电流模技术与电流模电路

电流模技术与电流模电路清华大学电子工程系（１０００８４）高文焕李冬梅电流模技术是指电流模集成电路的理论基础、电路设计、制造及应用技术。它是与高速集成工艺相伴发展的新兴技术。用电流模技术设计的模拟集成电路速度快、精度高、频带宽、线性好，可以说是模拟集成...     

不清根手工双面焊材料及工艺研究

本文分析了中厚板传统手工双面焊存在的诸如打底焊焊缝质量无法保证，需用碳弧气刨清根；工人劳动强度大；生产效率低；焊接质量不稳定等主要问题。为提高打底焊焊道质量，不用清根使背面得到良好的凹成形，研制了适合Ｘ形坡口的梯形体陶瓷衬垫。探讨了焊缝背面成形的主要影响因素及控制方法。     

低压真空渗碳设备的特点及生产应用

一、低压真空渗碳设备的主要特点 低压真空渗碳设备是与低压真空渗碳技术同时出现的一种设备。该类设备的突出特点是选择的多样性，并且具有多种用途和先进的渗碳控制系统。     

一起500kV线路计量点事故隐患的分析与思考

本文简要介绍了500kV某回线计量点验收时发现事故隐患的过程,从电容式电压互感器本身结构出发,详细分析了产生事故隐患的原因、带来的危害等,并由此提出了计量点验收工作的重要性和必要性。     

矿井通风阻力及主要通风机技术测定中存在问题浅析

针对现场测定中存在的通风阻力路线不闭合的情况，提出了主要通风机测定及其性能曲线应用的改进意见。     

iPanel交互电视亮相高交会带给用户“十尺体验”

在备受业界瞩目的第八届高交会上的一个展厅里。深圳茁壮网络公司的员工正在通过遥控器。让用户轻松地看电视、玩游戏、上网。体验丰富的数字化内容。这就是该公司iPanel交互电视带给用户的“十尺体验”。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

基于嵌入式计算机和Ethernet的分布式波控系统

介绍一种基于嵌入式计算机和以太网(Ethernet)的相控阵雷达分布式波控系统。整个波控系统以数个嵌入式计算机为核心，通过以太网与雷达的控制计算机通讯。     

爆破时差对地震效应的影响

通过对一次爆炸量为65t的硐室大爆破地震效应的实测,得出了一些有价值的结论。