偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长

化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术.为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向<1120>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行4H-SiC的同质外延生长.表面形貌是SiC外延材料质量好坏的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因.利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.     

PAP-D复合材料盐雾老化研究

分析了在海岛弹药储存可靠性下降的原因中，盐雾是海岛弹药储存可靠性下降的一个重要原因；通过对新型材料-PAP-D复合材料的耐盐雾老化试验；指出PAP-D复合材料的耐盐雾效果及在海岛洞库防潮领域的应用前景。     

液相外延生长准三元InP缓冲层位错密度降低的研究

本文报道了在InP衬底上,生长应变等电子掺杂的缓冲层位错密度的降低。     

几种冲孔翻边复合模

<正> 如图1所示的冲压件,一般需要两道工序;1冲孔,2翻边,需要两套单工序模具。也可在一套复合模上同时完成冲孔和翻边工序,而究竟采用什么样的复合模结构,仍需视制件的具体情况而定。     

关于检测机构实验室信息系统建设的思考

实验室信息管理系统(LIMS)是实验室提高工作效率、提升数据质量的重要工具,针对武汉产品质量监督检验所LIMS系统现状,提出LIMS系统应加强样品信息自动采集系统,仪器设备数据采集系统、与其他管理软件集成系统的搭建思路.     

4H-SiC低压热壁CVD同质外延生长及特性

为了获得高质量4H-SiC外延材料,研制出一套水平式低压热壁CVD(LP-HWCVD)生长系统,在偏晶向的4H-SiCSi(0001)晶面衬底上,利用“台阶控制生长”技术进行了4H-SiC的同质外延生长,典型生长温度和压力分别为1500℃和1.3e3Pa,生长速率控制在1.0μm/h左右.采用Nomarski光学显微镜、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射、Raman散射以及低温光致发光测试技术,研究了4H-SiC的表面形貌、结构和光学特性以及用NH3作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,并在此基础上获得了4H-SiCp-n结二极管以及它们在室温及400℃下的电致发光特性,实验结果表明4H-SiC在Si     

基于提高综合保障能力的弹药包装改进构想

分析了我军弹药包装存在的问题,并结合我军弹药包装现状.在力求提高弹药综合保障能力基础上,提出了2种新的弹药包装结构改进方法.     

净水厂水泵机组高压变频调速系统的设计与运行

本文结合吉林市第三净水厂变频调速设计的实例,介绍了多电平拓扑电路原理及特点。应用变频器的节钱分析,以及提出送水泵房优化控制的想法,并且介绍了调速系统的标准配置。     

雷林桉KP氧脱木素浆C段ClO2高白度漂白

对雷林桉硫酸盐制浆后的氧脱木素浆进行了在氯化段添加ClO2的(C+D)PD(含CPD)的漂白实验.结果表明.氯化段添加ClO2能明显提高漂白的选择性,漂后浆的黏度能保持在900 mL/g 以上;不添加ClO2氯化的纸浆黏度最大可下降近40%,终漂浆的黏度只及氧脱木素浆的50%左右.     

成衣臭氧空气水洗工艺

广州锦兴纺织漂染有限公司;杭州绿风科技有限公司; 摘要:介绍了一种新型成衣水洗方式即臭氧空气水洗工艺。通过实践发现,冷水臭氧水洗工艺优于热水臭氧水洗工艺;并指出臭氧水洗是将污染物转化为无毒的二氧化碳、水或氧气,因而不产生污染残留物;同时臭氧水洗后还可赋予衣物残旧效果和蓬松柔软的手感。