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PLC在中药机械中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍中药行业中制取颗粒冲剂的简单工艺要求,以及沸腾干燥设备中PLC控制系统的硬件组成及软件设计。 相似文献
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讨论集成电路内引线的设计.在一定电压下,利用Maple数学软件包为0.2μm长度的光滑内引线绘制了宽度为0.1μm时电阻和电流与不同高度的关系.内引线指定与集成电路AD8622的发射极相连接,因此流过此内引线的电流为Isr=0.350mA.于是确定了0.2μm长度的光滑内引线的两端电压降为0.2mV.当内引线长度为n×0.2μm时,两端电压降为n×0.2mV.本文提出,当引线中流过电流I(/mA)时,不同引线长度L(μm)、宽度W(μm)、和高度h(μm)引线两端所应加的设计电压的一个普适的简式:AU=0.2×I×0.1×L×0.061/(0.35W×0.2h) (mV).同L时要求引线长度方向上△U/L在几mV/μm数量级以下.当引线中有气泡时,在此电压下,讨论了气泡的半径对其电阻、电流的影响.获得了引线中的电流分布,并指出在引线中气泡的最大突起半径外缘电流表现出拥挤和气泡的半径对全引线电阻的影响.所提供的有关数据可用于集成电路内引线的设计. 相似文献
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一种基于改进PSO和FCM的图像分割算法 总被引:1,自引:0,他引:1
在模糊C-均值聚类算法的基础上,提出了基于改进粒子群和模糊C-均值聚类的混合图像分割算法.该算法利用改进粒子群算法优化模糊C-均值的目标函数,同时引入聚类有效性指标,通过迭代更新搜索到合理的分割类别数和聚类中心实现自动确定图像分割最佳类别数,并根据最佳类别数确定最优聚类中心的选取,最终实现图像的自适应分割.实验结果表明... 相似文献
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The diameter of Czochralski (Cz) sapphire crystals is 50 ram. The sapphire substrates were lapped by using diamond powders and polished by chemical mechanical polishing(CMP) method using alkali slurry with SiO2 abrasive. After obtaining the smooth surfaces, the chemical-etching experiments were processed by using fused KOH and NaOH etchants at different temperature for different times. The dislocation was observed by means of optical microscope and scanning electron microscope. The clear and stable contrast images of sample etching pits were observed. On the whole, the dislocation density is about 104-105 cm^-2. Comparing the results under the conditions of different etchants, temperatures and times during the etching proceeding, it was found that the optimal condition for dislocation displaying is etching 15 min with fused KOH at 290 ℃. At the same time, the formation of the etch pits and the reducing method of dislocation density were also discussed. 相似文献
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介绍原子力显微镜功能、原理和结构,用于检测原子之间的接触来呈现样品的表面形貌特性,如粗糙度、起伏不平整度等,提供三维表面图像。常用的是激光反射检测系统,由探针、激光发生器和光检测器组成。探针是由悬臂和悬臂末端的针尖组成,悬臂是由Si或Si3N4经光刻技术用MEMS技术加工而成。当在样品表面扫描的探针引起悬臂梁弯曲时,产生应力。再由压电陶瓷能将十几分之一纳米到几微米的位移而导致的应力信号转换成1mV~1000V的电信号,以代表样品表面的不平整度。同时简单介绍了利用原子力显微镜观察不同退火温度对制备的气敏传感器薄膜表面晶粒度的影响,以及不同腐蚀液抛光硅片的效果。 相似文献
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针对CMOS运算放大器设计中缺乏自动设计工具,采用手工设计很难提高电路性能的问题,基于群智能技术提出了一种改进的粒子群优化算法(PSO)来进行全局优化求解.主要将CMOS运算放大器的电路性能解析方程转化成粒子位置的求解,先初始化粒子的速度和位置,然后不断迭代更新,直到搜索出全局最优值.仿真结果表明,该方法可以提高CMOS运算放大器的性能,在精度和速度上优于遗传算法和基本PSO算法的设计效果. 相似文献