辐照后4H-SiC带电粒子探测器的特性研究

碳化硅材料因其禁带宽度大、晶体原子离位能高等物理特性,被视为制作耐高温、抗辐射器件极具代表性的宽带隙半导体材料。为观察辐照对4H-SiC肖特基二极管带电粒子探测器的电学特性及对α粒子响应的能量分辨率的影响。利用60Co源的γ射线对4H-SiC肖特基二极管探测器进行辐照实验。经过总剂量为1 000 kGy的γ射线辐照后,探测器的正向电流相较于辐照前减小了三个数量级;反向电流值在0～120 V偏压下没有明显变化,当反向偏压高于120 V时,反向电流值变化明显。同时,辐照前后对α粒子的能量分辨率没有明显变化。     

碳量子点的合成、性质及其应用

碳量子点(CQDs,C-dots or CDs)是一种新型的碳纳米材料,尺寸在10nm以下,具有良好的水溶性、化学惰性、低毒性、易于功能化和抗光漂白性、光稳定性等优异性能,是碳纳米家族中的一颗闪亮的明星。自从2006年[1]报道了碳量子点(CQDs)明亮多彩的发光现象后,世界各地的研究小组开始对CQDs进行了深入的研究。最近几年的研究报道了各种方法制备的CQDs在生物医学、光催化、光电子、传感等领域中都有重要的应用价值。这篇综述主要总结了关于CQDs的最近的发展,介绍了CQDs的合成方法、表面修饰、掺杂、发光机理、光电性质以及在生物医学、光催化、光电子、传感等领域的应用。     

碱性（NH4）2对n型GaSb钝化表面的研究

利用光致发光光谱（Photoluminescence。简称PL）、光扫描系统（PLMapping）、原子力显微镜（Atomic Force Microscope,简称AFM）等测试手段,研究碱性（Nil4）2s对n型GaSbSE4L表面的影响,发现与未处理的GaSb表面相比,其光学性质明显提高。当硫化时间为180s时,光学强度提高了10倍左右,发光均匀性和表面平整度也达到了最优。同时,分析了钝化效果的时效性,发现当钝化后的样品放置于空气中48h时,钝化效果基本消失。     

注入压降试井在沁水煤层气田中的应用研究

为了避免解释结果的多解性,深入研究了流体及储层参数的变化对解释结果的影响,并根据实测数据归纳出流体黏度、储层压缩系数等参数的取值范围。研究结果表明:注入参数的设计关系注入测试的成败,也决定着测试数据能否反映储层信息;流体及储层参数的变化影响试井解释结果,误差可达到10%以上。该研究将有利于解决煤层气井测试数据及解释异常的问题。     

硬X射线聚焦波带片的设计及制作

针对惯性约束性聚变(ICF)实验中高分辨靶源辐射成像的需要,对结合电子束光刻和X射线光刻制作大高宽比菲涅尔波带片的制作工艺进行了研究。首先采用带有自支撑薄膜的衬底进行电子束光刻和微电镀技术来制作X射线光刻掩膜,以此来降低电子束光刻过程中的背散射,然后采用多次X射线曝光和全水电镀的方法来增强大高宽比图形的抗倒性,从而完成了大高宽比波带片结构的制作。对所制作的自支撑波带片最外环宽度为350 nm,厚度为3.5μm,高宽比达到10,侧壁陡直且具有优良的结构质量,可用于10 keV~30 keV波段的硬X射线成像。     

煤粉仓粉位测量装置在我厂的使用及改造

粉仓粉位测量装置，由于能自动测量、自动显示、准确可靠等优点，在热电厂中使用普遍，但由于工作环境恶劣造成诸多不便，对其进行改造后使用更加方便可靠，效果极佳。     

垂直腔面发射半导体激光器腔模位置对器件输出波长的影响研究

为得到高温环境下894.6 nm稳定波长激光输出的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL), 设计并制备了腔模位置不同的VCSEL芯片;通过对VCSEL腔模位置、输出波长和温漂系数的测试分析,研究了腔模位置对器件输出波长的影响,发现腔模位置与输出波长具有线性对应关系。设计了腔模位置在890.5 nm的VCSEL外延片结构,经工艺制备得到了85 ℃高温环境下894.6 nm稳定波长激光输出的VCSEL芯片。实验结果表明,通过调控腔模位置可得到目标波长激光输出的VCSEL芯片,该研究为研制其他波段稳定波长激光输出的垂直腔面发射激光器奠定了基础。     

生长温度和源氛浓度对ZnO晶体生长影响的机理分析

利用原子层沉积（ALD）方法在Si（100）片上沉积200nm的ZnO薄层作为籽晶层,通过化学气相沉积（CVD）法常压下在籽晶层上生长ZnO晶体结构。通过X射线衍射（XRD）、场发射电子扫描显微镜（FESEM）和光致发光光谱（PL）手段对其结构形貌及光学性质进行表征,结合晶体生长机理讨论和分析影响ZnO微纳结构生长的因素。结果表明,反应源气氛浓度是影响ZnO形貌的重要因素。     

腔衰荡吸收光谱技术的研究进展及典型应用

腔衰荡吸收光谱技术是一种灵敏度高、选择性强、响应速度快的直接吸收光谱检测技术,随着激发光源、腔体结构、调制方式等的不断改进和拓展,该技术的最小噪声吸收系数可达到10-12cm-1·Hz-1/2.本文针对腔衰荡吸收光谱检测装置的工作原理、技术特点和国内外典型应用进行综述,分析了激发光源、腔体结构以及调制方式的多样性对腔衰荡吸收光谱检测技术的影响,最后结合腔衰荡吸收光谱技术在不同领域的典型应用对该技术的应用前景进行了展望.     

基于节点竖向移动的正交正放网架结构形态优化研究

研究了节点竖向位置对于正交正放网架结构承载力的影响.建立了以节点竖向坐标为设计变量,以结构储存应变能最小为目标函数,以结构允许变化空间作为约束条件的优化数学模型.在优化方法上,首先计算正交正放网架结构的总应变能;然后计算节点应变能对竖向坐标灵敏度,通过调整节点竖向坐标,进一步减小结构总应变能,改善结构受力状态;反复迭代,直至结构形态最优.通过算例表明本文提出的正交正放网架结构形态优化方法是可行的,通过对不同阶段结构矢跨比进行对比,得出了最合理矢跨比.