扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展

半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位。扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性。简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测。探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望。     

水电厂高压气系统关联监测方法研究

辅助系统运行可靠性将直接影响水电厂的安全经济运行,因而有必要对辅助系统的运行状态进行实时在线监测.在介绍水电厂高压气系统工作原理基础上,总结了水电厂高压气机异常启、停与相应故障对应关系,提出了高压气系统关联监测模型,并利用梯级水电厂群远程集控系统提供的海量数据源,建立了水电厂高压气系统的远程分析与故障诊断平台,目前,该...     

利用原子淀积Al2O3对InP光学稳定性的研究

提出一种钝化InP表面的新方法湿法钝化和干法钝化相结合。这种新型的钝化方式有效地降低了InP表面态密度,并使其表面暴露在空气中一段时间后仍具有较好的稳定性。实验利用光致发光（PL）谱,对样品的发光性质进行测试。通过对样品进行XPS测试表明,通过对样品进行退火处理,可增强In-S键结合强度,进一步降低表面态密度。最后,利用原子力显微镜（AFM）对样品的表面形貌进行表征。     

纳米结构二硫化钼的制备及其应用

二硫化钼是一种典型的过渡金属二元化合物, 以其独特的化学、物理性能而备受关注。本文综述了纳米二硫化钼常见的多种形貌结构, 包括富勒烯状、球状、花状、线、片、棒、管状等; 概述了其常用的制备方法, 包括: 化学气相沉积法、高温硫化法、剥离法、电化学沉积法、水热及溶剂热法等; 总结了纳米结构二硫化钼在润滑、催化、光电器件等领域的研究进展, 最后展望了二硫化钼材料的研究前景。     

五强溪水电厂工业电视监控系统数字化改造

随着电力系统自动化程度的不断提高,以及水电厂适应“无人值班”（ 少人值守）运行模式的要求,五强溪水电厂对常规工业电视监控系统进行了数字化技术改造 。文中介绍了该技术改造的内容、系统特点以及运行情况。该系统经过改造后,水电厂设备 运行更加安全可靠,维护方便,降低了运行值班人员的工作强度。     

基于Cr(Ⅵ)/Cr(Ⅲ)价态转化的铬废水治理技术研究

将微纳米聚吡咯(PPy)分散在生物质凝胶体系中,构建光敏感的凝胶复合材料,利用PPy的光还原特性及Cr(Ⅵ)/Cr(Ⅲ)的价态转化,在凝胶材料内部实现Cr(Ⅵ)的吸附-光还原-固化-再吸附的循环富集过程,最终形成富集态的铬团簇。结果表明,相较于其他生物质,壳聚糖(CS)与PPy的复合能够有效吸附Cr(Ⅵ),壳聚糖的脱乙酰度越高吸附能力越强,最佳吸附条件为：50 mL浓度50 mg/L的Cr(Ⅵ)溶液,吸附剂用量1.0 g,温度36℃,pH 3.3。SEM、UV-Vis光谱、红外光谱和X射线光电子能谱表征证实,CS与PPy可有效复合,复合材料具有宽泛的光吸收能力,吸附的Cr(Ⅵ)可光催化还原为Cr(Ⅲ),并可利用Cr的价态转化,进一步吸附Cr(Ⅵ),实现Cr团簇体的形成。     

五凌公司大坝安全管理信息系统开发与应用

介绍了五凌公司大坝安全管理信息系统的建设情况,该系统由长沙监测中心站和电站监测分中心站组成,实现长沙监测中心对沅水流域电站大坝的远程监控、资料整编与分析、综合安全评估、决策支持、信息网络报送等功能.系统采用分层、面向服务体系结构,具有扩展性、兼容性以及高度智能化、自动化等特点,对国内流域梯级电站大坝安全管理信息系统的建设与管理有一定的借鉴作用.     

高海拔潮气量双环PID控制系统研究

为解决高海拔地区气压降低导致急救呼吸机潮气量控制精度下降的问题,提出了双环PID潮气量控制系统。该系统采用气压补偿型PID控制器调整风机转速,并辅以积分分离式PID控制器,以实现对气流速度的精确控制。在实际海拔4 370 m、大气压59 kPa的环境中,系统性能测试表明,相较于单环PID控制,双环控制系统在高海拔条件下表现出快速响应和无超调的卓越性能。平均气流速度输出误差为3.19%,最大误差为4.1%,优于现有临床设备的准确性。这一技术突破不仅提供了高海拔急救呼吸机潮气量控制的有效解决方案,也为特殊环境下的通气控制技术发展贡献了重要参考。     

2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究

为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟.研究表明,在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构,提高对载流子的限制能力.当条宽为120 μm、腔长为1 000 μm时,采用应变补偿量子阱结构的激光器的阈值电流为91 mA,斜率效率为0.48 W/A.与压应变量子阱激光器相比,器件性能得到明显的改善.     

基于组分调节减小AZO表面等离子体损耗的研究

在蓝宝石衬底上制备了具有不同铝(Al)掺杂浓度的掺铝氧化锌(AZO)薄膜,并对其进行了紫外-可见吸收光谱、霍尔效应、折射率及介电常数测试,研究了Al组分对AZO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响。随着Al组分浓度的逐渐增大,AZO薄膜吸收边发生蓝移且吸收强度逐渐减小,光学损耗减小;同时,载流子浓度与迁移率先增大后减小,而电学损耗先减小后增大。