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提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致. 相似文献
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利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0 28As06P0.4的选择性由42.4降到1.4;通过调节腐蚀液的选择性,在In072Ga0.28As06P0.4外延层上制备出了倾角从1.35°到35.9°的各种楔形结构;当x为0.025和1.25时,相应的In0.72Ga0.28As0.6P0.4腐蚀表面的均方根粗糙度分别为1.1nm和1.6nm.还研究了溶液的组分与InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4)的腐蚀速率间的关系,并对腐蚀机理进行了分析. 相似文献
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车用金属催化剂经盐酸溶解,过滤滤渣经灰化研磨为试验样品。将样品碱熔融后采用碲共沉淀分离富集其中的Pt、Pd和Rh,建立了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定样品中Pt、Pd和Rh的方法。设计正交试验L9(34)对过氧化钠用量、熔融温度、盐酸体积、碲沉淀时间等溶解条件进行了研究。通过选择合适的测定同位素消除了可能存在的质谱干扰;选用In作为 Pd和Rh的内标,Tl作为Pt的内标消除了信号漂移的影响。方法应用于车用金属载体催化剂企业标准样品KTA038中Pt、Pd和Rh的测定,测定值与参考值一致,相对标准偏差在3.1%~4.9%之间,回收率在98%~102%之间。 相似文献
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Visible Vertical-cavity Surface-emitting Lasers (VCSELs) have been designed and fabricated by using metalorganic vapor phase epitaxy. Using the 8λ optical cavities with 3 quan tum wells in A1GaInP/AlGaAs VCSEL's to reduce the drift leakage current and enhance the model gain, the device can operate continuous wave at wavelength of 670nm. For better performance, a misoriented (100) substrate (6~10° to (110)) has been used to reduce the ordering of AlGaInP. However, as the angle of misorientation increased, the symmetry of the structure became worse. This made it difficult to achieve little aperture device. By using 45° rotated selective oxidation method, a little aperture (1 × 1μm2) device with low threshold of 0.25mA can operate continuous wave at room temperature. 相似文献
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结合具体工程实例,详细分析了排水检查井施工的具体工艺流程及各施工环节应注意的施工技术要点,以保证检查井的施工质量,从而达到排水畅通、路面美观、行车舒适的良好效果。 相似文献
100.
以含钢率、长细比、材料强度为主要参数,利用有限元软件ANSYS对方钢管混凝土柱在轴力和水平荷载作用下进行了非线性有限元计算,研究表明:方钢管混凝土柱达到极限荷载后,仍表现出良好的延性和后期变形能力,其受力性能明显优于空钢管试件和钢筋混凝土试件。 相似文献