的芯片采用背入射结构时,其等效光敏面直径大于50μm,并且透镜拱高为8～15μm时,能更好实现对光的汇聚。对于InP微透镜的制作,首先要制作出透镜形状的光刻胶胶型,然后通过电感耦合等离子体（ICP）刻蚀将光刻胶图形转移到InP衬底上。光刻胶坚膜温度与坚膜时间对光刻胶形成透镜形状有很大影响。通过优化条件,150℃坚膜3 min的光刻胶呈规则透镜形状,并且表面光滑无褶皱。通过调节反应离子刻蚀（RIE）功率和ICP功率找到了合适的InP刻蚀速率,调节Cl2和BCl3的体积流量比改变了InP和光刻胶的刻蚀选择比,从而制作出不同拱高的微透镜。     

一种高功率密度声光器件

针对高功率密度声光器件的应用需求,采用高熔点金属材料来制备器件键合层。通过ANSYS有限元分析软件建立器件热仿真模型,完成了对器件的热设计优化,并制作器件进行了验证。结果表明,器件在2 000 nm工作波长下衍射效率为81.6%,功率密度达到125.0 W/cm~2。