金矿氰化浸出强化技术研究

本文分析研究了氰化浸出理论,从助浸剂、浸出设备、浸出工艺等方面总结了金矿氰化浸出强化技术的研究现状,提出了金矿氰化浸出强化技术的发展方向。     

砂岩型氧化铜矿选矿研究

本文简述了以杨叶氧化铜矿为对象进行的砂岩型氧化铜矿选矿试验,结果获得了铜品位为18．22％,铜回收率81．89％的选矿技术指标。     

采样法原理电度表实现电能脉冲均匀化的处理方法

对采样法原理电度表的电能脉冲的产生方法及其均匀性进行了讨论,重点介绍了Ｄ－Ｆ变换原理和将其应用在采样法原理电度表中的特殊问题及为此而新研发的双重积分加平滑式Ｄ－Ｆ法。有杉该法可将电能脉冲的均匀度轻而易举地提高到优于０．０２５％,因此可方便地进行单脉冲校验。     

基于ANSYS柱塞副配合间隙的仿真分析与试验验证

挖掘机用斜盘式轴向柱塞泵经常出现柱塞"卡死"的现象,造成柱塞泵滑靴脱落,回程盘碎裂,使泵无法工作。为解决此问题,需研究柱塞与缸体的最佳配合间隙值。以排量112 mL/r的柱塞泵为例,利用ANSYS-Workbench软件对不同柱塞副间隙值的柱塞与缸体的压力变形、热变形和热力耦合变形进行仿真分析,研究不同的柱塞副间隙值对泵的容积效率的影响。通过分析提出柱塞与缸孔间隙的建议取值,通过试验验证,泵不会造成"卡死"现象,同时其容积效率可以达到96%～97%。此研究对不同斜盘式轴向柱塞泵柱塞副最佳间隙的选择提供了参考。     

用电雷管延期测试系统测试导爆管雷管延期时间的方法

通过对多通道电雷管延时测试系统的改进,使之兼具测试电雷管和导爆管雷管延期时间的能力。研究解决了塑料导爆管自身发光和相邻通道雷管爆炸火光对测试的影响问题。在检测雷管延期时间的同时,还能够进行铅扳穿孔试验。     

新型六角点阵光子晶体光纤的高双折射低损耗特性

设计了一种新型六角点阵光子晶体光纤,该光纤在波长1 350～1 800nm范围内呈现高双折射低损耗大负色散。采用全矢量有限元法结合各向异性完美匹配层边界条件,对其双折射、约束损耗、色散、非线性和模场等特性进行了数值模拟。研究表明,新设计的光纤对模场有很强的约束能力,在波长1 550nm处双折射高达2.08×10-2,模约束损耗接近10-1 dB·km-1,负色散值高达-910ps·km-1·nm-1,模场面积高达2.67μm2,非线性系数仅有0.043m-1·W-1。该光纤将在光纤激光器、光纤放大器、光滤波器和光纤传感系统方面有重要的应用。     

基于网络药理学的天麻抗缺血性脑中风作用机制研究

使用SciFinder、CNKI、Pubchem、SwissADME及Swiss Target Prediction数据库得到天麻活性成分及靶点;利用Genecards、TTD及Drugbank数据库获得缺血性脑中风的潜在靶标;通过Venny在线软件平台得到天麻与疾病的交集靶点,并将其导入Cytoscape软件构建“成分-靶点”网络图;利用String数据库及Cytoscape软件构建PPI网络与核心靶点筛选;通过Metascape平台进行GO和KEGG富集分析。通过筛选获得天麻活性成分35个、天麻靶点498个;缺血性脑中风相关靶点1031个;天麻与疾病共同靶点170个;GO富集分析得到1914条生物过程、111条细胞组分表达过程、190个与分子功能相关的过程;KEGG富集分析得到306条信号通路。天麻可能通过酚性化合物作用于关键靶点GAPDH、CASP3、STAT3、AKT1、MAPK3及MAPK8,发挥对cGMP-PKG、HIF-1、cAMP、AMPK等信号通路调节作用,干预细胞凋亡、血管再生、炎症反应、氧化应激反应及能量代谢障碍等机制防治缺血性脑中风。     

宽带无线Mesh网络中的多扇区天线阵列设计

在宽带无线Mesh网络中,为了扩展传输距离和提升链路速率,天线的性能至关重要。提出了一种多扇区天线阵列,每个扇区天线为带反射板的微带偶极子阵列天线,工作频段为5.1～5.9 GHz,其水平主瓣张角为45°,增益为18 dbi。多扇区天线阵列共包括8个扇区,信号在各扇区天线间进行动态切换,从而实现水平360°全向覆盖。通过采用HFSS三维电磁场仿真工具进行仿真及实际生产并在微波暗室中进行测试,结果表明和传统无线Mesh网络所采用的全向天线相比,在满足全向覆盖的同时,天线的方向性有了很大的改善。     

多扇区天线阵列中的微带开关设计与实现

在宽带无线网络中,为了扩展传输距离和提升链路速率,天线系统的性能至关重要。提出了一种应用于多扇区天线阵列中的单刀八掷微带开关,工作频段为5．7-5．9GHz,多扇区天线阵列共包括八个扇区,每个扇区天线水平面波束覆盖范围为45°,信号通过单刀八掷微带开关在各扇区天线间进行高速波束动态切换,从而在满足高增益的同时实现了水平360°全向覆盖。单刀八掷微带开关由微带线和PIN二极管构成,通过采用ADSMomentum电磁场仿真工具进行仿真及实际生产并进行测试,结果表明所设计的单刀八掷微带开关的插入损耗、隔离度和驻波比等关键性能指标均达到设计要求。