柴油机DPF后颗粒物排放研究

在一台满足欧Ⅵ排放标准的柴油机上燃用国Ⅴ柴油,带柴油机颗粒捕集器(DPF)进行了欧洲稳态循环(ESC)、欧洲瞬态循环(ETC)、全球统一稳态循环(WHSC)和全球统一瞬态循环(WHTC)试验。试验结果表明:在试验循环的瞬态过程中,发动机排气经过DPF后,较大的排气背压变化率绝对值峰值仍会导致排气中出现颗粒物数量浓度瞬时峰值。ESC循环试验中平均粒径[50nm,80nm]区间内总颗粒物数量排放占全部颗粒物的90%,WHSC中平均粒径[60nm,110nm]区间内总颗粒物数量排放占全部颗粒物的87%,ETC在平均粒径[10nm,70nm]区间内总颗粒物数量排放占全部颗粒物的80%,WHTC在平均粒径[10nm,40nm]和[50nm,60nm]区间内总颗粒物数量排放占全部颗粒物的85%。     

柴油机燃用棉籽生物柴油的排放颗粒物成分

共轨柴油机采用不同混合比例的棉籽生物柴油运行时,对排放颗粒物的可溶有机成分以及多环芳烃含量进行了分析.在ESC和ETC试验循环下对颗粒物进行化学分析,发现柴油机颗粒物的排放量随着棉籽生物柴油的混合 比例增加而降低,同时可溶有机成分(SOF)含量增加,高于燃用纯柴油时1～3倍,ETC循环下的SOF含量较ESC循环下的含量高3%～10%.随着生物柴油混合比例的增加,多环芳烃萘、苊、苊烯、芴、菲、蒽、荧蒽和芘等排放呈逐步降低趋势.     

由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器

本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并制成了２×３列阵器件。     

HF/CrO3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备

利用动态掩膜腐蚀技术,研究了HF/CrO3腐蚀液对各种不同组分的AlxGa1-xAs(x＝0.3,0.5,0.65)的腐蚀速率及腐蚀表面形貌.随着HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比由0.01变化到0.138,相应的腐蚀液对Al0.8-Ga0.2As/Al0.3Ga0.7As的选择性由179降到8.6;通过调节腐蚀液的选择性,在Al0.3Ga0.7As外延层上制备出了倾角从0.32°到6.61°的各种斜面.当HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比为0.028时,Al组分分别为0.3、0.5和0.65时,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为1.8、9.1和19.3nm.另外,还分析了腐蚀机理与腐蚀表面形貌之间的关系.     

双级串联DOC+POC柴油机排放特性研究

为了应对"特京五"对颗粒物数目的要求,在一台满足国Ⅳ标准柴油机上,以国Ⅴ柴油原排试验结果为基准,对一组氧化型催化器(DOC)+微粒氧化催化转化器(POC)后处理和两组DOC+POC后处理串联时热态全球统一瞬态循环(WHTC)的气态污染物和颗粒物排放结果进行了对比研究。结果表明:单组DOC+POC的净化能力为颗粒物质量降低63%,颗粒物数目降低23%;两组DOC+POC串联可使颗粒物质量降低74%,颗粒物数目降低79%,并可以避免一组DOC+POC方案时颗粒物数量浓度瞬时排放超过原排的现象。采用两组DOC+POC串联方案时,燃用国Ⅲ柴油的排放结果与国Ⅴ柴油的排放结果基本持平,表明两组DOC+POC串联后处理方案可以克服燃油品质变差对颗粒物排放带来的不利影响。     

低氢型结构钢焊条的工艺性判定

利用汉诺威分析仪对低氢型结构钢焊条的焊接参数进行测试分析,发现低氢型结构钢焊条短路过渡形态的特征与加权燃弧时间T3及过渡周期时间TC有关,据此建立低氢型结构钢焊条的特征信息对应关系图,为科学评价低氢型结构钢焊条的工艺性提供了新思路.     

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.     

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

采用BCl3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制.实验结果表明:在同样条件下GaAs刻蚀的速率高于DBR和AlAs,在一定条件下GaAs刻蚀的刻蚀速率可达400nm/min,AlAs的刻蚀速率可达350nm/min,DBR的刻蚀速率可达340nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌,同时能够形成陡直的侧墙,侧墙的角度可达85°.     

基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合

提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.     

基于InP/空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器

报道了一种长波长的In P基谐振腔(RCE)光电探测器.采用选择性湿法刻蚀,制备出基于In P/空气隙的分布布拉格反射镜,并将该结构的反射镜引入RCE光电探测器.制备的器件在波长1.5 10 μm处获得了约5 9%的峰值量子效率,以及8GHz的3d B响应带宽,其中器件的台面面积为5 0 μm×5 0 μm.