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61.
高文栋 《机械工人(热加工)》2007,(10):22-23
一、低压真空渗碳设备的主要特点
低压真空渗碳设备是与低压真空渗碳技术同时出现的一种设备。该类设备的突出特点是选择的多样性,并且具有多种用途和先进的渗碳控制系统。 相似文献
62.
采用稀土氧化物和无机化合物的复合物(不简称RI-复合物)作为搪瓷釉浆悬浮剂,使之全部或大部分代替粘土,进行了一系列试验,已获得成功,突破了长期来搪瓷工业离不开粘土的传统工艺,并实现了工业化生产。 相似文献
63.
介绍了采用冲压-旋压复合工艺成形静触头座的过程。其中包括:变薄旋压成形薄壁筒体,扩口翻边成形法兰,普旋方式成形异形管口等。对主要工艺参数如主轴转速、进给率、旋轮形状、道次变形率、模板形工等作了简要介绍。该成形工艺对同类异形回转体有一定参考意义。 相似文献
64.
65.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
66.
"安捷伦半导体要被并购了!"耳语多时后,这个风声终于在2005年的最后一个月尘埃落定,正式向大众揭开它神秘的面纱--Kohlberg Kravis Roberts&Co.(KKR)和Silver Lake Partners两家资产管理公司,于2005年8月15日宣布以26.6亿美元的天价收购安捷伦科技半导体产品事业部,并于2005年12月1日正式完成相关作业,新公司命名为--Avago Technologie(安华高科技,发音为a-va'-go),成为全球最大的非上市独立半导体公司,由华人总裁暨首席执行官Dick Chang为首领军. 相似文献
67.
基于嵌入式计算机和Ethernet的分布式波控系统 总被引:5,自引:2,他引:3
介绍一种基于嵌入式计算机和以太网(Ethernet)的相控阵雷达分布式波控系统。整个波控系统以数个嵌入式计算机为核心,通过以太网与雷达的控制计算机通讯。 相似文献
68.
69.